半導體元件
    11.
    发明专利
    半導體元件 审中-公开
    半导体组件

    公开(公告)号:TW201820487A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:TW106124629

    申请日:2017-07-21

    IPC分类号: H01L21/425 H01L29/78

    摘要: 一種半導體元件包含一半導體基材、一介電特徵以及一磊晶特徵。此磊晶特徵係位於此半導體基材上。此磊晶特徵具有一頂部中央部分與一角落部分。此角落部分比此頂部中央部分更靠近此介電特徵,且此角落部分之一雜質濃度高於此頂部中央部分之一雜質濃度。

    简体摘要: 一种半导体组件包含一半导体基材、一介电特征以及一磊晶特征。此磊晶特征系位于此半导体基材上。此磊晶特征具有一顶部中央部分与一角落部分。此角落部分比此顶部中央部分更靠近此介电特征,且此角落部分之一杂质浓度高于此顶部中央部分之一杂质浓度。