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    具有改良接觸區之背側照明影像感測器
    12.
    发明专利
    具有改良接觸區之背側照明影像感測器 审中-公开
    具有改良接触区之背侧照明影像传感器

    公开(公告)号：TW201842658A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107104478

    申请日：2018-02-08

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  楊存宇 ,  YANG, CUNYU ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  葉菁 ,  YE, JING ,  高喜峰 ,  GAO, XI-FENG ,  邢家明 ,  XING, JIAMING

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 一種影像感測器包含具有一前側及與該前側對置之一背側之一半導體材料。該影像感測器亦包含一淺溝渠隔離(STI)結構、一層間介電質、一金屬間介電質，及一接觸區。該STI結構自該半導體材料之該前側延伸至該半導體材料中。該層間介電質係安置於該半導體材料之該前側與該金屬間介電質之間。該接觸區經安置接近於該半導體材料之一橫向邊緣。該接觸區包含經安置於該金屬間介電質內之一金屬互連件，以及至少部分地經安置於該層間介電質內之複數個接觸插塞。該接觸區亦包含一接觸墊。該複數個接觸插塞係耦合於該接觸墊與該金屬互連件之間。

    简体摘要： 一种影像传感器包含具有一前侧及与该前侧对置之一背侧之一半导体材料。该影像传感器亦包含一浅沟渠隔离(STI)结构、一层间介电质、一金属间介电质，及一接触区。该STI结构自该半导体材料之该前侧延伸至该半导体材料中。该层间介电质系安置于该半导体材料之该前侧与该金属间介电质之间。该接触区经安置接近于该半导体材料之一横向边缘。该接触区包含经安置于该金属间介电质内之一金属互连件，以及至少部分地经安置于该层间介电质内之复数个接触插塞。该接触区亦包含一接触垫。该复数个接触插塞系耦合于该接触垫与该金属互连件之间。

    具有增強之近紅外線量子效率的互補式金氧半導體影像感測器
    14.
    发明专利
    具有增強之近紅外線量子效率的互補式金氧半導體影像感測器 审中-公开
    具有增强之近红外线量子效率的互补式金属氧化物半导体影像传感器

    公开(公告)号：TW201907578A

    公开(公告)日：2019-02-16

    申请号：TW107120641

    申请日：2018-06-15

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 楊存宇 ,  YANG, CUNYU ,  趙誠 ,  ZHAO, CHENG ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI

    IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/14

    摘要： 本發明揭示一種影像感測器，其包括：一半導體材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光電二極體，其形成於該半導體材料中，自該受照表面延伸以接收穿過該受照表面之一入射光，其中該所接收入射光在該光電二極體中產生電荷；一轉移閘極，其電耦合至該光電二極體以回應於一轉移信號而自該光電二極體轉移該等所產生電荷；一浮動擴散區，其電耦合至該轉移閘極以接收自該光電二極體轉移之該等電荷；一近紅外線(NIR)量子效率(QE)增強結構，其在該光電二極體之一區域內包括至少兩個NIR QE增強元件，其中該NIR QE增強結構經組態以藉由繞射、偏轉及反射之至少一者來修改該半導體材料之該受照表面處之該入射光以重新分佈該光電二極體內之該入射光以提高該影像感測器之一光學敏感度(其包含近紅外光敏感度)。

    简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器，其包括：一半导体材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光电二极管，其形成于该半导体材料中，自该受照表面延伸以接收穿过该受照表面之一入射光，其中该所接收入射光在该光电二极管中产生电荷；一转移闸极，其电耦合至该光电二极管以回应于一转移信号而自该光电二极管转移该等所产生电荷；一浮动扩散区，其电耦合至该转移闸极以接收自该光电二极管转移之该等电荷；一近红外线(NIR)量子效率(QE)增强结构，其在该光电二极管之一区域内包括至少两个NIR QE增强组件，其中该NIR QE增强结构经组态以借由绕射、偏转及反射之至少一者来修改该半导体材料之该受照表面处之该入射光以重新分布该光电二极管内之该入射光以提高该影像传感器之一光学敏感度(其包含近红外光敏感度)。

    具有經轉換源極隨耦器之影像感測器
    16.
    发明专利
    具有經轉換源極隨耦器之影像感測器 审中-公开
    具有经转换源极随耦器之影像传感器

    公开(公告)号：TW201830683A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106144801

    申请日：2017-12-20

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  楊 大江 ,  YANG, DAJIANG ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  凡尼賈 文生 ,  VENEZIA, VINCENT ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H.

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 一種影像感測器包含：一光電二極體，其安置於一第一半導體材料中；及一浮動擴散部，其在該第一半導體材料中安置成靠近該光電二極體。一源極隨耦器電晶體部分地安置於第二半導體材料中且包含：一第一經摻雜區、一第三經摻雜區以及具有與該第一經摻雜區及第三經摻雜區相反之一極性之一第二經摻雜區；及一閘電極，其耦合至該浮動擴散部並安置於該第一半導體材料中並與該源極隨耦器電晶體之該第二半導體材料中之該第二經摻雜區對準。

    简体摘要： 一种影像传感器包含：一光电二极管，其安置于一第一半导体材料中；及一浮动扩散部，其在该第一半导体材料中安置成靠近该光电二极管。一源极随耦器晶体管部分地安置于第二半导体材料中且包含：一第一经掺杂区、一第三经掺杂区以及具有与该第一经掺杂区及第三经掺杂区相反之一极性之一第二经掺杂区；及一闸电极，其耦合至该浮动扩散部并安置于该第一半导体材料中并与该源极随耦器晶体管之该第二半导体材料中之该第二经掺杂区对准。