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公开(公告)号：TWI598429B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105131057
申请日：2016-09-26
发明人： 林欣穎 , LIN, SHIN YING , 王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 湯安慈 , TANG, AN CIH , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG , 李育群 , LEE, YU CHUN , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN
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公开(公告)号：TWI577935B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102139968
申请日：2013-11-04
发明人： 楊光能 , YANG, KUANGNENG , 吳坤樺 , WU, KUNHUA , 陳若翔 , CHEN, JOHSIANG , 何岱樺 , HO, TAIHUA , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG , 林志豪 , LIN, CHIHHAO
CPC分类号： F21V9/30 , F21K9/20 , F21K9/64 , F21Y2103/00 , F21Y2115/10
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公开(公告)号：TW201539798A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103113249
申请日：2014-04-10
发明人： 盧昱昕 , LU, YUHSIN , 郭政達 , KUO, CHENGTA , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
摘要： 一種覆晶式發光二極體封裝體，包含光源體與反射層。光源體包含發光二極體晶片與波長轉換層。發光二極體晶片具有晶片頂面、晶片底面及鄰接該晶片頂面及晶片底面並環繞發光二極體晶片之晶片側表面，發光二極體晶片具有二電極，設於晶片底面。波長轉換層對應地設於晶片頂面，具有出光面及環繞波長轉換層之波長轉換層側表面，其中晶片側表面及波長轉換層側表面定義為光源體側表面。反射層環繞並包覆該光源體側表面，且裸露出出光面及二電極。
简体摘要： 一种覆晶式发光二极管封装体，包含光源体与反射层。光源体包含发光二极管芯片与波长转换层。发光二极管芯片具有芯片顶面、芯片底面及邻接该芯片顶面及芯片底面并环绕发光二极管芯片之芯片侧表面，发光二极管芯片具有二电极，设于芯片底面。波长转换层对应地设于芯片顶面，具有出光面及环绕波长转换层之波长转换层侧表面，其中芯片侧表面及波长转换层侧表面定义为光源体侧表面。反射层环绕并包覆该光源体侧表面，且裸露出出光面及二电极。
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公开(公告)号：TW201531650A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103104517
申请日：2014-02-12
发明人： 薛芳昌 , HSUEH, FANG CHANG , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 蘇信綸 , SU, HSIN LUN , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
IPC分类号： F21V5/04 , F21V9/08 , F21S2/00 , F21Y101/02
摘要： 發光裝置包括透光基板及發光元件。透光基板包括依序堆疊之一折射率為N1之第一透光層、一折射率為N2之第二透光層及一折射率為N3之第三透光層，且第三透光層包括一裸露出第二透光層表面的凹部。發光元件設於凹部內，且具有一面對裸露出的第二透光層的底出光面。發光元件之折射率為Nchip。空氣之折射率定義為Nair，其中Nchip>N2>N1,N3>Nair。
简体摘要： 发光设备包括透光基板及发光组件。透光基板包括依序堆栈之一折射率为N1之第一透光层、一折射率为N2之第二透光层及一折射率为N3之第三透光层，且第三透光层包括一裸露出第二透光层表面的凹部。发光组件设于凹部内，且具有一面对裸露出的第二透光层的底出光面。发光组件之折射率为Nchip。空气之折射率定义为Nair，其中Nchip>N2>N1,N3>Nair。
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公开(公告)号：TW201518659A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102139968
申请日：2013-11-04
发明人： 楊光能 , YANG, KUANGNENG , 吳坤樺 , WU, KUNHUA , 陳若翔 , CHEN, JOHSIANG , 何岱樺 , HO, TAIHUA , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG , 林志豪 , LIN, CHIHHAO
IPC分类号： F21V9/00 , G02B5/02 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V9/30 , F21K9/20 , F21K9/64 , F21Y2103/00 , F21Y2115/10
摘要： 一種發光裝置包含一波長轉換裝置。此波長轉換裝置包含一中空管以及一波長轉換物質。中空管具有一容置腔。波長轉換物質係位於容置腔中。
简体摘要： 一种发光设备包含一波长转换设备。此波长转换设备包含一中空管以及一波长转换物质。中空管具有一容置腔。波长转换物质系位于容置腔中。
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公开(公告)号：TW201435451A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109265
申请日：2013-03-15
发明人： 楊光能 , YANG, KUANGNENG , 吳坤樺 , WU, KUNHUA , 陳若翔 , CHEN, JOHSIANG , 林志豪 , LIN, CHIHHAO , 許哲瑋 , HSU, CHEWEI , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： G02F1/13357 , H05K13/00
CPC分类号： H01L25/0753 , G02B6/0083 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一種發光元件包含一導熱板、一本體、複數發光二極體晶片、一第一連接器以及一第二連接器。導熱板包括有一固晶區及與固晶區相對的一散熱區。本體環繞導熱板，且本體包括有一相對的第一本體表面以及一第二本體表面。第一本體表面包括有一內凹之凹部，裸露出固晶區。第二本體表面則包括有一開口，裸露出散熱區。發光二極體晶片係設置於固晶區上。第一連接器及第二連接器分別設置於本體上，可供輸入一外部電源或與其他連接器插拔性地連接。發光二極體晶片電性連接第一連接器及第二連接器中的極性輸入端。
简体摘要： 一种发光组件包含一导热板、一本体、复数发光二极管芯片、一第一连接器以及一第二连接器。导热板包括有一固晶区及与固晶区相对的一散热区。本体环绕导热板，且本体包括有一相对的第一本体表面以及一第二本体表面。第一本体表面包括有一内凹之凹部，裸露出固晶区。第二本体表面则包括有一开口，裸露出散热区。发光二极管芯片系设置于固晶区上。第一连接器及第二连接器分别设置于本体上，可供输入一外部电源或与其他连接器插拔性地连接。发光二极管芯片电性连接第一连接器及第二连接器中的极性输入端。
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公开(公告)号：TW201725255A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100255
申请日：2016-01-06
发明人： 周文理 , ZHOU, WEN-LI , 吳偉綸 , WU, WEI LUN , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 李育群 , LEE, YU CHUN , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： C09K11/665 , C30B7/14 , C30B29/12
摘要： 本發明提供一種螢光粉的製備方法，包括：(a)提供一第一溶液，此第一溶液係將六氟鍺酸鉀(K2GeF6)及六氟錳二鉀(K2MnF6)或過錳酸鉀(KMnO4)溶於氫氟酸溶液所形成；(b)添加一無水乙醇至第一溶液中，使六氟鍺酸鉀(K2GeF6)、氫氟酸、及六氟錳二鉀(K2MnF6)或過錳酸鉀(KMnO4)之氟離子總濃度≦48M以形成一沉澱物；以及(c)於步驟(b)之後，收集沉澱物。本發明亦提供一種由所述方法製備之螢光粉、調控其晶相的方法及使其產生相轉變的方法。
简体摘要： 本发明提供一种萤光粉的制备方法，包括：(a)提供一第一溶液，此第一溶液系将六氟锗酸钾(K2GeF6)及六氟锰二钾(K2MnF6)或过锰酸钾(KMnO4)溶于氢氟酸溶液所形成；(b)添加一无水乙醇至第一溶液中，使六氟锗酸钾(K2GeF6)、氢氟酸、及六氟锰二钾(K2MnF6)或过锰酸钾(KMnO4)之氟离子总浓度≦48M以形成一沉淀物；以及(c)于步骤(b)之后，收集沉淀物。本发明亦提供一种由所述方法制备之萤光粉、调控其晶相的方法及使其产生相转变的方法。
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公开(公告)号：TW201718824A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104137680
申请日：2015-11-16
发明人： 金葉 , JIN, YE , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： C09K11/617 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014
摘要： 本發明提供一種氟化物螢光粉的製備方法，包括：(a)提供一第一溶液，第一溶液係將氟化鉀(KF)及六氟錳二鉀(K2MnF6)或過錳酸鉀(KMnO4)溶於氫氟酸溶液所形成；(b)提供一第二溶液，第二溶液係將一界面活性劑和一矽烷(silane)混合所形成；(c)混合第一溶液及第二溶液進行反應，以形成一沉澱物；以及(d)於步驟(c)之後，收集沉澱物。其中，所述步驟(a)至(c)係於室溫下進行。本發明亦提供一種由所述方法製造之氟化物螢光粉，及包含其之發光裝置與背光模組。
简体摘要： 本发明提供一种氟化物萤光粉的制备方法，包括：(a)提供一第一溶液，第一溶液系将氟化钾(KF)及六氟锰二钾(K2MnF6)或过锰酸钾(KMnO4)溶于氢氟酸溶液所形成；(b)提供一第二溶液，第二溶液系将一界面活性剂和一硅烷(silane)混合所形成；(c)混合第一溶液及第二溶液进行反应，以形成一沉淀物；以及(d)于步骤(c)之后，收集沉淀物。其中，所述步骤(a)至(c)系于室温下进行。本发明亦提供一种由所述方法制造之氟化物萤光粉，及包含其之发光设备与背光模块。
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公开(公告)号：TW201533928A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106011
申请日：2014-02-24
发明人： 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 張亞銜 , CHANG, YA HSIEN , 王德忠 , WANG, TE CHUNG , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 本發明揭露一種發光二極體封裝體的製造方法，包括提供一透明基板。在透明基板內形成複數通孔電極。在透明基板上形成複數導電墊，以與對應的通孔電極電性連接。將複數發光二極體晶片設置於透明基板上，且電性連接至對應的導電墊。本發明亦揭露一種發光二極體封裝體。
简体摘要： 本发明揭露一种发光二极管封装体的制造方法，包括提供一透明基板。在透明基板内形成复数通孔电极。在透明基板上形成复数导电垫，以与对应的通孔电极电性连接。将复数发光二极管芯片设置于透明基板上，且电性连接至对应的导电垫。本发明亦揭露一种发光二极管封装体。
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公开(公告)号：TWI565102B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104113645
申请日：2015-04-29
发明人： 薛芳昌 , HSUEH, FANG CHANG , 林裕閔 , LIN, YU MIN , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： H01L27/15 , F21K9/23 , F21K9/232 , F21V3/00 , F21Y2101/00 , F21Y2105/16 , F21Y2115/10 , G02B6/0073 , H01L25/0753 , H01L33/36 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/58
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