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公开(公告)号：TW201816078A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105135067
申请日：2016-10-28
发明人： 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 戴文婉 , TAI, WEN WAN , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
摘要： 波長轉換膜片及應用其之發光裝置與顯示器。波長轉換膜片包括經Mn4+活化的氟化物螢光粉。經Mn4+活化的氟化物螢光粉含有片狀結晶體且具有化學通式A2[MF6]：Mn4+。A為Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或上述之組合。M為Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述之組合。
简体摘要： 波长转换膜片及应用其之发光设备与显示器。波长转换膜片包括经Mn4+活化的氟化物萤光粉。经Mn4+活化的氟化物萤光粉含有片状结晶体且具有化学通式A2[MF6]：Mn4+。A为Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或上述之组合。M为Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述之组合。
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公开(公告)号：TW201810733A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105118389
申请日：2016-06-13
发明人： 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSUAN , 張書修 , CHANG, HSU HSIU , 蘇信綸 , SU, HSIN LUN , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： H01L33/20 , H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/58 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要： 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法。發光二極體晶片級封裝結構包括發光二極體晶片及透鏡。透鏡覆蓋發光二極體晶片。透鏡之外表面的剖面的曲線實質上符合多項式： 對應發光二極體晶片的曲線的中心點為y-z座標軸之原點。z為曲線之縱軸變數。y為曲線之橫軸變數。ai為第i項次的係數。n>3。
简体摘要： 发光二极管芯片级封装结构、直下式背光模块及发光设备的制造方法。发光二极管芯片级封装结构包括发光二极管芯片及透镜。透镜覆盖发光二极管芯片。透镜之外表面的剖面的曲线实质上符合多项式： 对应发光二极管芯片的曲线的中心点为y-z座标轴之原点。z为曲线之纵轴变量。y为曲线之横轴变量。ai为第i项次的系数。n>3。
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公开(公告)号：TWI610470B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105118389
申请日：2016-06-13
发明人： 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSUAN , 張書修 , CHANG, HSU HSIU , 蘇信綸 , SU, HSIN LUN , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： H01L33/20 , H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/58 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
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公开(公告)号：TW201711231A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104129508
申请日：2015-09-07
发明人： 陳若翔 , CHEN, JO SHUNG , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2224/16245 , H01L2933/0066
摘要： 發光二極體封裝件包括導線架、反射杯及晶粒。導線架由無銀的材料製成。反射杯具有凹部。晶粒採用覆晶倒置設於且電連接於導線架且位於凹部內。
简体摘要： 发光二极管封装件包括导线架、反射杯及晶粒。导线架由无银的材料制成。反射杯具有凹部。晶粒采用覆晶倒置设于且电连接于导线架且位于凹部内。
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公开(公告)号：TWI539632B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW102139967
申请日：2013-11-04
发明人： 許文杰 , HSU, WENCHIEH , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/44
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公开(公告)号：TW201517309A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138494
申请日：2013-10-24
发明人： 許乃偉 , HSU, NAIWEI , 王德忠 , WANG, TECHUNG , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/40
摘要： 一種發光二極體結構包含基板、N型半導體層、發光層、P型半導體層、複合導電層、第一電極與第二電極。N型半導體層位於基板上。發光層位於部分N型半導體層上。P型半導體層位於發光層上。複合導電層具有依序堆疊的第一導電層、第二導電層與第三導電層，其中第一導電層接合於P型半導體層上，且第一導電層的阻值大於第三導電層的阻值。第一電極位於第三導電層上。第二電極位於未被發光層覆蓋的N型半導體層上。
简体摘要： 一种发光二极管结构包含基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、复合导电层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于基板上。发光层位于部分N型半导体层上。P型半导体层位于发光层上。复合导电层具有依序堆栈的第一导电层、第二导电层与第三导电层，其中第一导电层接合于P型半导体层上，且第一导电层的阻值大于第三导电层的阻值。第一电极位于第三导电层上。第二电极位于未被发光层覆盖的N型半导体层上。
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公开(公告)号：TWI699426B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW108105875
申请日：2019-02-21
发明人： 包真 , BAO, ZHEN , 曾于芮 , TSENG, YU JUI , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN , 王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
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公开(公告)号：TWI652329B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW105133722
申请日：2016-10-19
发明人： 王仁宏 , WANG, REN HONG , 周文理 , ZHOU, WEN-LI , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 戴文婉 , TAI, WEN WAN , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
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公开(公告)号：TW201720909A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105131057
申请日：2016-09-26
发明人： 林欣穎 , LIN, SHIN YING , 王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 湯安慈 , TANG, AN CIH , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG , 李育群 , LEE, YU CHUN , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN
摘要： 波長轉換材料及其應用。波長轉換材料包括全無機鈣鈦礦量子點，其具有化學通式CsPb(ClaBr1-a-bIt)3，其中0a1，0b1。
简体摘要： 波长转换材料及其应用。波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点，其具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIt)3，其中0a1，0b1。
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公开(公告)号：TW201718825A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105132612
申请日：2016-10-07
发明人： 王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 張學杰 , ZHANG, XUE-JIE , 林欣穎 , LIN, SHIN YING , 湯安慈 , TANG, AN CIH , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG , 李育群 , LEE, YU CHUN , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN
摘要： 量子點複合材料及其製造方法與應用。量子點複合材料包括全無機鈣鈦礦量子點及修飾性保護。全無機鈣鈦礦量子點具有化學通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0a1，0b1。修飾性保護在全無機鈣鈦礦量子點的表面上。
简体摘要： 量子点复合材料及其制造方法与应用。量子点复合材料包括全无机钙钛矿量子点及修饰性保护。全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0a1，0b1。修饰性保护在全无机钙钛矿量子点的表面上。
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