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公开(公告)号：TWI452112B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW101130701
申请日：2005-07-05
申请人： 克立公司 , CREE, INC.
发明人： 尼格利 葛瑞德H , NEGLEY, GERALD H. , 梁 麥可 , LEUNG, MICHAEL
CPC分类号： H01L33/501 , H01L2933/0041
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公开(公告)号：TW201422772A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102131047
申请日：2013-08-29
申请人： 沃克斯泰公司 , VOXTEL, INC.
发明人： 舒茲 大衛 , SCHUT, DAVID M. , 杜比 查理斯 , DUPUY, CHARLES G. , 威廉 喬治 , WILLIAMS, GEORGE M. , 艾倫 湯瑪士 , ALLEN, THOMAS L.
CPC分类号： G02F1/3526 , B82Y20/00
摘要： 一種光學上行轉換性奈米材料，其包括奈米晶體、直接結合至該奈米晶體之配位子層，及直接或間接結合至該奈米晶體之光學天線。該奈米晶體包括對光學波長展現上行轉換的摻雜過渡金屬之材料。該摻雜過渡金屬的材料包括促進能量轉移之過渡金屬摻雜劑及(不一定不同)發射體過渡金屬摻雜劑，其中該促進能量轉移之過渡金屬摻雜劑的吸收光譜與該光學天線的發射光譜重疊。該光學上行轉換性奈米材料具有至少一個小於150 nm範圍的線性維度(例如，寬度或厚度)。
简体摘要： 一种光学上行转换性奈米材料，其包括奈米晶体、直接结合至该奈米晶体之配位子层，及直接或间接结合至该奈米晶体之光学天线。该奈米晶体包括对光学波长展现上行转换的掺杂过渡金属之材料。该掺杂过渡金属的材料包括促进能量转移之过渡金属掺杂剂及(不一定不同)发射体过渡金属掺杂剂，其中该促进能量转移之过渡金属掺杂剂的吸收光谱与该光学天线的发射光谱重叠。该光学上行转换性奈米材料具有至少一个小于150 nm范围的线性维度(例如，宽度或厚度)。
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公开(公告)号：TW201422765A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102138792
申请日：2013-10-25
发明人： 庫爾 洛羅夫 , KOOLE, ROELOF , 席克麥 李費特 莫斯塔法 , HIKMET, RIFAT MUSTAFA , 巴斯傑 派翠克 約翰 , BAESJOU, PATRICK JOHN , 波莫 瑪賽爾 林內 , BOHMER, MARCEL RENE
IPC分类号： C09K11/00 , C08L83/04 , H01L31/055 , G02F1/13357
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08J5/005 , C08J2383/06 , C09K11/883 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , Y02E10/52 , Y10S977/774 , Y10S977/779 , Y10S977/897 , Y10S977/95
摘要： 本發明提供一種用於製造包含包埋光轉換器奈米粒子於其中之矽氧烷聚合物基質之光轉換器的方法，該方法包括(a)將(i)具有經接枝配位體接枝之外表面之光轉換器奈米粒子與(ii)可固化矽氧烷聚合物混合，及(b)固化該等可固化矽氧烷聚合物，因而製得該光轉換器；其中該等接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基；其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；及其中x1為至少20，其中y1為至少2，及其中x1/y1≧0.8。
简体摘要： 本发明提供一种用于制造包含包埋光转换器奈米粒子于其中之硅氧烷聚合物基质之光转换器的方法，该方法包括(a)将(i)具有经接枝配位体接枝之外表面之光转换器奈米粒子与(ii)可固化硅氧烷聚合物混合，及(b)固化该等可固化硅氧烷聚合物，因而制得该光转换器；其中该等接枝配位体包括具有x1个Si主链元素之硅氧烷接枝配位体，其中各硅氧烷接枝配位体之至少一个Si主链元素包含具有接枝官能度之侧基；其中该等可固化硅氧烷聚合物具有y1个Si主链元素；及其中x1为至少20，其中y1为至少2，及其中x1/y1≧0.8。
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公开(公告)号：TW201406922A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101133569
申请日：2012-09-13
发明人： 謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
摘要： 一種螢光粉，包括螢光粉顆粒以及罩設於螢光粉顆粒外的矽殼體，矽殼體通過氣體層與螢光粉顆粒隔開。
简体摘要： 一种萤光粉，包括萤光粉颗粒以及罩设于萤光粉颗粒外的硅壳体，硅壳体通过气体层与萤光粉颗粒隔开。
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公开(公告)号：TWI421446B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW096131207
申请日：2007-08-23
申请人： 克里公司 , CREE, INC.
CPC分类号： H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032
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公开(公告)号：TW201324006A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101142760
申请日：2012-11-16
发明人： 謝志勇 , HSIEH, CHIH YUNG , 陳建宏 , CHEN, CHIEN HUNG
IPC分类号： G02F1/1347 , G02F1/1341 , G02F1/1335 , C09K11/00
CPC分类号： G02F1/133533 , G02F1/137 , G02F1/1393 , G02F1/1396 , G02F2001/134318 , G02F2202/30
摘要： 本發明提供一種液晶顯示裝置。上述液晶顯示裝置包括一第一基板，其具有至少一畫素單元，上述畫素單元係具有一畫素電極；一第二基板，其具有一對向電極；一第一偏光片，設置於上述第一基板下方；一第二偏光片，設置於上述第二基板上方，且其偏光軸與上述第一偏光片之偏光軸互為垂直；一摻入手性劑之液晶層，設置於上述第一基板與上述第二基板之間，其中摻入手性劑之上述液晶層具有負色散特性。
简体摘要： 本发明提供一种液晶显示设备。上述液晶显示设备包括一第一基板，其具有至少一像素单元，上述像素单元系具有一像素电极；一第二基板，其具有一对向电极；一第一偏光片，设置于上述第一基板下方；一第二偏光片，设置于上述第二基板上方，且其偏光轴与上述第一偏光片之偏光轴互为垂直；一掺入手性剂之液晶层，设置于上述第一基板与上述第二基板之间，其中掺入手性剂之上述液晶层具有负色散特性。
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公开(公告)号：TWI390762B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095126794
申请日：2006-07-21
申请人： 昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K.
发明人： 五味秀二 , GOMI, SHUJI , 篠崎研二 , SHINOZAKI, KENJI
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公开(公告)号：TW201309088A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101125269
申请日：2012-07-13
发明人： 和邇浩一 , WANI, KOICHI , 岩倉章貴 , IWAKURA, FUMITAKA , 西川拓 , NISHIKAWA, TAKU
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/584
摘要： 本發明係提供耐濕性優異、並具有高發光特性之分散型EL用螢光體。本發明之分散型EL用螢光體(41)係在母體粒子(411)的表面上被覆有氧化物介電質微粒子(412)。氧化物介電質微粒子(412)係粒徑小於可見光的波長，且折射率係與母體粒子(411)同程度，且相對介電常數高於母體粒子(411)的材料。
简体摘要： 本发明系提供耐湿性优异、并具有高发光特性之分散型EL用萤光体。本发明之分散型EL用萤光体(41)系在母体粒子(411)的表面上被覆有氧化物介电质微粒子(412)。氧化物介电质微粒子(412)系粒径小于可见光的波长，且折射率系与母体粒子(411)同程度，且相对介电常数高于母体粒子(411)的材料。
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公开(公告)号：TWI698843B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107142337
申请日：2018-11-27
申请人： 友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人： 陳宏易 , CHEN, HUNG-YI , 劉韻宜 , LIU, YUN-I
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公开(公告)号：TWI693310B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107146036
申请日：2018-12-20
发明人： 江日升 , CHIANG, RIH-SHENG , 賴偉仁 , LAI, WEI-JEN , 宋憶青 , SUNG, YI-CHING , 張勝善 , CHANG, SHENG-SHAN , 劉昭暉 , LIU, CHAO-HUEI
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