公开(公告)号：TW201321889A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101139079

申请日：2012-10-23

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 岡藤大雄 ,  OKAFUJI, DAIYU ,  山崎裕之 ,  YAMAZAKI, HIROYUKI ,  竹內正樹 ,  TAKEUCHI, MASAKI

IPC分类号： G03F1/70

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B1/00 ,  B24B5/50 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  B24B9/08 ,  B24B37/02 ,  B24B37/04 ,  G03F1/60 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479

摘要： 一種半導體用玻璃基板，在半導體用玻璃基板之至少一方的面具有未貫通孔、溝槽或段差，在未貫通孔、溝槽或段差之側面和基板之具有未貫通孔、溝槽或段差的面之間存在第1倒角部，上述未貫通孔、溝槽或段差之側面及底面為鏡面，而且上述第1倒角部為鏡面。依據本發明可提供一種半導體用合成石英玻璃基板，是在製造IC等時很重要的光微影法所使用之光罩基板用合成石英玻璃基板、奈米壓印用模具基板等之具有未貫通孔、溝槽或段差的半導體用玻璃基板，其形狀精度高，具有底面及側面為鏡面之未貫通孔、溝槽或段差，在未貫通孔、溝槽或段差不容易發生裂痕及缺口，且具有高強度及高清淨度。

简体摘要： 一种半导体用玻璃基板，在半导体用玻璃基板之至少一方的面具有未贯通孔、沟槽或段差，在未贯通孔、沟槽或段差之侧面和基板之具有未贯通孔、沟槽或段差的面之间存在第1倒角部，上述未贯通孔、沟槽或段差之侧面及底面为镜面，而且上述第1倒角部为镜面。依据本发明可提供一种半导体用合成石英玻璃基板，是在制造IC等时很重要的光微影法所使用之光罩基板用合成石英玻璃基板、奈米压印用模具基板等之具有未贯通孔、沟槽或段差的半导体用玻璃基板，其形状精度高，具有底面及侧面为镜面之未贯通孔、沟槽或段差，在未贯通孔、沟槽或段差不容易发生裂痕及缺口，且具有高强度及高清净度。

公开(公告)号：TW201214067A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100121228

申请日：2011-06-17

申请人： 信越化學工業股份有限公司

发明人： 松井晴信 ,  長谷川良平 ,  竹內正樹

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： G03F7/168 ,  B32B38/10 ,  G03F1/14 ,  G03F1/60 ,  G03F7/422 ,  H01L21/00 ,  Y10T156/1116

摘要： 本發明係一種合成石英玻璃基板之處理方法，其特徵為：將於基板表面被覆有抗蝕膜之合成石英玻璃基板，浸漬於溶解有萜烯類之溶劑中以剝離上述抗蝕膜，接著進行該基板之水潤洗。如採用本發明，則可完全去除於半導體光罩或奈米標記蓋印技術中所使用之抗蝕膜。再者，即使於抗蝕膜之上形成有保護膜之情形，仍然可同時去除。由於並非抗蝕膜或保護膜的有機物成分溶解於溶劑中而係會剝離之故，容易回收成為不需要的膜成分，並可長期使用為使其剝離之用的溶劑之同時，可改善有關抗蝕膜或保護膜的去除能力及有關膜之去除之流程作業時間。

简体摘要： 本发明系一种合成石英玻璃基板之处理方法，其特征为：将于基板表面被覆有抗蚀膜之合成石英玻璃基板，浸渍于溶解有萜烯类之溶剂中以剥离上述抗蚀膜，接着进行该基板之水润洗。如采用本发明，则可完全去除于半导体光罩或奈米标记盖印技术中所使用之抗蚀膜。再者，即使于抗蚀膜之上形成有保护膜之情形，仍然可同时去除。由于并非抗蚀膜或保护膜的有机物成分溶解于溶剂中而系会剥离之故，容易回收成为不需要的膜成分，并可长期使用为使其剥离之用的溶剂之同时，可改善有关抗蚀膜或保护膜的去除能力及有关膜之去除之流程作业时间。

公开(公告)号：TW201201249A

公开(公告)日：2012-01-01

申请号：TW100105177

申请日：2011-02-17

申请人： 東京威力科創股份有限公司

发明人： 松井英章 ,  守屋剛 ,  寺澤伸俊 ,  阪上博充

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/302 ,  G03F1/60 ,  G03F1/82 ,  G11B7/261 ,  H01L22/12

摘要： 本發明係提供一種基板內面平坦化方法,可在基板內面不致粗糙化的前提下去除微小傷痕。其係檢測晶圓W內面之傷痕的位置、大小,對已檢測出位置、大小之傷痕選擇性吹送由多數氣體分子所集合形成之氣體分子之集群,而使塗佈於晶圓表面之光阻受到曝光。

简体摘要： 本发明系提供一种基板内面平坦化方法,可在基板内面不致粗糙化的前提下去除微小伤痕。其系检测晶圆W内面之伤痕的位置、大小,对已检测出位置、大小之伤痕选择性吹送由多数气体分子所集合形成之气体分子之集群,而使涂布于晶圆表面之光阻受到曝光。

公开(公告)号：TW201142483A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW100108963

申请日：2011-03-16

申请人： 旭硝子股份有限公司

发明人： 中西博志 ,  生田順亮

IPC分类号： G03F

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958

摘要： 本發明係關於一種EUVL光學構件用基材之製造方法，其係依序實施如下步驟而獲得EUVL光學構件用基材：預研磨步驟，其係對玻璃基板之成膜面及該成膜面之背面進行預研磨；測定步驟，其係測定玻璃基板之最大板厚分佈與平坦度；及修正研磨步驟，其係基於上述測定步驟中之測定結果僅對上述玻璃基板之背面進行局部研磨。

简体摘要： 本发明系关于一种EUVL光学构件用基材之制造方法，其系依序实施如下步骤而获得EUVL光学构件用基材：预研磨步骤，其系对玻璃基板之成膜面及该成膜面之背面进行预研磨；测定步骤，其系测定玻璃基板之最大板厚分布与平坦度；及修正研磨步骤，其系基于上述测定步骤中之测定结果仅对上述玻璃基板之背面进行局部研磨。

公开(公告)号：TW201115264A

公开(公告)日：2011-05-01

申请号：TW099104810

申请日：2010-02-12

申请人： HOYA股份有限公司

发明人： 丸山修 ,  原田和明 ,  赤川裕之

IPC分类号： G03F

CPC分类号： B24B9/065 ,  G03F1/60

摘要： 本發明係提供一種光罩基底用基板、光罩基底及光罩，其係於以表裏2個主表面和4個端面所構成之薄板狀光罩基底用基板上，設置倒角面於端面與主表面之間。主表面係一邊之長度為500mm以上。又，於端面上，設置從鄰接之端面相接之角部沿主表面之邊方向特定長度(邊L4之長度)之範圍的區域之2個角部側區域，與夾於該2個角部側區域間之中央側區域。又，角部側區域之端面為表面粗度Ra為0.5nm以下之鏡面，中央側區域為粗面。

简体摘要： 本发明系提供一种光罩基底用基板、光罩基底及光罩，其系于以表里2个主表面和4个端面所构成之薄板状光罩基底用基板上，设置倒角面于端面与主表面之间。主表面系一边之长度为500mm以上。又，于端面上，设置从邻接之端面相接之角部沿主表面之边方向特定长度(边L4之长度)之范围的区域之2个角部侧区域，与夹于该2个角部侧区域间之中央侧区域。又，角部侧区域之端面为表面粗度Ra为0.5nm以下之镜面，中央侧区域为粗面。

公开(公告)号：TWI336023B

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：TW093121636

申请日：2004-07-20

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  東芝股份有限公司 ,  尼康股份有限公司

发明人： 中津正幸 ,  沼波恒夫 ,  茂木均之 ,  伊藤正光 ,  萩原恒幸 ,  近藤尚人

IPC分类号： G03F

CPC分类号： G03F1/60

摘要： 在一對條狀區延伸在延著光罩圖型將會形成於其上之基材的上表面之外周圍的成對的相對立側邊之每一側邊的內側的2 mm至10 mm處，但排除其長度方向上每一端處2mm邊緣部份之條件下，以水平及垂直方向上0.05至0.35 mm之間隔，量測從該基材上表面上用於條狀區之最小平方平面至條狀區之高度，以及，選取所有量測點中最大與最小高度之間的差不大於0.5μm之基材。

简体摘要： 在一对条状区延伸在延着光罩图型将会形成于其上之基材的上表面之外周围的成对的相对立侧边之每一侧边的内侧的2 mm至10 mm处，但排除其长度方向上每一端处2mm边缘部份之条件下，以水平及垂直方向上0.05至0.35 mm之间隔，量测从该基材上表面上用于条状区之最小平方平面至条状区之高度，以及，选取所有量测点中最大与最小高度之间的差不大于0.5μm之基材。

公开(公告)号：TWI329779B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：TW093121508

申请日：2004-07-19

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  東芝股份有限公司 ,  尼康股份有限公司

发明人： 中津正幸 ,  沼波恒夫 ,  茂木均之 ,  伊藤正光 ,  萩原恒幸 ,  近藤尚人

IPC分类号： G03F

CPC分类号： G03F1/60

摘要： 在每邊至少6吋長的四邊形空白光罩基材中，具有成對的條狀區，成對的條狀區在延著基材的上表面之外周圍的成對相對立側邊之每一側內延伸2至10 mm，排除其長度方向上每一端處2mm邊緣部份，每一條狀區係向下傾向基材的外周圍，以及，從用於條狀區之最小平方平面至條狀區之最大與最小高度之間的差最多為0.5μm。在晶圓曝光時，基材呈現良好的表面平坦度。

简体摘要： 在每边至少6吋长的四边形空白光罩基材中，具有成对的条状区，成对的条状区在延着基材的上表面之外周围的成对相对立侧边之每一侧内延伸2至10 mm，排除其长度方向上每一端处2mm边缘部份，每一条状区系向下倾向基材的外周围，以及，从用于条状区之最小平方平面至条状区之最大与最小高度之间的差最多为0.5μm。在晶圆曝光时，基材呈现良好的表面平坦度。

公开(公告)号：TW201005428A

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW098120004

申请日：2009-06-16

申请人： HOYA股份有限公司

发明人： 笠原比佐志 ,  大久保靖

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： G03F1/38 ,  G03F1/60

摘要： 一種空白光罩用玻璃基板，其係用於製造空白光罩。於製作空白光罩用玻璃基板之轉印圖案之際，在無影響區域之面上形成有標誌，該標誌係以複數凹部表現用於識別或管理空白光罩用玻璃基板之資訊，構成標誌之凹部係其邊緣部為大致圓形之圓孔，鄰接凹部彼此之邊緣部間之距離L1為50μm以上。標誌例如形成於空白光罩用玻璃基板之端面。

简体摘要： 一种空白光罩用玻璃基板，其系用于制造空白光罩。于制作空白光罩用玻璃基板之转印图案之际，在无影响区域之面上形成有标志，该标志系以复数凹部表现用于识别或管理空白光罩用玻璃基板之信息，构成标志之凹部系其边缘部为大致圆形之圆孔，邻接凹部彼此之边缘部间之距离L1为50μm以上。标志例如形成于空白光罩用玻璃基板之端面。

公开(公告)号：TW200942965A

公开(公告)日：2009-10-16

申请号：TW098105330

申请日：2009-02-19

申请人： 旭硝子股份有限公司

发明人： 小野元司 ,  渡邊滿 ,  伊藤正文

IPC分类号： G03F

CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  C03C23/0025 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F1/72 ,  G21K2201/067

摘要： 本發明係用以提供一種用於修勻一EUVL用光學元件之具有一凹缺陷之光學表面的方法。本發明係關於一種用於修勻一EUVL用光學元件之光學表面的方法，其包含使用一通量為0.5至2.0 J/cm 2 、波長250 nm以下之準分子雷射照射一EUV微影(EUVL)用光學元件之該具有一凹缺陷之光學表面，該光學元件由一包含SiO2作為一主成份之含TiO2之氧化矽玻璃材料製成。

简体摘要： 本发明系用以提供一种用于修匀一EUVL用光学组件之具有一凹缺陷之光学表面的方法。本发明系关于一种用于修匀一EUVL用光学组件之光学表面的方法，其包含使用一通量为0.5至2.0 J/cm 2 、波长250 nm以下之准分子激光照射一EUV微影(EUVL)用光学组件之该具有一凹缺陷之光学表面，该光学组件由一包含SiO2作为一主成份之含TiO2之氧化硅玻璃材料制成。

公开(公告)号：TW200932666A

公开(公告)日：2009-08-01

申请号：TW097144514

申请日：2008-11-18

申请人： 羅利斯公司 ROLITH, INC.

发明人： 可布林伯里斯 KOBRIN, BORIS ,  連東伊格 LANDAU, IGOR ,  沃福伯里斯 VOLF, BORIS

IPC分类号： B82B ,  G03F

CPC分类号： B29C33/424 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/24

摘要： 本發明之實施例係關於用於奈米圖案化大面積基材之方法與設備,其中一可旋轉罩幕被用來將一輻射敏感材料予以顯像。典型地,可旋轉罩幕包含一圓筒。奈米圖案化技術利用近場光微影,其中用來圖案化基材之罩幕係與基材動態接觸。近場光微影可以使用彈性相位移罩幕,或可以使用表面電漿子技術,其中旋轉的圓筒表面包含金屬奈米孔洞或奈米微粒。

简体摘要： 本发明之实施例系关于用于奈米图案化大面积基材之方法与设备,其中一可旋转罩幕被用来将一辐射敏感材料予以显像。典型地,可旋转罩幕包含一圆筒。奈米图案化技术利用近场光微影,其中用来图案化基材之罩幕系与基材动态接触。近场光微影可以使用弹性相位移罩幕,或可以使用表面等离子子技术,其中旋转的圆筒表面包含金属奈米孔洞或奈米微粒。