公开(公告)号：TW201143076A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW100113932

申请日：2011-04-21

申请人： 新力股份有限公司

发明人： 出羽恭子 ,  原田耕一

IPC分类号： H01L ,  H04N

CPC分类号： H01L31/02162 ,  H01L27/14625 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/35563 ,  H04N9/045 ,  H04N2209/045

摘要： 一種固態影像裝置包含:一半導體基板,其具有一光接收表面,該光接收表面針對配置成一矩陣之其上形成有光電二極體之紅色、綠色、藍色及白色像素而分段;若干彩色濾光器,其等在至該等紅色、綠色及藍色像素之各別形成區域之該等光電二極體之光入射路徑中形成於該半導體基板上,且分別透射紅色、綠色及藍色波長區域中之光;及若干光致變色膜,其等在至該等白色像素中之至少某些白色像素之形成區域中之該等光電二極體之光入射路徑中形成於該半導體基板上,且含有一光致變色材料,該光致變色材料具有回應於一預定波長區域中之入射光强度而變化之透光度,其中該等光致變色膜之該透光度之一半週期係短於作為其中相對於所有像素讀出在該等像素中所獲得之像素信號之一週期之一個圖框。

简体摘要： 一种固态影像设备包含:一半导体基板,其具有一光接收表面,该光接收表面针对配置成一矩阵之其上形成有光电二极管之红色、绿色、蓝色及白色像素而分段;若干彩色滤光器,其等在至该等红色、绿色及蓝色像素之各别形成区域之该等光电二极管之光入射路径中形成于该半导体基板上,且分别透射红色、绿色及蓝色波长区域中之光;及若干光致变色膜,其等在至该等白色像素中之至少某些白色像素之形成区域中之该等光电二极管之光入射路径中形成于该半导体基板上,且含有一光致变色材料,该光致变色材料具有回应于一预定波长区域中之入射光强度而变化之透光度,其中该等光致变色膜之该透光度之一半周期系短于作为其中相对于所有像素读出在该等像素中所获得之像素信号之一周期之一个图框。

公开(公告)号：TW200925670A

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：TW097140029

申请日：2008-10-17

申请人： 富士軟片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION

发明人： 菊地智幸 KIKUCHI, TOMOYUKI ,  吉林光司 YOSHIBAYASHI, MITSUJI

IPC分类号： G02B ,  H04N

CPC分类号： G02B5/201 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162 ,  H04N9/04

摘要： 本發明之課題在於提供一種彩色濾光片及具備它之固體攝像裝置10,其特徵在於:在載體12上形成含有由Ti、Ta、Zn與Zr所選出之至少一種金屬的氧化物層16,在含有該金屬氧化物之層上形成著色層18,藉由乾蝕刻以去除該著色層之部分,而形成彩色濾光片圖案。藉此,在載體上設置有含有由Ti、Ta、Zn與Zr所選出之至少一種金屬的氧化物層,隔著含有該金屬氧化物之層而形成有著色層。

简体摘要： 本发明之课题在于提供一种彩色滤光片及具备它之固体摄像设备10,其特征在于:在载体12上形成含有由Ti、Ta、Zn与Zr所选出之至少一种金属的氧化物层16,在含有该金属氧化物之层上形成着色层18,借由干蚀刻以去除该着色层之部分,而形成彩色滤光片图案。借此,在载体上设置有含有由Ti、Ta、Zn与Zr所选出之至少一种金属的氧化物层,隔着含有该金属氧化物之层而形成有着色层。

公开(公告)号：TW200907519A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097114419

申请日：2008-04-18

申请人： 坎畢歐科技公司 CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

发明人： 曼弗埃 海德克 HEIDECKER, MANFRED ,  皮耶 馬可 艾勒蒙 ALLEMAND, PIERRE-MARC ,  麥可A 史派德 SPAID, MICHAEL A. ,  代海霞 DAI, HAIXIA

IPC分类号： G02F ,  H05K ,  H01L

CPC分类号： H01B1/02 ,  B22F1/0022 ,  B22F3/002 ,  B22F2001/0029 ,  B22F2998/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G02F1/13439 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02162 ,  H05K1/097 ,  B22F1/0025

摘要： 本發明描述增强基於導電奈米結構之透明導體之對比率的方法。藉由經由電鍍該等導電奈米結構接著蝕刻或氧化下伏導電奈米結構之步驟而減少該等奈米結構之光散射及反射性來顯著地改良對比率。

简体摘要： 本发明描述增强基于导电奈米结构之透明导体之对比率的方法。借由经由电镀该等导电奈米结构接着蚀刻或氧化下伏导电奈米结构之步骤而减少该等奈米结构之光散射及反射性来显着地改良对比率。

公开(公告)号：TW200834905A

公开(公告)日：2008-08-16

申请号：TW096144682

申请日：2007-11-26

申请人： 凸版印刷股份有限公司 TOPPAN PRINTING CO., LTD.

发明人： 山本克己 YAMAMOTO, KATSUMI

IPC分类号： H01L ,  H04N

CPC分类号： H01L27/14627 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02325

摘要： 一種固態攝像裝置,係具備:基板,二維地配置有複數個光電轉換元件,且表面具有對應於複數個光電轉換元件之矩形受光面;平坦化層,係設於此基板上,且具有形成於與該受光面對應之位置的大致矩形之複數個凹曲面;及濾色片,係被埋入此平坦化層之該凹曲面內,並含有具有比該平坦化層還大的折射率之複數顏色之著色層,該著色層係具有凸透鏡之功能。

简体摘要： 一种固态摄像设备,系具备:基板,二维地配置有复数个光电转换组件,且表面具有对应于复数个光电转换组件之矩形受光面;平坦化层,系设于此基板上,且具有形成于与该受光面对应之位置的大致矩形之复数个凹曲面;及滤色片,系被埋入此平坦化层之该凹曲面内,并含有具有比该平坦化层还大的折射率之复数颜色之着色层,该着色层系具有凸透镜之功能。

公开(公告)号：TW200608061A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：TW094121549

申请日：2005-06-28

申请人： 凸版印刷股份有限公司 TOPPAN PRINTING CO., LTD.

发明人： 福吉健藏 FUKUYOSHI, KENZO ,  北村智史 KITAMURA, SATOSHI

IPC分类号： G02B

CPC分类号： G02B5/201 ,  G02B3/0018 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/14621 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02327 ,  H04N9/045

摘要： 本發明的實施例中，攝影元件(1)具備：濾光器(filter)(2B)，用於抽出入射光中預定的顏色成分；受光元件(3B)，係經由濾光器(2B)觀測入射光；校正濾光器(2B1k)，係於可視光波長區具有抑制透射特性，並於靠近可視光波長區之長波長側的波長區具有透射特性；以及校正受光元件(3B1K)，係經由校正濾光器(2B1k)觀測入射光，以用於校正受光元件(3B)之觀測結果。

简体摘要： 本发明的实施例中，摄影组件(1)具备：滤光器(filter)(2B)，用于抽出入射光中预定的颜色成分；受光组件(3B)，系经由滤光器(2B)观测入射光；校正滤光器(2B1k)，系于可视光波长区具有抑制透射特性，并于靠近可视光波长区之长波长侧的波长区具有透射特性；以及校正受光组件(3B1K)，系经由校正滤光器(2B1k)观测入射光，以用于校正受光组件(3B)之观测结果。

公开(公告)号：TW200539449A

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：TW094116042

申请日：2005-05-18

申请人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 松山久 MATSUYAMA, HISASHI ,  北村勇也 KITAMURA, ISAYA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G01J1/04 ,  G01J1/0209 ,  G01J1/0492 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/18

摘要： 本發明提供一種可以排除不必要的紅外線光，且能提高可靠性的光電轉換裝置。本發明的光電轉換裝置包括：在表面形成了光電轉換元件的半導體基板(30)；以覆蓋半導體基板(30)表面的至少一部分方式設置的可見光濾波器(34)；黏接在半導體基板(30)表面的上部支撐基體(42)；而於上部支撐基體(42)用吸收紅外線光的樹脂層(42b)黏接多個具有透光性的基體(42a)。

简体摘要： 本发明提供一种可以排除不必要的红外线光，且能提高可靠性的光电转换设备。本发明的光电转换设备包括：在表面形成了光电转换组件的半导体基板(30)；以覆盖半导体基板(30)表面的至少一部分方式设置的可见光滤波器(34)；黏接在半导体基板(30)表面的上部支撑基体(42)；而于上部支撑基体(42)用吸收红外线光的树脂层(42b)黏接多个具有透光性的基体(42a)。

公开(公告)号：TW200537698A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：TW094109517

申请日：2005-03-28

申请人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： 昂得特傑格 JAEGER, ARNDT ,  彼得史陶茲 STAUSS, PETER ,  雷納溫迪契 WINDISCH, REINER

IPC分类号： H01L ,  G01J

CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  Y02E10/544

摘要： 一種輻射偵測器，其係依據預定的光譜敏感度分佈(9)來偵測輻射(8)，該預定的光譜敏感度分佈(9)在一預定的波長λ0時具有最大值，此輻射偵測器包含一種半導體本體(1)，其具有一用來產生該偵測器信號–且用來接收輻射之活性區(5)，其中活性區(5)依據一種實施形式包含多個功能層(4a,4b,4c,4d)，其中各功能層具有不同的能帶間隙及／或厚度且各功能層至少一部份可吸收波長範圍大於λ0之輻射。依據另一實施形式，活性區之後配置一種濾波器層結構(70)，其包含至少一濾波器層(7，7a,7b,7c)，其中濾波器層結構(70)藉由波長範圍小於λ0之輻射的吸收以依據該預定的光譜敏感度分佈(9)來決定該偵測器敏感度(10)之短波長側(101)之特性。此外，設計一種輻射偵測器以依據人類眼睛之光譜敏感度分佈(9)來偵測輻射(8)。半導體本體可以單石方式積體化而成。

简体摘要： 一种辐射侦测器，其系依据预定的光谱敏感度分布(9)来侦测辐射(8)，该预定的光谱敏感度分布(9)在一预定的波长λ0时具有最大值，此辐射侦测器包含一种半导体本体(1)，其具有一用来产生该侦测器信号–且用来接收辐射之活性区(5)，其中活性区(5)依据一种实施形式包含多个功能层(4a,4b,4c,4d)，其中各功能层具有不同的能带间隙及／或厚度且各功能层至少一部份可吸收波长范围大于λ0之辐射。依据另一实施形式，活性区之后配置一种滤波器层结构(70)，其包含至少一滤波器层(7，7a,7b,7c)，其中滤波器层结构(70)借由波长范围小于λ0之辐射的吸收以依据该预定的光谱敏感度分布(9)来决定该侦测器敏感度(10)之短波长侧(101)之特性。此外，设计一种辐射侦测器以依据人类眼睛之光谱敏感度分布(9)来侦测辐射(8)。半导体本体可以单石方式积体化而成。

公开(公告)号：TW200505041A

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：TW093118801

申请日：2004-06-28

申请人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： 湯尼亞伯瑞特 ALBRECHT, TONY ,  彼得布瑞克 BRICK, PETER ,  格蘭-葉慈普藍 PLAINE, GLENN-YVES ,  馬克菲利平斯 PHILIPPENS, MARC

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L31/02162 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

摘要： 一種接收輻射用之半導體本體，其在至少二個接觸層(6，7)之間具有至少一吸收輻射用之活性區(2)且接收一種波長範圍在λ1和λ2之間之電磁輻射，其中λ2＞λ1。該半導體本體包含一種介於該活性區(2)和一輻射－射入面(9)之間之濾波層(5)。該活性區(2)偵測電磁輻射，其具有之波長小於λ2。該濾波層(5)吸收電磁輻射，其具有之波長小於λ1。該濾波層(5)可透過一種波長大於λ1之電磁輻射。

简体摘要： 一种接收辐射用之半导体本体，其在至少二个接触层(6，7)之间具有至少一吸收辐射用之活性区(2)且接收一种波长范围在λ1和λ2之间之电磁辐射，其中λ2＞λ1。该半导体本体包含一种介于该活性区(2)和一辐射－射入面(9)之间之滤波层(5)。该活性区(2)侦测电磁辐射，其具有之波长小于λ2。该滤波层(5)吸收电磁辐射，其具有之波长小于λ1。该滤波层(5)可透过一种波长大于λ1之电磁辐射。

公开(公告)号：TW523922B

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：TW090104358

申请日：2001-02-26

申请人： 奧林柏士光學工業股份有限公司

发明人： 中城泰生

IPC分类号： H04N ,  H01L

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02325 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之小型攝影模組為獲得安裝作業的容易，成本的降低，具有基板；攝影用半導體裝置晶片；鏡框體；紅外光遮光用濾光器；透鏡與光圈；透明構件；及，膠黏劑。上述基板是含陶瓷等非金屬製所成者。上述攝影用半導體裝置晶片係含安裝於上述基板上的二維C-MOS圖像‧感測器等。上述鏡框體係安裝於上述基板上內含上述攝影用半導體裝置晶片者。上述紅外光遮光用濾光器、透鏡及光圈係相對於上述鏡框體分別安裝。上述透明構件係位於上述基板與上述鏡框體之間，設置可保護上述攝影用半導體裝置晶片的表面部。上述膠黏劑係設置可覆蓋上述攝影用半導體裝置晶片之周邊部的電極片，且同時接合上述透明構件之周邊部。

简体摘要： 本发明之小型摄影模块为获得安装作业的容易，成本的降低，具有基板；摄影用半导体设备芯片；镜框体；红外光遮光用滤光器；透镜与光圈；透明构件；及，胶黏剂。上述基板是含陶瓷等非金属制所成者。上述摄影用半导体设备芯片系含安装于上述基板上的二维C-MOS图像‧传感器等。上述镜框体系安装于上述基板上内含上述摄影用半导体设备芯片者。上述红外光遮光用滤光器、透镜及光圈系相对于上述镜框体分别安装。上述透明构件系位于上述基板与上述镜框体之间，设置可保护上述摄影用半导体设备芯片的表面部。上述胶黏剂系设置可覆盖上述摄影用半导体设备芯片之周边部的电极片，且同时接合上述透明构件之周边部。

公开(公告)号：TW436885B

公开(公告)日：2001-05-28

申请号：TW088116096

申请日：1999-09-17

申请人： 英特爾公司

发明人： 英瑟.亞撒迪 ,  康南.瑞

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/14627 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02327 ,  H04N1/0311 ,  H04N5/2254

摘要： 可以形成經改良填充因素的光敏裝置陣列，其係藉由包括可以具有梯狀構形的衍射性微透鏡所形成。微透鏡可以由具有光起始劑的氣溶膠材料，或其他材料形成，可以在形成其可以利用一般用在光阻層的低溫技術成型。尤其，可以使用灰階光罩來界定出數個在所得微透鏡內的梯狀體，其具有不同衍射特徵。

简体摘要： 可以形成经改良填充因素的光敏设备数组，其系借由包括可以具有梯状构形的衍射性微透镜所形成。微透镜可以由具有光起始剂的气溶胶材料，或其他材料形成，可以在形成其可以利用一般用在光阻层的低温技术成型。尤其，可以使用灰阶光罩来界定出数个在所得微透镜内的梯状体，其具有不同衍射特征。