유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치

    公开(公告)号:KR1020220092359A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:KR1020210144485

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 본발명은유기전자장치용봉지재및 이를포함하는유기전자장치에관한것으로서, 보다상세하게는유기전자장치에수분, 불순물등의불량원인물질이접근하지못하도록제거및 차단하고, 수분이제거될때 발생할수 있는층간박리현상이일어나지않는동시에내습성및 내열성이우수한효과가있으며, 박막봉지공정(Thin Film Encapsulation)에있어서상온에서도유기전자장치와봉지재간의합착이우수한상온에서합착이가능한유기전자장치용봉지재및 이를포함하는유기전자장치에관한것이다.

    소수성 화합물이 혼합되어 있는 고체 중합체 물품

    公开(公告)号:KR102307784B1

    公开(公告)日:2021-10-05

    申请号:KR1020207025995

    申请日:2016-09-30

    Abstract: 본발명은표면효과를갖는 3차원고체중합체물품에관한것으로, 이는중합체조성물, 및고체중합체물품의총 중량을기준으로 0.1 내지 20 중량%의소수성화합물을포함하며, 소수성화합물은중합체조성물전반에걸쳐그리고 3차원고체중합체물품전반에걸쳐혼합되고; 소수성화합물은적어도 2개의소수성기로치환된환형알코올로부터선택된다.

    우레아 기반의 수용성 방수 도료 및 이를 이용한 방수 공법

    公开(公告)号:KR102188603B1

    公开(公告)日:2020-12-10

    申请号:KR20200090961

    申请日:2020-07-22

    Abstract: 본발명에따른우레아기반의수용성방수도료는, MDI(Methylene Diphenyl diisocyanate) 및폴리에틸렌글리콜을반응시켜생성된프리폴리머인주제부와, 폴리아민및 폴리에테르아민의반응물에사슬연장제를혼합한경화제부를상기주제부와혼합하여중합되는폴리우레아베이스; PDMS(Poly dimethyl siloxane) 25 내지 45 중량부, 에탄올 5 내지 25 중량부, 소르비탄모노스테아레이트 5 내지 25 중량부, PEG TMBPE(Polyethylene glycol mono[(1,1,3,3-tetramethyl (butyl)phenyl)]ether) 15 내지 35 중량부를혼합한소포제;를포함하는것을특징으로한다. 이러한우레아기반의수용성방수도료및 이를이용한방수공법에따르면, 방수도료에포함된소포제를통해방수도료에생성될수 있는기포를제거하여도막의균일성을증진및 기포가생성된부위의방수도막이들떠내구성이저하되는것을방지할수 있는효과를제공한다.

    편광판 및 액정 표시 장치
    10.
    发明授权
    편광판 및 액정 표시 장치 有权
    偏光片和液晶显示器

    公开(公告)号:KR101748065B1

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:KR1020157031776

    申请日:2014-07-15

    Abstract: 편광판(3)의제1 보호필름(11)과편광필름(12)의두께의합계는 50㎛이하이다. 제2 보호필름(13)은, 셀룰로오스에스테르와, 리타데이션저하제를포함한다. 리타데이션저하제는, 푸라노오스구조또는피라노오스구조를 1개갖는화합물 (A) 중의, 또는푸라노오스구조또는피라노오스구조중 적어도 1종을 2개이상 12개이하결합한화합물 (B) 중의 OH기의전부또는일부를지방족아실기에의해에스테르화한당에스테르를포함한다. 당에스테르는, 상기리타데이션저하제의총 질량에대하여 70% 이상의비율로포함되어있다. 제2 보호필름(13)은 Ro가 0nm 이상 10nm 이하이고, Rt가 -10nm 이상 +10nm 이하이다.

    Abstract translation: 偏光板3和偏光膜12的保护膜11的总厚度为50μm或更小。 第二保护膜(13)包含纤维素酯和延迟减少剂。 相位差还原剂是,呋喃基没有海藻糖结构或具有在化合物(A)吡喃并海藻糖结构中的一个,或呋喃基没有海藻糖结构或吡喃并海藻糖结构的至少一个或两个或多于12化合物(B)的组合 并且脂族酰基中的全部或部分OH基团被脂族酰基酯化。 相对于延迟降低剂的总质量,糖酯以70%以上的比例含有。 第二保护膜13是为0nm Ro为小于10nm或更小,Rt为-10nm或者大于+ 10nm的更多。

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