公开(公告)号：TW201727959A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105140713

申请日：2016-12-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 宋福庭 ,  SUNG, FU-TING ,  閔仲強 ,  MIN, CHUNG-CHIANG ,  曾元泰 ,  TSENG, YUAN-TAI ,  徐晨祐 ,  HSU, CHERN-YOW ,  劉世昌 ,  LIU, SHIH-CHANG

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本揭露提供一種半導體結構，其包括一第N金屬層；一底部電極，在該第N金屬層上方；一磁性穿隧接面(MTJ)，在該底部電極上方；一頂部電極，在該MTJ上方；以及一第(N+M)金屬層，在該第N金屬層上方。N以及M係正整數。該第(N+M)金屬層環繞該頂部電極的一側壁的一部份。也提供一種形成該半導體結構的製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体结构，其包括一第N金属层；一底部电极，在该第N金属层上方；一磁性穿隧接面(MTJ)，在该底部电极上方；一顶部电极，在该MTJ上方；以及一第(N+M)金属层，在该第N金属层上方。N以及M系正整数。该第(N+M)金属层环绕该顶部电极的一侧壁的一部份。也提供一种形成该半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：TW201724531A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105135785

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 閔仲強 ,  MIN, CHUNG-CHIANG ,  吳常明 ,  WU, CHANG-MING ,  劉世昌 ,  LIU, SHIH-CHANG ,  曾元泰 ,  TSENG, YUAN-TAI

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/792

Abstract: 本揭露提供一種形成一解耦電容器裝置之方法及該裝置。該解耦電容器裝置包含以一沉積製程沉積之一第一介電層部分，該沉積製程亦沉積用於一非揮發性記憶體單元之一第二介電層部分。該兩個部分係使用一單個遮罩而經圖案化。本揭露亦提供一種系統單晶片(SOC)裝置，該SOC包含一RRAM單元及位於一單個金屬間介電層中之一解耦電容器。本揭露亦提供一種用於形成一製程相容解耦電容器之方法。該方法包含將一頂部電極層、一絕緣層及一底部電極層圖案化以形成一非揮發性記憶體元件及一解耦電容器。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种形成一解耦电容器设备之方法及该设备。该解耦电容器设备包含以一沉积制程沉积之一第一介电层部分，该沉积制程亦沉积用于一非挥发性内存单元之一第二介电层部分。该两个部分系使用一单个遮罩而经图案化。本揭露亦提供一种系统单芯片(SOC)设备，该SOC包含一RRAM单元及位于一单个金属间介电层中之一解耦电容器。本揭露亦提供一种用于形成一制程兼容解耦电容器之方法。该方法包含将一顶部电极层、一绝缘层及一底部电极层图案化以形成一非挥发性内存组件及一解耦电容器。

公开(公告)号：TW201801154A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105134713

申请日：2016-10-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 劉銘棋 ,  LIU, MING CHYI ,  王培倫 ,  WANG, PEI-LUN ,  曾元泰 ,  TSENG, YUAN-TAI ,  張宇行 ,  CHANG, YU-HSING ,  劉世昌 ,  LIU, SHIH-CHANG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/402 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816

Abstract: 一種方法包含：沿著閘極結構之側壁形成閘極間隔件；在該閘極結構之相對側上形成源極區及汲極區，其中該源極區之側壁與該閘極間隔件之第一側壁垂直地對準；沉積介電層於基板上方；沉積導電層於該介電層上方；將該介電層及該導電層圖案化以形成場板，其中該介電層包括自第二汲極/源極區延伸至該閘極間隔件之第二側壁之水平部分及沿著該閘極間隔件之該第二側壁形成之垂直部分；藉由對該導電層、該閘極結構、第一汲極/源極區及第二汲極/源極區應用自對準矽化物製程而形成複數個金屬矽化物層；及形成接點插塞於該複數個金屬矽化物層上方。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含：沿着闸极结构之侧壁形成闸极间隔件；在该闸极结构之相对侧上形成源极区及汲极区，其中该源极区之侧壁与该闸极间隔件之第一侧壁垂直地对准；沉积介电层于基板上方；沉积导电层于该介电层上方；将该介电层及该导电层图案化以形成场板，其中该介电层包括自第二汲极/源极区延伸至该闸极间隔件之第二侧壁之水平部分及沿着该闸极间隔件之该第二侧壁形成之垂直部分；借由对该导电层、该闸极结构、第一汲极/源极区及第二汲极/源极区应用自对准硅化物制程而形成复数个金属硅化物层；及形成接点插塞于该复数个金属硅化物层上方。