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    具有增強近紅外量子效率及調變轉移功能之互補式金氧半導體影像感測器
    1.
    发明专利
    具有增強近紅外量子效率及調變轉移功能之互補式金氧半導體影像感測器 审中-公开
    具有增强近红外量子效率及调制转移功能之互补式金属氧化物半导体影像传感器

    公开(公告)号：TW201911554A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107117242

    申请日：2018-05-21

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 趙誠 ,  ZHAO, CHENG ,  楊存宇 ,  YANG, CUNYU ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI ,  林志強 ,  LIN, ZHIQIANG

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/33 ,  H04N5/335 ,  H04N5/3745

    摘要： 本發明揭示一種影像感測器，其包括：一半導體材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光電二極體，其形成於該半導體材料中，自該受照表面延伸以接收穿過該受照表面之一入射光，其中該接收入射光在該光電二極體中產生電荷；一轉移閘極，其電耦合至該光電二極體以回應於一轉移信號而自該光電二極體轉移該等產生電荷；一浮動擴散區，其電耦合至該轉移閘極以接收自該光電二極體轉移之該等電荷；及一近紅外(NIR)量子效率(QE)及調變轉移功能(MTF)增強結構。該NIR QE及MTF增強結構包括：一NIR QE增強子結構，其在該光電二極體之一光敏區域內包括至少一NIR QE增強元件，其中該NIR QE增強子結構經組態以藉由繞射、偏轉及反射之至少一者來修改該半導體材料之該受照表面處之該入射光以重新分佈該光電二極體內之該入射光以提高該影像感測器之光學敏感度(其包含NIR光敏感度)；及一MTF增強子結構，其面向該NIR QE增強子結構安置於該半導體材料之該非受照表面上，其中該MTF增強結構具有對應於該NIR QE增強子結構之一幾何形狀以確保該入射光在重新分佈之後仍在該光電二極體內。

    简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器，其包括：一半导体材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光电二极管，其形成于该半导体材料中，自该受照表面延伸以接收穿过该受照表面之一入射光，其中该接收入射光在该光电二极管中产生电荷；一转移闸极，其电耦合至该光电二极管以回应于一转移信号而自该光电二极管转移该等产生电荷；一浮动扩散区，其电耦合至该转移闸极以接收自该光电二极管转移之该等电荷；及一近红外(NIR)量子效率(QE)及调制转移功能(MTF)增强结构。该NIR QE及MTF增强结构包括：一NIR QE增强子结构，其在该光电二极管之一光敏区域内包括至少一NIR QE增强组件，其中该NIR QE增强子结构经组态以借由绕射、偏转及反射之至少一者来修改该半导体材料之该受照表面处之该入射光以重新分布该光电二极管内之该入射光以提高该影像传感器之光学敏感度(其包含NIR光敏感度)；及一MTF增强子结构，其面向该NIR QE增强子结构安置于该半导体材料之该非受照表面上，其中该MTF增强结构具有对应于该NIR QE增强子结构之一几何形状以确保该入射光在重新分布之后仍在该光电二极管内。

    具有增強之近紅外線量子效率的互補式金氧半導體影像感測器
    3.
    发明专利
    具有增強之近紅外線量子效率的互補式金氧半導體影像感測器 审中-公开
    具有增强之近红外线量子效率的互补式金属氧化物半导体影像传感器

    公开(公告)号：TW201907578A

    公开(公告)日：2019-02-16

    申请号：TW107120641

    申请日：2018-06-15

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 楊存宇 ,  YANG, CUNYU ,  趙誠 ,  ZHAO, CHENG ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI

    IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/14

    摘要： 本發明揭示一種影像感測器，其包括：一半導體材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光電二極體，其形成於該半導體材料中，自該受照表面延伸以接收穿過該受照表面之一入射光，其中該所接收入射光在該光電二極體中產生電荷；一轉移閘極，其電耦合至該光電二極體以回應於一轉移信號而自該光電二極體轉移該等所產生電荷；一浮動擴散區，其電耦合至該轉移閘極以接收自該光電二極體轉移之該等電荷；一近紅外線(NIR)量子效率(QE)增強結構，其在該光電二極體之一區域內包括至少兩個NIR QE增強元件，其中該NIR QE增強結構經組態以藉由繞射、偏轉及反射之至少一者來修改該半導體材料之該受照表面處之該入射光以重新分佈該光電二極體內之該入射光以提高該影像感測器之一光學敏感度(其包含近紅外光敏感度)。

    简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器，其包括：一半导体材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光电二极管，其形成于该半导体材料中，自该受照表面延伸以接收穿过该受照表面之一入射光，其中该所接收入射光在该光电二极管中产生电荷；一转移闸极，其电耦合至该光电二极管以回应于一转移信号而自该光电二极管转移该等所产生电荷；一浮动扩散区，其电耦合至该转移闸极以接收自该光电二极管转移之该等电荷；一近红外线(NIR)量子效率(QE)增强结构，其在该光电二极管之一区域内包括至少两个NIR QE增强组件，其中该NIR QE增强结构经组态以借由绕射、偏转及反射之至少一者来修改该半导体材料之该受照表面处之该入射光以重新分布该光电二极管内之该入射光以提高该影像传感器之一光学敏感度(其包含近红外光敏感度)。

    具有改良接觸區之背側照明影像感測器
    5.
    发明专利
    具有改良接觸區之背側照明影像感測器 审中-公开
    具有改良接触区之背侧照明影像传感器

    公开(公告)号：TW201842658A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107104478

    申请日：2018-02-08

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  楊存宇 ,  YANG, CUNYU ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  葉菁 ,  YE, JING ,  高喜峰 ,  GAO, XI-FENG ,  邢家明 ,  XING, JIAMING

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 一種影像感測器包含具有一前側及與該前側對置之一背側之一半導體材料。該影像感測器亦包含一淺溝渠隔離(STI)結構、一層間介電質、一金屬間介電質，及一接觸區。該STI結構自該半導體材料之該前側延伸至該半導體材料中。該層間介電質係安置於該半導體材料之該前側與該金屬間介電質之間。該接觸區經安置接近於該半導體材料之一橫向邊緣。該接觸區包含經安置於該金屬間介電質內之一金屬互連件，以及至少部分地經安置於該層間介電質內之複數個接觸插塞。該接觸區亦包含一接觸墊。該複數個接觸插塞係耦合於該接觸墊與該金屬互連件之間。

    简体摘要： 一种影像传感器包含具有一前侧及与该前侧对置之一背侧之一半导体材料。该影像传感器亦包含一浅沟渠隔离(STI)结构、一层间介电质、一金属间介电质，及一接触区。该STI结构自该半导体材料之该前侧延伸至该半导体材料中。该层间介电质系安置于该半导体材料之该前侧与该金属间介电质之间。该接触区经安置接近于该半导体材料之一横向边缘。该接触区包含经安置于该金属间介电质内之一金属互连件，以及至少部分地经安置于该层间介电质内之复数个接触插塞。该接触区亦包含一接触垫。该复数个接触插塞系耦合于该接触垫与该金属互连件之间。

    雙源極隨耦器像素單元架構
    7.
    发明专利
    雙源極隨耦器像素單元架構 审中-公开
    双源极随耦器像素单元架构

    公开(公告)号：TW201347529A

    公开(公告)日：2013-11-16

    申请号：TW102110533

    申请日：2013-03-25

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 楊存宇 ,  YANG, CUNYU ,  羅狄絲 霍華E ,  RHODES, HOWARD E.

    IPC分类号： H04N5/335 ,  H04N5/374

    CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/357 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3745

    摘要： 本發明提供用於提供包括兩個源極隨耦器電晶體之一像素單元的技術。在一實施例中，一像素單元之一第一源極隨耦器電晶體與該像素單元之一第二源極隨耦器電晶體彼此並聯地耦合，其中該等源極隨耦器電晶體各自經由其各別閘極耦合至該像素單元之一浮動擴散節點。在另一實施例中，該第一源極隨耦器電晶體及第二源極隨耦器電晶體各自基於該浮動擴散節點之一電壓進行操作以提供一放大信號之一各別分量，其中該像素單元基於該放大信號輸出一類比信號。

    简体摘要： 本发明提供用于提供包括两个源极随耦器晶体管之一像素单元的技术。在一实施例中，一像素单元之一第一源极随耦器晶体管与该像素单元之一第二源极随耦器晶体管彼此并联地耦合，其中该等源极随耦器晶体管各自经由其各别闸极耦合至该像素单元之一浮动扩散节点。在另一实施例中，该第一源极随耦器晶体管及第二源极随耦器晶体管各自基于该浮动扩散节点之一电压进行操作以提供一放大信号之一各别分量，其中该像素单元基于该放大信号输出一模拟信号。