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公开(公告)号：KR102465982B1
公开(公告)日：2022-11-09
申请号：KR1020210091497
申请日：2021-07-13
摘要： 구현예는블랭크마스크등에대한것으로, 광투과성기판및 상기광투과성기판상에위치하는차광막을포함한다. 차광막은천이금속과, 산소및 질소중 적어도어느하나를포함한다. 차광막표면은상기차광막표면을가로 3등분, 세로 3등분하여형성되는 9개의섹터들을포함한다. 차광막표면은상기 9개의섹터들에서각각측정한 Rsk 값들을갖고, 상기 Rsk 값들의평균값이 -0.64 이상 0 이하이다. 차광막표면은상기 9개의섹터들에서각각측정한 Rku 값들을갖고, 상기 Rku 값들의평균값이 3 이하이다. 이러한블랭크마스크등은차광막표면에의사결함형성이효과적으로억제된차광막을적용하여고감도결함검사시 결함판정이용이할수 있다.
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公开(公告)号：KR102398583B1
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：KR1020227006086
申请日：2016-10-26
摘要： 본발명은차광막에고정밀도이면서미세한패턴을형성하는것이가능한위상시프트마스크제조용의마스크블랭크(100)를제공한다. 투광성기판(1) 상에규소를함유하는재료를포함하는위상시프트막(2), 크롬, 산소및 탄소를함유하는재료를포함하는차광막(3), 및규소및 탄탈륨으로부터선택되는하나이상의원소를함유하는재료를포함하는하드마스크막(4)이이 순서대로형성된마스크블랭크(100)이며, 차광막(3)은, 하드마스크막(4)측의표면및 그근방의영역에산소함유량이증가한조성경사부를갖는단층막이고, 차광막(3)은, X선광전자분광법으로분석하여얻어지는 N1s의내로스펙트럼의최대피크가검출하한값이하이고, 차광막(3)의조성경사부를제외한부분은, 크롬함유량이 50원자% 이상이고, 또한 X선광전자분광법으로분석하여얻어지는 Cr2p의내로스펙트럼이 574eV 이하의결합에너지에서최대피크를갖는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020220033989A
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：KR1020210116011
申请日：2021-09-01
摘要： [해결수단] 기판과, 기판상에마련된다층반사막을갖고, 다층반사막이, Si층과 Mo층이교대로적층된 Si/Mo 적층부를갖고, Si/Mo 적층부의 Si층과 Mo층사이의어느 1 이상에, Si와 N을함유하는층이 Si층과 Mo층의쌍방에접하여형성되어있는 EUV 마스크블랭크용다층반사막부가기판. [효과] 높은반사율을갖고, 열이가해진경우에도반사율이저하되기어려운다층반사막을갖는 EUV 마스크블랭크용다층반사막부가기판및 EUV 마스크블랭크를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR102368405B1
公开(公告)日：2022-02-28
申请号：KR1020187010498
申请日：2016-10-26
摘要： 본발명은차광막에고정밀도이면서미세한패턴을형성하는것이가능한위상시프트마스크제조용의마스크블랭크(100)를제공한다. 투광성기판(1) 상에규소를함유하는재료를포함하는위상시프트막(2), 크롬, 산소및 탄소를함유하는재료를포함하는차광막(3), 및규소및 탄탈륨으로부터선택되는하나이상의원소를함유하는재료를포함하는하드마스크막(4)이이 순서대로형성된마스크블랭크(100)이며, 차광막(3)은, 하드마스크막(4)측의표면및 그근방의영역에산소함유량이증가한조성경사부를갖는단층막이고, 차광막(3)은, X선광전자분광법으로분석하여얻어지는 N1s의내로스펙트럼의최대피크가검출하한값이하이고, 차광막(3)의조성경사부를제외한부분은, 크롬함유량이 50원자% 이상이고, 또한 X선광전자분광법으로분석하여얻어지는 Cr2p의내로스펙트럼이 574eV 이하의결합에너지에서최대피크를갖는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102316173B1
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：KR1020197035836
申请日：2017-06-16
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/54 , G03F1/82 , H01L21/033 , H01L27/12
摘要： 본발명은마스크및 어레이기판의제조방법을제공하며, 상기마스크는: 이격되게설치되고, 반투광영역인 2개이상의제1 서브영역; 2개이상의제1 서브영역사이의틈새에설치되고, 광투과율이제1 서브영역보다큰 1개이상의제2 서브영역;을포함하며, 포토레지스트를노광할경우제2 서브영역에서노광된포토레지스트의두께는제1 서브영역에서노광된포토레지스트의두께보다크며, 어레이기판을제조할경우 1개이상의제2 서브영역에대응되는위치는어레이기판의 1개이상의채널이다. 상기마스크를통해, 어레이기판을제조할때 노광및 애싱의시간을줄이고, 에너지를절감할수 있다.
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公开(公告)号：KR102292434B1
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：KR1020217022869
申请日：2017-08-02
摘要： 본발명은, 차광막패턴(2a)이높은 ArF 내광성을갖고, 또한파장이 800㎚이상 900㎚이하인장파장광을이용하여마크검출을행할때의검출감도가부족하다는과제를해결한마스크블랭크(100)를제공하는것을목적으로하고있다. 투광성기판(1) 상에차광막(2)을구비한마스크블랭크이며, 차광막은, 규소와질소를함유하는재료로형성된단층막이고, ArF 엑시머레이저의노광광에대한광학농도가 2.5 이상, 표면반사율이 40% 이하, 이면반사율이 40% 이하이고, 900㎚의파장의광에대한투과율이 50% 이하, 소쇠계수가 0.04 이상이고, 두께가 60㎚이하인것을특징으로하는마스크블랭크이다.
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公开(公告)号：KR1020210093383A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：KR1020217022869
申请日：2017-08-02
摘要： 본발명은, 차광막패턴(2a)이높은 ArF 내광성을갖고, 또한파장이 800㎚이상 900㎚이하인장파장광을이용하여마크검출을행할때의검출감도가부족하다는과제를해결한마스크블랭크(100)를제공하는것을목적으로하고있다. 투광성기판(1) 상에차광막(2)을구비한마스크블랭크이며, 차광막은, 규소와질소를함유하는재료로형성된단층막이고, ArF 엑시머레이저의노광광에대한광학농도가 2.5 이상, 표면반사율이 40% 이하, 이면반사율이 40% 이하이고, 900㎚의파장의광에대한투과율이 50% 이하, 소쇠계수가 0.04 이상이고, 두께가 60㎚이하인것을특징으로하는마스크블랭크이다.
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公开(公告)号：KR102279529B1
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：KR1020197027949
申请日：2018-02-20
摘要： 패턴화디바이스는: 패턴화디바이스기판상의흡수체층; 및패턴화디바이스기판상의반사성또는투과성층을포함하고, 흡수체층 및반사성또는투과성층은, 메인피쳐및 메인피쳐와쌍을이루는감쇠된해상도미만지원피쳐(감쇠된 SRAF)를갖는패턴레이아웃을함께정의하되, 메인피쳐는, 디바이스패턴을기판상의패턴화재료의층으로전사할때, 패턴화재료의층에메인피쳐를생성하도록구성되고, 그리고패턴을패턴화재료의층으로전사할때, 감쇠된 SRAF는, 패턴화재료의층에피쳐를생성하는것을방지하도록그리고메인피쳐와는상이한방사선강도를생성하도록구성된다.
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公开(公告)号：KR102242356B1
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：KR1020190095002
申请日：2019-08-05
申请人： 주식회사 에프에스티
发明人： 임경철
摘要： 실시예는펠리클, 그제조방법, 펠리클을포함하는노광장치및 펠리클의제조장치에관한것이다. 실시예에따른펠리클은, 노광공정에이용되는펠리클에있어서, 소정의광원이투과되는펠리클멤브레인과, 상기펠리클멤브레인을지지하는펠리클프레임을포함하고, 상기펠리클멤브레인과상기펠리클프레임은같은재질로일체로형성된것을특징으로한다.
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