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    클로로실란의 제조 방법
    1.
    发明授权
    클로로실란의 제조 방법 有权

    公开(公告)号：KR102407612B1

    公开(公告)日：2022-06-10

    申请号：KR1020207009626

    申请日：2017-10-05

    IPC分类号： C01B33/107 ,  B01J8/18

    摘要： 본발명은유동층반응기에서클로로실란을제조하는제1 방법에관한것으로서, 이러한방법은염화수소-함유반응가스와실리콘및 선택적으로촉매를함유하는미립자접촉조성물과의반응에의해수행되고, 여기서, 클로로실란은화학식 HnSiCl4-n 및/또는 HmCl6-mSi2를갖고, 이러한화학식에서, n은 1 내지 4이고 m은 0 내지 4이며, 유동층반응기의유압직경 dhyd, 유동층반응기내 가스의공탑속도(superficial gas flow velocity) uL 및미립자접촉물질의소터(Sauter) 평균직경 d32은, 직교좌표계(cartesian coordinate system)에서아르키메데스수(Archimedes number) Ar이레이놀즈수(Reynolds number) Re에대해그려지는면적상에서점(point)들이맵핑되도록선택되고, 이러한면적은식 1a 및 1b: Ar = 3·10-3·Re2-8.18·Re+1200 (1a), Ar = 4·10-6Re2-0.69·Re+14400 (1b)에의해정의되며, 이때, 하한 Ar은 1이고상한 Ar은 3000이다. 본발명은또한, 유동층반응기에서클로로실란을제조하는제2 방법에관한것으로서, 이러한방법은실리콘테트라클로라이드및 수소를함유하는반응가스와실리콘및 촉매를함유하는미립자접촉조성물과의반응에의해수행되고, 여기서, 클로로실란은화학식 HnSiCl4-n 및/또는 HmCl6-mSi2를갖고, 이러한화학식에서, n은 1 내지 4이고 m은 0 내지 4이며, 유동층반응기의유압직경 dhyd, 유동층반응기내 가스의공탑속도 uL 및미립자접촉물질의소터평균직경 d32은, 직교좌표계에서아르키메데스수 Ar이레이놀즈수 Re에대해그려지는면적상에서점들이맵핑되도록선택되고, 이러한면적은식 2a 및 2b: Ar = 5·10-9·Re2+ 4.8·10-3·Re-102 (2a), Ar = 1·10-9·Re2-1.1·10-2·Re+10774 (2b)에의해정의되며, 이때, 하한 Ar은 0.3이고상한 Ar은 3000이다.

    디아이오도실란의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 조성물
    2.
    发明授权
    디아이오도실란의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 조성물 有权

    公开(公告)号：KR102331310B1

    公开(公告)日：2021-12-01

    申请号：KR1020200151321

    申请日：2020-11-12

    IPC分类号： C01B33/107

    摘要： 아이오딘(I2), 페닐실란(phenylsilane) 및에틸아세테이트(EA)를반응시켜디아이오도실란을포함하는제1혼합물을얻는단계; 상기디아이오도실란을포함하는제1혼합물을증류하여부생성물을제거함으로써제2혼합물을얻는단계; 상기제2혼합물에구리파우더를첨가하여정제하는단계; 및증류법을이용하여디아이오도실란을분리하는단계;를포함하는, 디아이오도실란의제조방법및 이에의해제조된조성물이개시된다.

    야금학적 실리콘의 분류 방법
    3.
    发明授权
    야금학적 실리콘의 분류 방법 有权

    公开(公告)号：KR102248396B1

    公开(公告)日：2021-05-10

    申请号：KR1020197029601

    申请日：2018-02-08

    申请人： 와커 헤미 아게

    发明人： 림뵈크칼하인즈 ,  패트졸트우베 ,  트라운스푸르거게르하르트

    IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/107

    摘要： 본발명은탄소및/또는탄소함유화합물의불순물을함유하는야금학적실리콘의분류방법에관한것이다. 상기방법은, a) 700℃의온도까지산소와반응하는유리탄소비율을결정하는단계, b) 클로로실란의제조방법에유리탄소비율이≤ 150 ppmw인야금학적실리콘을할당하고/하거나메틸클로로실란의제조방법에유리탄소비율이 > 150 ppmw인야금학적실리콘을할당하는단계를 포함한다. 또한, 본발명은클로로실란을제조하기위한 2500 ppmw 이하의총 탄소함량을갖는야금학적실리콘의용도에관한것이다.

    반응 잔류물로부터의 하이드로할로실란 회수
    4.
    发明授权
    반응 잔류물로부터의 하이드로할로실란 회수 有权

    公开(公告)号：KR102248271B1

    公开(公告)日：2021-05-04

    申请号：KR1020177001148

    申请日：2014-07-17

    申请人： 알이씨 실리콘 인코포레이티드

    发明人： 코페이융 ,  톰슨앤서니디.

    IPC分类号： C01B33/107 ,  B01D53/00

    摘要： 반응잔류물로부터하이드로할로실란을회수하는방법이개시되어있다. (i) 테트라할로실란, 트리할로실란, 디할로실란, 또는이들의임의의조합 (ii) 규소입자및, (iii) 중질체(heavies)를포함하는무기할로실란슬러리를박막건조기에통과시켜휘발성할로실란을제거하고, 규소입자를포함하는고체잔류물을형성한다. 상기슬러리가박막건조기를통과할때 중질체도제거될수 있다.

    고수율의 클로로폴리실란의 제조방법
    5.
    发明授权
    고수율의 클로로폴리실란의 제조방법 有权

    公开(公告)号：KR102246599B1

    公开(公告)日：2021-04-30

    申请号：KR1020190045072

    申请日：2019-04-17

    申请人： (주)원익머트리얼즈

    发明人： 정석용 ,  조병옥 ,  강혁 ,  이수환 ,  배상복 ,  박새미 ,  강태진

    IPC分类号： C01B33/107 ,  B01J19/00

    摘要： 본발명은반응기내에서고체칼슘실리사이드(Ca-silicide)에염소(Cl2) 가스를공급하여염소화반응을수행하는단계를포함하되, 염소화반응수행시에, 상기반응기내 고체온도가 200℃이상일때 염소가스의주입을중단하고, 상기반응기내 고체온도가 200℃이하일때 염소가스를주입하는것을특징으로하는, 하기화학식 1로표시되는클로로폴리실란의제조방법에관한것이다: [화학식 1] SinCl2n+2 (단, 화학식 1에서 n은 2 이상의정수이다). 본발명에따른클로로폴리실란의제조방법은, 발열반응을제어하기위한특정단계를포함함으로써고수율의클로로폴리실란을제조할수 있다.

    3염화 실란 합성용 유동층 반응기
    9.
    发明公开
    3염화 실란 합성용 유동층 반응기 审中-公开
    3流化床反应器用于合成三氯硅烷

    公开(公告)号：KR20180031226A

    公开(公告)日：2018-03-28

    申请号：KR20160119376

    申请日：2016-09-19

    申请人： HANWHA CHEMICAL CORP

    发明人： KIM JOON HWAN ,  PARK KYU HAK ,  LEE DONG HO ,  KIM GIL HO

    IPC分类号： B01J8/18 ,  B04C3/04 ,  B04C3/06 ,  C01B33/107

    CPC分类号： B01J8/18 ,  B04C3/04 ,  B04C3/06 ,  C01B33/107

    摘要： 본발명의목적은 3염화실란합성시, 반응기의내부공간에서발생되는미분입자들을반응기밖으로제거하는 3염화실란합성용유동층반응기를제공하는것이다. 본발명의일 실시예에따른 3염화실란합성용유동층반응기는, 옥시염소화(hydrochlorination) 및직접염소화(direct chlorination) 반응에의해메탈그레이드실리콘(metal grade silicon)이반응가스(feed gas)와반응하여 3염화실란(trichlorosilane) 가스를생성하도록내부공간을설정하는반응기, 상기반응기의내부공간에서메탈그레이드실리콘으로부터미분화되어상승하는미분입자들을포집하는사이클론(cyclone), 미분입자들을상기반응기의외부로배출하도록상기반응기에연결되는바이패스라인, 상기바이패스라인에구비되는바이패스밸브, 및상기바이패스밸브에연결되어상기반응기에서배출되는배출가스로부터미분입자들을분리하여처리하는분리처리기를포함한다.

    摘要翻译： 根据本发明的一个实施方案，用于合成三氯硅烷的流化床反应器包括：内部空间设置为使得金属级硅通过氢氯化反应与进料气体反应并直接氯化以生产三氯硅烷气体的反应器; 用于收集从金属级硅微粉化并在反应器内部空间中升高的细颗粒的旋风分离器; 连接到反应器以便将微粒排出到反应器外部的旁路管线; 设置在旁通管路上的旁通阀; 以及连接到旁通阀的分离和处理装置，并且将细颗粒与排出气体分离以从反应器排出并对其进行处理。

    시클로헥사실란 화합물의 제조 방법
    10.
    发明授权
    시클로헥사실란 화합물의 제조 방법 有权
    生产环己硅烷化合物的方法

    公开(公告)号：KR101818272B1

    公开(公告)日：2018-02-21

    申请号：KR1020127021848

    申请日：2011-01-25

    申请人： 엔디에스유 리서치 파운데이션

    发明人： 에란고반아루무가사미 ,  앤더슨케네스 ,  바우드조크필립알 ,  슐츠더글라스엘

    IPC分类号： C01B33/107 ,  C01B33/08 ,  C01B33/04 ,  C07F9/54 ,  C07F7/02

    CPC分类号： C01B33/04 ,  C07F7/025 ,  C07F9/5442

    摘要： 트리클로로실란으로부터의시클로헥사실란화합물의제조방법이제공된다. 본방법은테트라데카할로시클로헥사실란 2가음이온, 예컨대테트라데카클로로시클로헥사실란 2가음이온을함유하는화합물을제조하기위한트리클로로실란과시약조성물과의접촉단계를포함한다. 시약조성물은전형적으로 (a) 삼차폴리아민리간드; 및 (b) 탈양성자화시약, 예컨대약 10.5 이상의 pKa 를갖는삼차아민을포함한다. 테트라데카할로시클로헥사실란 2가음이온-함유화합물을시클로헥사실란또는도데카오르가노시클로헥사실란으로전환하는방법이또한제공된다.

    摘要翻译： 提供了由三氯硅烷制备环己硅烷化合物的方法。 该方法包括用四到十溴环己酮硅烷二价阴离子，如用于制备包含阴离子的化合物四癸氯环己酮二价硅烷硅烷试剂组合物的三氯硅烷接触的步骤。 试剂组合物通常包含（a）叔多胺配体; 和（b）脱质子试剂，例如pKa为约10.5或更大的叔胺。 还提供了将十四卤代环己硅烷二价含阴离子化合物转化成环己硅烷或十二碳五环己硅烷的方法。