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公开(公告)号:TW201820487A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:TW106124629
申请日:2017-07-21
发明人: 吳啟明 , WU, CHII MING , 吳政達 , WU, CHENG TA
IPC分类号: H01L21/425 , H01L29/78
摘要: 一種半導體元件包含一半導體基材、一介電特徵以及一磊晶特徵。此磊晶特徵係位於此半導體基材上。此磊晶特徵具有一頂部中央部分與一角落部分。此角落部分比此頂部中央部分更靠近此介電特徵,且此角落部分之一雜質濃度高於此頂部中央部分之一雜質濃度。
简体摘要: 一种半导体组件包含一半导体基材、一介电特征以及一磊晶特征。此磊晶特征系位于此半导体基材上。此磊晶特征具有一顶部中央部分与一角落部分。此角落部分比此顶部中央部分更靠近此介电特征,且此角落部分之一杂质浓度高于此顶部中央部分之一杂质浓度。