-
公开(公告)号:TWI621587B
公开(公告)日:2018-04-21
申请号:TW105118376
申请日:2016-06-13
发明人: 王江濤 , WANG, JIANG-TAO , 夏炳煜 , XIA, BING-YU , 柳鵬 , LIU, PENG , 魏洋 , WEI, YANG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC分类号: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0226 , C01B32/16 , C23C16/4418 , C23C16/46 , C23C16/52 , Y10S977/742 , Y10S977/843
-
公开(公告)号:TW201814767A
公开(公告)日:2018-04-16
申请号:TW106123667
申请日:2017-07-14
发明人: 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 春本将彦 , HARUMOTO, MASAHIKO , 田中裕二 , TANAKA, YUJI
IPC分类号: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC分类号: B82Y30/00 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要: 一種基板處理方法,係可以使用定向自組裝技術來形成缺陷較少的圖案。 形成有由定向自組裝材料所構成的處理膜的基板W係載置於內建預備加熱機構22的保持板21上來預備加熱。基板W之周邊係形成為低氧氛圍。預備加熱溫度係藉由二種類之聚合物所構成的定向自組裝材料相位分離的溫度。藉由預備加熱處理膜就能使二種類之聚合物相位分離而形成微細的圖案。又,藉由一邊預備加熱處理膜,一邊從閃光燈FL對該處理膜照射閃光,就能提高構成處理膜的聚合物之流動性且可以一邊抑制缺陷之發生一邊形成微細的圖案。
简体摘要: 一种基板处理方法,系可以使用定向自组装技术来形成缺陷较少的图案。 形成有由定向自组装材料所构成的处理膜的基板W系载置于内置预备加热机构22的保持板21上来预备加热。基板W之周边系形成为低氧氛围。预备加热温度系借由二种类之聚合物所构成的定向自组装材料相位分离的温度。借由预备加热处理膜就能使二种类之聚合物相位分离而形成微细的图案。又,借由一边预备加热处理膜,一边从闪光灯FL对该处理膜照射闪光,就能提高构成处理膜的聚合物之流动性且可以一边抑制缺陷之发生一边形成微细的图案。
-
公开(公告)号:TW201814083A
公开(公告)日:2018-04-16
申请号:TW106103429
申请日:2017-02-02
发明人: 柯奈普 大衛 , KNAPP, DAVID , 黃 賽門 , HUANG, SIMON , 安瑟斯 傑佛瑞W , ANTHIS, JEFFREY W. , 克勞司 菲利浦亞倫 , KRAUS, PHILIP ALAN , 湯普森 大衛 , THOMPSON, DAVID
IPC分类号: C23F1/12 , B08B7/00 , H01J37/32 , H01L21/033
CPC分类号: H01L21/0332 , B82Y30/00 , C08K3/04 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/0206 , H01L21/0335 , H01L21/0337
摘要: 多個實施例包括處理硬遮罩的方法,該方法包括形成摻混碳硬遮罩,該摻混碳硬遮罩覆於下層上方。一實施例中,該摻混碳硬遮罩是以金屬碳填充物摻混。該實施例進一步包括圖案化該摻混碳硬遮罩且將該摻混碳硬遮罩之圖案轉移到該下層中。根據一實施例,該方法可進一步包括:從該摻混碳硬遮罩移除該金屬碳填充物的金屬成分,而形成多孔碳硬遮罩。之後,可移除該多孔硬遮罩。一實施例中,該金屬碳填充物的金屬成分可包括:使處理氣體流進腔室,而使該金屬碳填充物的金屬成分揮發。
简体摘要: 多个实施例包括处理硬遮罩的方法,该方法包括形成掺混碳硬遮罩,该掺混碳硬遮罩覆于下层上方。一实施例中,该掺混碳硬遮罩是以金属碳填充物掺混。该实施例进一步包括图案化该掺混碳硬遮罩且将该掺混碳硬遮罩之图案转移到该下层中。根据一实施例,该方法可进一步包括:从该掺混碳硬遮罩移除该金属碳填充物的金属成分,而形成多孔碳硬遮罩。之后,可移除该多孔硬遮罩。一实施例中,该金属碳填充物的金属成分可包括:使处理气体流进腔室,而使该金属碳填充物的金属成分挥发。
-
公开(公告)号:TWI621300B
公开(公告)日:2018-04-11
申请号:TW105101716
申请日:2011-09-29
发明人: 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 森若圭惠 , MORIWAKA, TAMAE , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 野元邦治 , NOMOTO, KUNIHARU , 三輪託也 , MIWA, TAKUYA
IPC分类号: H01M4/583 , H01M10/052
CPC分类号: H01M4/5825 , B82Y30/00 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/364 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2220/30 , Y02T10/7011
-
公开(公告)号:TWI620215B
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW103109506
申请日:2014-03-14
发明人: 艾瑪頓 瑪蒙德N , ALMADHOUN, MAHMOUD N. , 艾許拉法 艾洛 , ELSHURAFA, AMRO , 薩拉瑪 卡哈雷 , SALAMA, KHALED , 艾爾沙瑞福 胡山 , ALSHAREEF, HUSAM
-
公开(公告)号:TWI617513B
公开(公告)日:2018-03-11
申请号:TW099122681
申请日:2010-07-09
发明人: 艾波懷特 理查J , APPLEWHITE, RICHARD JONATHAN , 摩里森 詹姆斯D , MORRISON, JAMES DAVID , 鈕頓 毛里斯S , NEWTON, MAURICE SYDNEY , 羅德 尼格爾P , RHODES, NIGEL PETER , 里凱德 克里斯多夫J , RICKARD, CHRISTOPHER JOHN
CPC分类号: A61K33/26 , A61K6/04 , A61K9/143 , A61K9/1611 , A61K9/1682 , A61K33/06 , A61K33/10 , A61K45/06 , B82Y30/00 , C01G49/009 , C01P2002/22 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , A61K2300/00
-
公开(公告)号:TWI616989B
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW104114300
申请日:2015-05-05
申请人: 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 考迪洛 羅曼 , CAUDILLO, ROMAN , 艾維可 尤嘉 , AVCI, UYGAR E.
CPC分类号: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02227 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/0405 , H01L21/044 , H01L23/29 , H01L23/53276 , H01L23/5329 , H01L27/088 , H01L29/42364 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/66984 , H01L29/7391 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
-
公开(公告)号:TW201807249A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW105126226
申请日:2016-08-17
发明人: 陳學仕 , CHEN, HSUEH-SHIH , 何士融 , HO, SHIH-JUNG , 葉常偉 , YEH, CHANG-WEI
CPC分类号: B01J14/00 , B01D21/262 , B01J4/008 , B01J19/0013 , B01J19/0066 , B01J19/06 , B01J2204/007 , B01J2219/00063 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01P2004/64 , C09K11/883 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/95
摘要: 不同於習知技術利用深入管將前驅物溶液注入反應槽之中,本發明係以經特別尺寸設計的一反應主體、複數個注射模組、一攪拌模組、一熱交換模組、以及一電動閘閥模組組成一非接觸式反應裝置。使用此非接觸式反應裝置進行奈米晶生產流程時,係可以藉由電動閘閥模組之控制,進而促使不同的注射模組基於不同的注射壓力將至少一種的前驅物溶液注入至該反應空間之內的一特定位置;此時,搭配以一驅動控制器控制該攪拌模組以一特定速度轉動,係可使得被注入的前驅物溶液與容置於該反應主體的反應空間之內的一待反應溶液能夠快速地均勻混合成一混合溶液,藉以加快奈米晶的生成速率。
简体摘要: 不同于习知技术利用深入管将前驱物溶液注入反应槽之中,本发明系以经特别尺寸设计的一反应主体、复数个注射模块、一搅拌模块、一热交换模块、以及一电动闸阀模块组成一非接触式反应设备。使用此非接触式反应设备进行奈米晶生产流程时,系可以借由电动闸阀模块之控制,进而促使不同的注射模块基于不同的注射压力将至少一种的前驱物溶液注入至该反应空间之内的一特定位置;此时,搭配以一驱动控制器控制该搅拌模块以一特定速度转动,系可使得被注入的前驱物溶液与容置于该反应主体的反应空间之内的一待反应溶液能够快速地均匀混合成一混合溶液,借以加快奈米晶的生成速率。
-
公开(公告)号:TW201807083A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW106110972
申请日:2017-03-31
申请人: 大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION
发明人: 渡邊嗣夫 , WATANABE, TSUGIO
IPC分类号: C09C1/62 , C09C3/08 , B82Y30/00 , B22F1/02 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/52 , B41M1/12 , B41M1/30 , H05K3/12
CPC分类号: B22F1/00 , B22F1/02 , B41M1/30 , B82Y30/00 , C09C3/08 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/52 , H05K3/12
摘要: 提供一種印墨,其係可用於使用網版印刷法製造電子零件的用途之印墨,其可藉由網版印刷而描繪高精度的細線,且可連續地進行網版印刷。 本發明的網版印刷用印墨含有下述表面修飾銀奈米粒子(A)及下述溶劑(B),黏度(在25℃、剪切率10(1/s)下)為60Pa.s以上。 表面修飾銀奈米粒子(A):具有銀奈米粒子的表面被包含胺的保護劑被覆的構成。 溶劑(B):至少包含萜烯系溶劑,且沸點小於130℃的溶劑的含量為溶劑總量的20重量%以下。
简体摘要: 提供一种印墨,其系可用于使用网版印刷法制造电子零件的用途之印墨,其可借由网版印刷而描绘高精度的细线,且可连续地进行网版印刷。 本发明的网版印刷用印墨含有下述表面修饰银奈米粒子(A)及下述溶剂(B),黏度(在25℃、剪切率10(1/s)下)为60Pa.s以上。 表面修饰银奈米粒子(A):具有银奈米粒子的表面被包含胺的保护剂被覆的构成。 溶剂(B):至少包含萜烯系溶剂,且沸点小于130℃的溶剂的含量为溶剂总量的20重量%以下。
-
公开(公告)号:TWI613261B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW102119889
申请日:2013-06-05
发明人: 約根斯 福克 , JUERGENS, VOLKER , 布萊德 亞歷山大 , BREYDER, ALEXANDER , 梅爾許 法蘭克 , MERSCH, FRANK , 布律摩 錫福瑞德 , BLUEMEL, SIEGFRIED , 史密特 福克 , SCHMITT, VOLKER
CPC分类号: C09C1/3661 , B82Y30/00 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/60 , C01P2006/62 , C09C1/3653 , C09C3/06 , C09C3/063 , C09D7/62 , D21H21/28 , D21H21/285 , D21H27/28
-
-
-
-
-
-
-
-
-