PTC裝置
    51.
    发明专利
    PTC裝置 审中-公开
    PTC设备

    公开(公告)号:TW201303914A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:TW101115548

    申请日:2012-05-02

    IPC分类号: H01C1/144 H01C7/02

    摘要: 本發明提供一種新穎PTC裝置,其具有擠出之焊錫膏及/或環氧樹脂之剩餘部分不致影響治具的構造。此種PTC裝置30具有PTC元件32及電性連接於其兩側之導線34,36而構成,PTC元件具有PTC要素38及配置於其兩側之金屬電極40,42而構成,各導線經由導電性連接部50而電性連接於PTC元件之各個金屬電極,至少一方之導線36具有凹部,該凹部係藉由與PTC元件之金屬電極鄰近而設置的底部,及包圍將該導線連接於金屬電極之導電性連接部側方周圍的壁部46來規定。

    简体摘要: 本发明提供一种新颖PTC设备,其具有挤出之焊锡膏及/或环氧树脂之剩余部分不致影响治具的构造。此种PTC设备30具有PTC组件32及电性连接于其两侧之导线34,36而构成,PTC组件具有PTC要素38及配置于其两侧之金属电极40,42而构成,各导线经由导电性连接部50而电性连接于PTC组件之各个金属电极,至少一方之导线36具有凹部,该凹部系借由与PTC组件之金属电极邻近而设置的底部,及包围将该导线连接于金属电极之导电性连接部侧方周围的壁部46来规定。

    開孔定阻式晶片電阻器及其製法
    52.
    发明专利
    開孔定阻式晶片電阻器及其製法 有权
    开孔定阻式芯片电阻器及其制法

    公开(公告)号:TWI367502B

    公开(公告)日:2012-07-01

    申请号:TW096123656

    申请日:2007-06-29

    发明人: 蔡榮澤

    IPC分类号: H01C

    摘要: 一種開孔定阻式晶片電阻器及其製法,係藉一結合層相對結合一基材與一具有中央開孔之金屬片,並利用一保護層覆蓋至該金屬片局部表面,以使該金屬片表面未覆蓋該保護層之部份區隔成二電極區,俾排除習知技術不必要的電流傳導阻抗、有效穩定減小電阻溫度係數(TCR),而基材與金屬片的結合設計則可排除習知技術使用半導體製程之高成本缺點,達易於製造、提昇製程良率與降低成本之效。

    简体摘要: 一种开孔定阻式芯片电阻器及其制法,系藉一结合层相对结合一基材与一具有中央开孔之金属片,并利用一保护层覆盖至该金属片局部表面,以使该金属片表面未覆盖该保护层之部份区隔成二电极区,俾排除习知技术不必要的电流传导阻抗、有效稳定减小电阻温度系数(TCR),而基材与金属片的结合设计则可排除习知技术使用半导体制程之高成本缺点,达易于制造、提升制程良率与降低成本之效。

    含可切換電壓介電材料之元件 COMPONENTS HAVING VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC MATERIALS
    53.
    发明专利
    含可切換電壓介電材料之元件 COMPONENTS HAVING VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC MATERIALS 审中-公开
    含可切换电压介电材料之组件 COMPONENTS HAVING VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC MATERIALS

    公开(公告)号:TW201110833A

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:TW099109245

    申请日:2010-03-26

    IPC分类号: H05K H01C

    摘要: 本發明係關於提供可防止亂真電事件(例如,靜電放電)之結構及裝置之各種態樣。某些實施例併入橋接兩導電墊片間之間隙之可切換電壓介電材料(VSDM)。在正常絕緣下,於亂真電事件期間,VSDM可將電流自一墊片傳導至另一墊片(例如,將電流分流至地面)。某些態樣包括具有間隙寬度大於連接於墊片之電導線間之間隔之50%之間隙。某些裝置包括單層VSDM。某些裝置包含多層VSDM。各種裝置可經設計以提高(VSDM之)有效體積對無效體積之比。

    简体摘要: 本发明系关于提供可防止乱真电事件(例如,静电放电)之结构及设备之各种态样。某些实施例并入桥接两导电垫片间之间隙之可切换电压介电材料(VSDM)。在正常绝缘下,于乱真电事件期间,VSDM可将电流自一垫片传导至另一垫片(例如,将电流分流至地面)。某些态样包括具有间隙宽度大于连接于垫片之电导线间之间隔之50%之间隙。某些设备包括单层VSDM。某些设备包含多层VSDM。各种设备可经设计以提高(VSDM之)有效体积对无效体积之比。

    開孔定阻式晶片電阻器及其製法
    54.
    发明专利
    開孔定阻式晶片電阻器及其製法 审中-公开
    开孔定阻式芯片电阻器及其制法

    公开(公告)号:TW200901235A

    公开(公告)日:2009-01-01

    申请号:TW096123656

    申请日:2007-06-29

    IPC分类号: H01C

    摘要: 一種開孔定阻式晶片電阻器及其製法,係藉一結合層相對結合一基材與一具有中央開孔之金屬片,並利用一保護層覆蓋至該金屬片局部表面,以使該金屬片表面未覆蓋該保護層之部份區隔成二電極區,俾排除習知技術不必要的電流傳導阻抗、有效穩定減小電阻溫度係數(TCR),而基材與金屬片的結合設計則可排除習知技術使用半導體製程之高成本缺點,達易於製造、提昇製程良率與降低成本之效。

    简体摘要: 一种开孔定阻式芯片电阻器及其制法,系藉一结合层相对结合一基材与一具有中央开孔之金属片,并利用一保护层覆盖至该金属片局部表面,以使该金属片表面未覆盖该保护层之部份区隔成二电极区,俾排除习知技术不必要的电流传导阻抗、有效稳定减小电阻温度系数(TCR),而基材与金属片的结合设计则可排除习知技术使用半导体制程之高成本缺点,达易于制造、提升制程良率与降低成本之效。

    晶片電阻器及其製造方法
    55.
    发明专利
    晶片電阻器及其製造方法 审中-公开
    芯片电阻器及其制造方法

    公开(公告)号:TW200713341A

    公开(公告)日:2007-04-01

    申请号:TW095132935

    申请日:2006-09-06

    IPC分类号: H01C

    摘要: 本發明的晶片電阻器(1)是由:構成晶片型的絕緣基板(2);形成於絕緣基板(2)的兩端之一對的端子電極(3,4);在絕緣基板(2)的表面並列配置於一對的端子電極(3,4)之間而形成的複數個電阻膜(5);及在絕緣基板(2)的表面以能夠覆蓋各電阻膜(5)之方式形成的表護層;等所構成。又,晶片電阻器(1)是由一方的端子電極(3)會在絕緣基板(2)的表面以能夠按每個電阻膜(5)來獨立連接之方式形成的個別上面電極(8)、及在絕緣基板(2)的一方的側面以能夠連接至各個別上面電極(8)的全部之方式形成的側面電極(9)所構成。

    简体摘要: 本发明的芯片电阻器(1)是由:构成芯片型的绝缘基板(2);形成于绝缘基板(2)的两端之一对的端子电极(3,4);在绝缘基板(2)的表面并列配置于一对的端子电极(3,4)之间而形成的复数个电阻膜(5);及在绝缘基板(2)的表面以能够覆盖各电阻膜(5)之方式形成的表护层;等所构成。又,芯片电阻器(1)是由一方的端子电极(3)会在绝缘基板(2)的表面以能够按每个电阻膜(5)来独立连接之方式形成的个别上面电极(8)、及在绝缘基板(2)的一方的侧面以能够连接至各个别上面电极(8)的全部之方式形成的侧面电极(9)所构成。

    裝置及其製造方法 DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    56.
    发明专利
    裝置及其製造方法 DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    设备及其制造方法 DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

    公开(公告)号:TWI246374B

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:TW093136658

    申请日:2004-11-26

    IPC分类号: H05K H01L

    摘要: 在一種製造一裝置的方法中,首先提供複數個元件,各元件具有至少一第一終端區域(102)。此外,提供具有第一表面(108)的支持件(106),而複數個凹槽(1121…1124)乃形成於其內。將所提供的元件(100)插入至該等凹槽(1121…1124)內,使得各元件(100)的第一終端區域(102)面向支持件(106)的第一表面(108);將導電材料施加在支持件(106)的第一表面(108)上,使得導電材料(116)與各元件(100)的第一終端區域(102)接觸。最後,分割該支持件以獲得各別的裝置。

    简体摘要: 在一种制造一设备的方法中,首先提供复数个组件,各组件具有至少一第一终端区域(102)。此外,提供具有第一表面(108)的支持件(106),而复数个凹槽(1121…1124)乃形成于其内。将所提供的组件(100)插入至该等凹槽(1121…1124)内,使得各组件(100)的第一终端区域(102)面向支持件(106)的第一表面(108);将导电材料施加在支持件(106)的第一表面(108)上,使得导电材料(116)与各组件(100)的第一终端区域(102)接触。最后,分割该支持件以获得各别的设备。

    裝置及其製造方法 DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    57.
    发明专利
    裝置及其製造方法 DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    设备及其制造方法 DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

    公开(公告)号:TW200518651A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:TW093136658

    申请日:2004-11-26

    IPC分类号: H05K H01L

    摘要: 在一種製造一裝置的方法中,首先提供複數個元件,各元件具有至少一第一終端區域(102)。此外,提供具有第一表面(108)的支持件(106),而複數個凹槽(1121…1124)乃形成於其內。將所提供的元件(100)插入至該等凹槽(1121…1124)內,使得各元件(100)的第一終端區域(102)面向支持件(106)的第一表面(108);將導電材料施加在支持件(106)的第一表面(108)上,使得導電材料(116)與各元件(100)的第一終端區域(102)接觸。最後,分割該支持件以獲得各別的裝置。

    简体摘要: 在一种制造一设备的方法中,首先提供复数个组件,各组件具有至少一第一终端区域(102)。此外,提供具有第一表面(108)的支持件(106),而复数个凹槽(1121…1124)乃形成于其内。将所提供的组件(100)插入至该等凹槽(1121…1124)内,使得各组件(100)的第一终端区域(102)面向支持件(106)的第一表面(108);将导电材料施加在支持件(106)的第一表面(108)上,使得导电材料(116)与各组件(100)的第一终端区域(102)接触。最后,分割该支持件以获得各别的设备。

    可復式過電流保護裝置及其製造方法 RECOVERABLE OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
    58.
    发明专利
    可復式過電流保護裝置及其製造方法 RECOVERABLE OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME 失效
    可复式过电流保护设备及其制造方法 RECOVERABLE OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

    公开(公告)号:TW200428420A

    公开(公告)日:2004-12-16

    申请号:TW092115677

    申请日:2003-06-10

    IPC分类号: H01C

    CPC分类号: H01C17/006 H01C1/142 H01C7/13

    摘要: 本發明係一種可復式過電流保護裝置。該裝置的主要特徵在於:保護裝置主結構電極之成形切割區域端面保留未連接空間,僅於成形切割區域端面之一端或兩端製作部份連接保護裝置主結構電極,以增加該可復式過電流保護裝置之使用壽命,並使其製造方法便於實施。本發明並提供一種可復式過電流保護裝置之製造方法,該方法的特徵在於從一高分子為主要材料之板材切割出複數個元件,並於該元件上製作出該可復式過電流保護裝置,以節省材料成本。

    简体摘要: 本发明系一种可复式过电流保护设备。该设备的主要特征在于:保护设备主结构电极之成形切割区域端面保留未连接空间,仅于成形切割区域端面之一端或两端制作部份连接保护设备主结构电极,以增加该可复式过电流保护设备之使用寿命,并使其制造方法便于实施。本发明并提供一种可复式过电流保护设备之制造方法,该方法的特征在于从一高分子为主要材料之板材切割出复数个组件,并于该组件上制作出该可复式过电流保护设备,以节省材料成本。

    多晶片電阻器之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-CHIP RESISTOR
    59.
    发明专利
    多晶片電阻器之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-CHIP RESISTOR 失效
    多芯片电阻器之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-CHIP RESISTOR

    公开(公告)号:TW200302494A

    公开(公告)日:2003-08-01

    申请号:TW092100721

    申请日:2003-01-14

    IPC分类号: H01C

    摘要: 多晶片電阻器藉以下之方法製造。於基板第1面形成多數第1電極層,再於基板之第1面形成分別與第1電極層電性連接之多數電阻體。之後將用以分離第1電極層之多數狹縫形成於基板,接著形成端面電極,而該端面電極係形成於基板之狹縫之端面且連接於接近多數第1電極層之狹縫之端面。再利用多數狹縫切斷基板以分離為多數薄長方形基板。最後除去端面電極之部分使多數電阻體彼此不導通。藉該製造方法,可使薄長方形基板上之多數端面電極之尺寸精度向上提升,藉此可確保端面電極間之絕緣距離。因此,可降低將電阻器封裝於封裝基板時之封裝不良。

    简体摘要: 多芯片电阻器借以下之方法制造。于基板第1面形成多数第1电极层,再于基板之第1面形成分别与第1电极层电性连接之多数电阻体。之后将用以分离第1电极层之多数狭缝形成于基板,接着形成端面电极,而该端面电极系形成于基板之狭缝之端面且连接于接近多数第1电极层之狭缝之端面。再利用多数狭缝切断基板以分离为多数薄长方形基板。最后除去端面电极之部分使多数电阻体彼此不导通。藉该制造方法,可使薄长方形基板上之多数端面电极之尺寸精度向上提升,借此可确保端面电极间之绝缘距离。因此,可降低将电阻器封装于封装基板时之封装不良。

    用於晶片電阻器終端電極之導電糊組合物
    60.
    发明专利
    用於晶片電阻器終端電極之導電糊組合物 失效
    用于芯片电阻器终端电极之导电煳组合物

    公开(公告)号:TW533433B

    公开(公告)日:2003-05-21

    申请号:TW086108882

    申请日:1997-12-03

    发明人: 稻葉旭 芝田寬

    IPC分类号: H01B

    摘要: 本發明係提供一種導電糊組合物,其為一種使用銀系導體成分之導電糊組合物,其能夠形成具有足夠導電性及黏著強度之晶片電阻器終端電極,且其中包括軟銲可潤溼性及抗銲錫浸濾之所有性質存有良好之平衡。
    因此,在供晶片電阻器終端電極用之導電糊組合物中,一種供晶片電阻器終端電極用之導電糊組合物係包含作為導電成分之金屬粉末、無機黏結劑、導電無機填料及媒液:該充作導電成分之金屬粉末包括銀粉、鈀粉、銀-鉑合金粉末、或至少兩種此等粉末之混合物,該無機黏結劑係包括玻璃黏結劑,該導電性無機填料包括選自錫、銥、銠、釕及錸金屬之二元氧化物及/或焦綠石及/或硼化物。

    简体摘要: 本发明系提供一种导电煳组合物,其为一种使用银系导体成分之导电煳组合物,其能够形成具有足够导电性及黏着强度之芯片电阻器终端电极,且其中包括软焊可润湿性及抗焊锡浸滤之所有性质存有良好之平衡。 因此,在供芯片电阻器终端电极用之导电煳组合物中,一种供芯片电阻器终端电极用之导电煳组合物系包含作为导电成分之金属粉末、无机黏结剂、导电无机填料及媒液:该充作导电成分之金属粉末包括银粉、钯粉、银-铂合金粉末、或至少两种此等粉末之混合物,该无机黏结剂系包括玻璃黏结剂,该导电性无机填料包括选自锡、铱、铑、钌及铼金属之二元氧化物及/或焦绿石及/或硼化物。