鋶化合物、光阻組成物及圖案形成方法
    8.
    发明专利
    鋶化合物、光阻組成物及圖案形成方法 审中-公开
    锍化合物、光阻组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:TW201920092A

    公开(公告)日:2019-06-01

    申请号:TW107129048

    申请日:2018-08-21

    摘要: 本發明提供在以高能射線作為光源之光微影中,缺陷少、感度、LWR、CDU優異之光阻組成物,以及使用該光阻組成物之圖案形成方法。 下式(1)表示之鋶化合物,[式中,L1為也可以含有含雜原子之基之2價烴基。X為2價連結基。Z為下式(1A)~(1C)中之任一者表示之基。式中,R1a~R1c為也可以含有含雜原子之基之1價烴基,但至少一者為下式(1-1)表示之基。式中,L2為也可以含有含雜原子之基之2價烴基。Rf1及Rf2為氫原子、烷基、氟原子、或氟烷基,但Rf1及Rf2中之至少一者為氟原子或氟烷基。]。

    简体摘要: 本发明提供在以高能射线作为光源之光微影中,缺陷少、感度、LWR、CDU优异之光阻组成物,以及使用该光阻组成物之图案形成方法。 下式(1)表示之锍化合物,[式中,L1为也可以含有含杂原子之基之2价烃基。X为2价链接基。Z为下式(1A)~(1C)中之任一者表示之基。式中,R1a~R1c为也可以含有含杂原子之基之1价烃基,但至少一者为下式(1-1)表示之基。式中,L2为也可以含有含杂原子之基之2价烃基。Rf1及Rf2为氢原子、烷基、氟原子、或氟烷基,但Rf1及Rf2中之至少一者为氟原子或氟烷基。]。