公开(公告)号：KR102472671B1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：KR1020200070213

申请日：2020-06-10

IPC: H01L21/67 ,  F27B17/00

Abstract: 로내 온도분포의균일성을향상시키는구성을제공하는데 있다. 복수의제어존으로분할해서마련되고, 제어존마다마련되어발열에의해반응관내의온도를상승시키는발열부를적어도포함하고, 각제어존 내의출력회로는병렬회로이며, 해당병렬회로를구성하는회로중 어느하나이상에출력가변용소자를마련하는구성이제공된다.

公开(公告)号：KR102358086B1

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：KR1020210097484

申请日：2021-07-26

IPC: C04B33/34 ,  C04B33/24 ,  C04B33/04 ,  C04B33/30 ,  C03C8/14 ,  F27B17/00

Abstract: 본발명은도자기원료를이용한도자기성형물성형, 봉통의예열, 초벌, 1차유약에의한 1차시유, 재벌, 2차유약에의한 2차시유, 삼벌, 및소성칸냉각및 도자기의인출등의과정을통해도자기를제조하되, 상기 1차유약에의해상기재벌구이된도자기가적색바탕을형성하고, 상기 2차유약에의해, 상기 2차시유및 삼벌구이가이루어진도자기가상기적색바탕에비취색돌담무늬를형성하는적색바탕에비취색돌담무늬가형성된도자기의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR102349926B1

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：KR1020210090474

申请日：2021-07-09

IPC: G05B19/418 ,  F27B17/00 ,  C23C16/00

Abstract: 여기에서, 제조설비내에서의챔버매칭을위한방법들및 시스템들이설명된다. 방법은제 1 챔버를위한제 1 챔버레시피어드바이스및 제 2 챔버를위한제 2 챔버레시피어드바이스를수신하는단계를포함할수 있을것이다. 챔버레시피어드바이스들은프로세스에대한튜닝가능한입력들의세트및 출력들의세트를설명한다. 방법은, 제 1 및제 2 챔버레시피어드바이스들을실질적으로매칭시키기위해서, 제 1 챔버입력매개변수들의세트또는제 2 챔버입력매개변수들의세트중 적어도하나그리고제 1 챔버출력매개변수들의세트또는제 2 챔버출력매개변수들의세트중 적어도하나를조정하는단계를더 포함할수 있을것이다.

公开(公告)号：KR102229414B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020200120365

申请日：2020-09-18

Applicant: (주) 청호열처리

Inventor： 최만호 ,  남용호

IPC: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  F27B17/00

Abstract: 본발명은질화로장치에관한것으로, 반응가스를공급받아질화처리를수행하는열처리부와, 열처리부로부터반응가스를전달받고, 반응가스를가열하여분해가스로분해시키는분해부와, 분해부에연결되고, 반응가스의분해상태를측정하는측정부및 분해부로부터분해가스를전달받고, 분해가스를연소시켜배출시키는연소부를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR102229231B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020190074873

申请日：2019-06-24

Applicant: 주식회사 엘 앤 에프

Inventor： 신준호 ,  장성균 ,  권혁원 ,  공기영 ,  오지우 ,  김도형

IPC: F27B17/00 ,  F27B19/02

Abstract: 본발명은개방된상부개구를통해원료를주입한후 2단또는그 이상으로수직적층하여소성로내로연속적으로투입하는전극활물질제조용소성용기로서, 다각형형상의기저부; 상기기저부의각각의외주변으로부터상향연장되어원료수용공간을형성하는측면부들; 상기측면부들중 적어도둘 이상의측면부들의상단에서상향돌출된적층지지부들; 및상기측면부들의상단부위에서적층지지부들사이의공간에형성되어있는유체유동부들;을포함하고있고, 서로이웃하는측면부들이상호접하는교차부위들중의적어도하나이상의교차부위의상단에는적층지지부가위치하지않는것을특징으로하는전극활물질제조용소성용기를제공한다.

公开(公告)号：KR20210029668A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR20200103214

申请日：2020-08-18

IPC: H01L21/67 ,  F27B17/00 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H05B3/62

Abstract: 높은온도로기판을처리할수 있고, 노구부로의열 데미지를저감할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치는내부에처리실을구성하고하방에노구를포함하는반응관; 반응관의외주측에설치되고관축방향으로분할된복수의존마다히터가설치된히터통; 각존에대응하는히터의온도를측정하는복수의히터온도센서; 온도측정데이터에기초하여각 히터에공급하는전력을제어하여존마다온도를조절하는온도조절기; 및보트를회전시키는회전기구를구비하고, 온도조절기는기판의가열처리시에기판이배치되는존에대응하는히터를미리설정한온도로하고, 가장노구측에서기판이배치되지않는존에서는노구측을향하여온도가저하하는온도구배가형성되도록복수의히터에공급하는공급전력을히터마다제어한다.

公开(公告)号：KR20210022499A

公开(公告)日：2021-03-03

申请号：KR20200103450

申请日：2020-08-18

IPC: H01L21/324 ,  F27B17/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H05B3/62 ,  H05B6/64

Abstract: [과제] 대입경의다결정실리콘막을형성할수 있는기술을제공한다. [해결수단] 본개시의일양태에따른열처리방법은, 기판위에막중수소농도가 5×1019 atoms/㎤이상인비정질실리콘막을형성하는공정과, 상기기판에마이크로파를조사함으로써, 상기비정질실리콘막을가열하여, 상기비정질실리콘막으로부터다결정실리콘막을형성하는공정을갖는다.

公开(公告)号：KR102025609B1

公开(公告)日：2019-11-04

申请号：KR1020180126881

申请日：2018-10-23

Applicant: 주식회사 신명

Inventor： 이정영

IPC: F27B17/00 ,  F27D7/06 ,  H01G13/00

公开(公告)号：KR102014388B1

公开(公告)日：2019-08-26

申请号：KR1020180115535

申请日：2018-09-28

Applicant: (주)에이원엔지니어링

Inventor： 이상로 ,  위심규 ,  김상열 ,  최준식 ,  정현철

IPC: F27B17/00 ,  F27D5/00 ,  F27D3/00 ,  C22B25/02 ,  C22B5/02

公开(公告)号：KR101946752B1

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：KR1020180049026

申请日：2018-04-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이준호 ,  심상철 ,  오준석

IPC: F27D11/12 ,  C22B1/16 ,  F27B17/00 ,  F27D99/00