公开(公告)号：TW201543575A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103145660

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  陳臆仁 ,  CHEN, YI JEN ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437

Abstract: 在本申請案揭示內容的一些實施例中，半導體結構包含基板、介電區、非平面結構與閘極堆疊。該介電區係形成於該基板上，並且具有頂部表面。該非平面結構從該頂部表面突出，並且包含通道區以及形成於該通道區之對側上的源極與汲極區。該閘極堆疊係形成於該頂部表面上、包裹該通道區以及包含閘極頂部表面，並且閘極側壁不與該非平面結構相交。該閘極側壁在該頂部表面的水平面係與垂直平面相距第一距離，以及在該閘極頂部表面的水平面與該垂直平面相距第二距離。該垂直平面相對於該頂部表面係垂直的，並且與該非平面結構相交。該第一距離係小於該第二距離。

Abstract in simplified Chinese: 在本申请案揭示内容的一些实施例中，半导体结构包含基板、介电区、非平面结构与闸极堆栈。该介电区系形成于该基板上，并且具有顶部表面。该非平面结构从该顶部表面突出，并且包含信道区以及形成于该信道区之对侧上的源极与汲极区。该闸极堆栈系形成于该顶部表面上、包裹该信道区以及包含闸极顶部表面，并且闸极侧壁不与该非平面结构相交。该闸极侧壁在该顶部表面的水平面系与垂直平面相距第一距离，以及在该闸极顶部表面的水平面与该垂直平面相距第二距离。该垂直平面相对于该顶部表面系垂直的，并且与该非平面结构相交。该第一距离系小于该第二距离。

公开(公告)号：TWI562238B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW103145660

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  陳臆仁 ,  CHEN, YI JEN ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437