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    單層聚酯膜
    92.
    发明专利
    單層聚酯膜 审中-公开
    单层聚酯膜

    公开(公告)号：TW201811859A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106120198

    申请日：2017-06-16

    Applicant: SKC股份有限公司 ,  SKC CO., LTD.

    Inventor： 郭奇烈 ,  KWAK, KI YUEL ,  李仲奎 ,  LEE, JUNG KYU ,  李承爰 ,  LEE, SEUNGWON ,  劉虎進 ,  YU, HOJIN

    IPC: C08G63/183 ,  C08G63/85 ,  C08J5/18 ,  C08L67/03 ,  B32B27/36

    CPC classification number: C08G63/183 ,  C08G63/85 ,  C08J5/18 ,  C08J7/06 ,  C08K3/08 ,  C08L67/03

    Abstract: 一種如本發明的一具體例之聚酯單層膜具有低霧度及低寡聚物特徵，具有更偏藍色之色彩座標，以及具有低無機金屬含量。因而，該聚酯單層膜可使用作為一耐熱性保護膜及光散射防止膜之基底膜，以及ITO及非ITO基底膜(用於Ag奈米線等等)使用於近來的觸控面板。此外，既然550 nm波長的透射率因為雜質較少而相對地高，該聚酯單層膜可使用作為一背光單元(BLU)及一擴散片的棱鏡之基底膜。

    Abstract in simplified Chinese: 一种如本发明的一具体例之聚酯单层膜具有低雾度及低寡聚物特征，具有更偏蓝色之色彩座标，以及具有低无机金属含量。因而，该聚酯单层膜可使用作为一耐热性保护膜及光散射防止膜之基底膜，以及ITO及非ITO基底膜(用于Ag奈米线等等)使用于近来的触摸皮肤。此外，既然550 nm波长的透射率因为杂质较少而相对地高，该聚酯单层膜可使用作为一背光单元(BLU)及一扩散片的棱镜之基底膜。

    Ｐａｒａ－ＦＵＲＵＴＡ聚合物和電容器
    96.
    发明专利
    Ｐａｒａ－ＦＵＲＵＴＡ聚合物和電容器 审中-公开
    Ｐａｒａ－ＦＵＲＵＴＡ聚合物和电容器

    公开(公告)号：TW201741352A

    公开(公告)日：2017-12-01

    申请号：TW106104499

    申请日：2017-02-10

    Applicant: 電容器科學公司 ,  CAPACITOR SCIENCES INCORPORATED

    Inventor： 古田 保羅 ,  FURUTA, PAUL ,  夏普 貝瑞 ,  SHARP, BARRY ,  拉薩瑞夫 帕維爾 ,  LAZAREV, PAVEL IVAN

    IPC: C08F10/00 ,  C08F20/00 ,  C08G77/00 ,  C08G63/183 ,  H01G4/14

    CPC classification number: H01G4/18 ,  C08F110/02 ,  C08G63/127 ,  C08G77/42 ,  H01G4/32

    Abstract: 稱為para-Furuta聚合物的有機聚合化合物的特徵在於具有極化性和電阻率，具有以下一般結構式之重複單元： 化合物的主鏈結構包括結構單元P，其上為n個尾部重複單元以及m個L-Q重複單元。P係選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚丙烯重複單元、聚乙烯重複單元、矽氧烷、以及聚對苯二甲酸乙二酯重複單元。尾部重複單元是電阻性取代基，其為聚合物材料的低聚物。L-Q重複單元具有透過連接基團L連接到結構單元P的j個離子官能基Q。離子官能基Q包含一或更多離子液體離子、兩性離子、聚合酸、或它們的任意組合。參數t是para-Furuta聚合物的重複單元的平均數目。還有s個相對離子B，其是分子或低聚物，其提供相反電荷以平衡化合物的電荷，s是相對離子的數目。

    Abstract in simplified Chinese: 称为para-Furuta聚合物的有机聚合化合物的特征在于具有极化性和电阻率，具有以下一般结构式之重复单元： 化合物的主链结构包括结构单元P，其上为n个尾部重复单元以及m个L-Q重复单元。P系选自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚丙烯重复单元、聚乙烯重复单元、硅氧烷、以及聚对苯二甲酸乙二酯重复单元。尾部重复单元是电阻性取代基，其为聚合物材料的低聚物。L-Q重复单元具有透过连接基团L连接到结构单元P的j个离子官能基Q。离子官能基Q包含一或更多离子液体离子、两性离子、聚合酸、或它们的任意组合。参数t是para-Furuta聚合物的重复单元的平均数目。还有s个相对离子B，其是分子或低聚物，其提供相反电荷以平衡化合物的电荷，s是相对离子的数目。

    聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組合物的製造方法及聚對苯二甲酸丁二酯樹脂成形體的製造方法
    97.
    发明专利
    聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組合物的製造方法及聚對苯二甲酸丁二酯樹脂成形體的製造方法 审中-公开
    聚对苯二甲酸丁二酯树脂组合物的制造方法及聚对苯二甲酸丁二酯树脂成形体的制造方法

    公开(公告)号：TW201716473A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105123012

    申请日：2016-07-21

    Applicant: 胜技高分子股份有限公司 ,  WINTECH POLYMER LTD.

    Inventor： 五島一也 ,  GOSHIMA, KAZUYA ,  佐藤友里 ,  SATO, YURI

    IPC: C08J3/22 ,  C08G63/183 ,  C08L67/02 ,  C08K5/098

    CPC classification number: C08J3/22 ,  C08K5/098 ,  C08L67/02

    Abstract: 本發明係提供即使包含THF以外的VOC，自包含聚對苯二甲酸丁二酯樹脂之聚對苯二甲酸丁二酯樹脂成形體難使VOC釋放的技術。 本發明係關於包含以直接酯化法所製造之聚對苯二甲酸丁二酯樹脂與鹼化合物之聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組合物的製造方法，為包含將包含聚對苯二甲酸烷二酯樹脂與前述鹼化合物之母料，與前述聚對苯二甲酸丁二酯樹脂熔融混練的步驟的製造方法；以及包含以直接酯化法所製造之聚對苯二甲酸丁二酯樹脂與鹼化合物之聚對苯二甲酸丁二酯樹脂成形體的製造方法，為包含將前述母料與前述聚對苯二甲酸丁二酯樹脂乾式摻混後成形的步驟。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供即使包含THF以外的VOC，自包含聚对苯二甲酸丁二酯树脂之聚对苯二甲酸丁二酯树脂成形体难使VOC释放的技术。 本发明系关于包含以直接酯化法所制造之聚对苯二甲酸丁二酯树脂与碱化合物之聚对苯二甲酸丁二酯树脂组合物的制造方法，为包含将包含聚对苯二甲酸烷二酯树脂与前述碱化合物之母料，与前述聚对苯二甲酸丁二酯树脂熔融混练的步骤的制造方法；以及包含以直接酯化法所制造之聚对苯二甲酸丁二酯树脂与碱化合物之聚对苯二甲酸丁二酯树脂成形体的制造方法，为包含将前述母料与前述聚对苯二甲酸丁二酯树脂干式掺混后成形的步骤。

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