公开(公告)号：TWI697940B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW106106535

申请日：2017-02-24

申请人： 美商得昇科技股份有限公司 ,  MATTSON TECHNOLOGY, INC. ,  大陸商北京屹唐半導體科技有限公司 ,  BEIJING E-TOWN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 劉維華 ,  LIOU, WEI-HUA ,  康俊彥 ,  KANG, CHUN-YEN ,  芬尼阿波拉 維杰M ,  VANIAPURA, VIJAY M. ,  凡屋 海奧M ,  PHAN-VU, HAI-AU M. ,  馬 蕭明 ,  MA, SHAWMING

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/47

公开(公告)号：TWM597507U

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW109204403

申请日：2020-04-15

申请人： 銳隆光電有限公司

发明人： 歐陽坤 ,  林靜茹

IPC分类号： H01L21/3213 ,  B32B9/00

公开(公告)号：TWI696220B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW107134392

申请日：2018-09-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃銘淇 ,  HUANG, MING CHI ,  莊英良 ,  CHUANG, YING LIANG ,  葉明熙 ,  YEH, MING HSI ,  黃國彬 ,  HUANG, KUO BIN

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/8238

公开(公告)号：TWI695901B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW106118635

申请日：2017-06-06

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 楊揚 ,  YANG, YANG ,  陳 芝萍 ,  CHEN, LUCY ,  周 杰 ,  ZHOU, JIE ,  拉馬斯瓦米 卡堤克 ,  RAMASWAMY, KARTIK ,  柯林 肯尼S ,  COLLINS, KENNETH S. ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  殷 正操 ,  YING, CHENTSAU ,  劉菁菁 ,  LIU, JINGJING ,  蘭 史蒂芬 ,  LANE, STEVEN ,  蒙羅伊 弓扎羅 ,  MONROY, GONZALO ,  卡度希 詹姆士D ,  CARDUCCI, JAMES D.

IPC分类号： C23C16/36 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：TW202018809A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108125771

申请日：2019-07-22

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 彼特 丹尼爾 ,  PETER, DANIEL ,  薛 君 ,  XUE, JUN ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA SIAMHWA ,  潘 陽 ,  PAN, YANG ,  李 英姬 ,  LEE, YOUNGHEE

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324

摘要： 本發明提供一種在堆疊體中相對於矽而選擇性地蝕刻矽鍺的方法，該堆疊體係位在一蝕刻腔室中的一卡盤上。將該卡盤維持在低於15℃的溫度。將該堆疊體曝露至包含一含氟氣體的一蝕刻氣體，以相對於矽而選擇性地蝕刻矽鍺。

简体摘要： 本发明提供一种在堆栈体中相对于硅而选择性地蚀刻硅锗的方法，该堆栈体系位在一蚀刻腔室中的一卡盘上。将该卡盘维持在低于15℃的温度。将该堆栈体曝露至包含一含氟气体的一蚀刻气体，以相对于硅而选择性地蚀刻硅锗。

公开(公告)号：TW202018807A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108123893

申请日：2019-07-08

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 貝里三世 伊凡 L ,  BERRY III, IVAN L. ,  立爾 托爾斯滕 ,  LILL, THORSTEN ,  費雪 安德里斯 ,  FISCHER, ANDREAS

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

摘要： 所揭示者為用以執行原子層蝕刻之設備及方法。一種方法可包含對基板上之材料的一或更多表面層進行改質、及使基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於一電子源，從而在沒有使用電漿之情況下移除基板上之經改質的該一或更多表面層。一種設備可包含一處理腔室、一處理氣體單元、一電子源、及一控制器，該控制器具有配置以引致下列步驟的指令：使該處理氣體單元使該第一處理氣體流至該腔室內部中的基板，該第一處理氣體係配置以對該基板上之材料的一或更多層進行改質；並且使該電子源產生電子，並使該基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於該等電子，在沒有使用電漿之情況下將經改質的該一或更多表面層移除。

简体摘要： 所揭示者为用以运行原子层蚀刻之设备及方法。一种方法可包含对基板上之材料的一或更多表面层进行改质、及使基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于一电子源，从而在没有使用等离子之情况下移除基板上之经改质的该一或更多表面层。一种设备可包含一处理腔室、一处理气体单元、一电子源、及一控制器，该控制器具有配置以引致下列步骤的指令：使该处理气体单元使该第一处理气体流至该腔室内部中的基板，该第一处理气体系配置以对该基板上之材料的一或更多层进行改质；并且使该电子源产生电子，并使该基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于该等电子，在没有使用等离子之情况下将经改质的该一或更多表面层移除。

公开(公告)号：TWI679270B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW106141451

申请日：2014-05-02

申请人： 日商富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

发明人： 高橋智美 ,  TAKAHASHI,SATOMI ,  上村哲也 ,  KAMIMURA,TETSUYA ,  小山朗子 ,  KOYAMA,AKIKO ,  水谷篤史 ,  MIZUTANI,ATSUSHI ,  杉島泰雄 ,  SUGISHIMA,YASUO ,  村山哲 ,  MURAYAMA, SATORU

IPC分类号： C09K13/00 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：TWI671436B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW107107560

申请日：2018-03-07

申请人： 日商東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

发明人： 吉水康人 ,  YOSHIMIZU, YASUHITO ,  明星裕也 ,  AKEBOSHI, YUYA ,  伊藤冬馬 ,  ITO, FUYUMA ,  北川白馬 ,  KITAGAWA, HAKUBA

IPC分类号： C25F3/02 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：TWI667373B

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：TW104138367

申请日：2015-11-20

申请人： 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.

发明人： 竹內秀範 ,  TAKEUCHI, HIDENORI ,  夕部邦夫 ,  YUBE, KUNIO

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI665760B

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：TW104120873

申请日：2015-06-29

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  沙瑪 普力圖 ,  SHARMA, PRITHU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455