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    藉由使用反射層強化發光二極體的光擷取效率
    81.
    发明专利
    藉由使用反射層強化發光二極體的光擷取效率 审中-公开
    借由使用反射层强化发光二极管的光截取效率

    公开(公告)号：TW201424042A

    公开(公告)日：2014-06-16

    申请号：TW102145486

    申请日：2013-12-11

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 李珍雄 ,  LEE, JIN WOONG ,  金京完 ,  KIM, KYOUNG WAN ,  尹餘鎭 ,  YOON, YEO JIN ,  金艺瑟 ,  KIM, YE SEUL ,  徐德壹 ,  SUH, DUK IL ,  金信亨 ,  KIM, SHIN HYUNG

    IPC分类号： H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

    摘要： 本發明的光擷取效率得到提高的發光二極體包括：半導體積層結構體，其包含形成於基板上的N層、發光層、P層；N型電極，其形成於上述N層；及P型電極，其形成於上述P層；上述發光二極體的特徵在於：上述N型電極及上述P型電極包括焊墊電極與分散電極，且N型電極與上述P型電極中的至少一者於上述分散電極上包含反射光的反射電極層。藉此，發光二極體於電極上包括反射電極層，藉此具有可提高光擷取效率的效果。進而，藉由將反射層圖案化至焊墊部的下部而形成粗糙度，從而具有可提高黏著力的效果。

    简体摘要： 本发明的光截取效率得到提高的发光二极管包括：半导体积层结构体，其包含形成于基板上的N层、发光层、P层；N型电极，其形成于上述N层；及P型电极，其形成于上述P层；上述发光二极管的特征在于：上述N型电极及上述P型电极包括焊垫电极与分散电极，且N型电极与上述P型电极中的至少一者于上述分散电极上包含反射光的反射电极层。借此，发光二极管于电极上包括反射电极层，借此具有可提高光截取效率的效果。进而，借由将反射层图案化至焊垫部的下部而形成粗糙度，从而具有可提高黏着力的效果。

    具有分布式布拉格反射器的發光二極體晶片
    82.
    发明专利
    具有分布式布拉格反射器的發光二極體晶片 审中-公开
    具有分布式布拉格反射器的发光二极管芯片

    公开(公告)号：TW201806182A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106139078

    申请日：2016-07-12

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 金艺瑟 ,  KIM,YE SEUL ,  禹尙沅 ,  WOO,SANG WON ,  金京完 ,  KIM,KYOUNG WAN

    IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/26

    CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/50

    摘要： 公開了一種發光二極體晶片，其包括分布式布拉格反射鏡（DBR），DBR設置在發光結構的一側以便反射從發光結構發射出的光。DBR包括具有低折射率的第一材料層和具有高折射率的第二材料層，其中第一和第二材料層交替地堆疊在彼此之上。關於可見光範圍的中心波長（λ：554nm），DBR包括：第一區域，其中交替地設有光學厚度大於0.25λ+10%的第一材料層的第一組和光學厚度大於0.25λ-10%且小於0.25λ+10%的第一材料層的第二組；第二區域，其包括光學厚度小於0.25λ-10%且連續配置的第一材料層的第三組；和第三區域，其設置在第一區域和第二區域之間且包括光學厚度小於0.25λ-10%的第一材料層和光學厚度大於0.25λ的第一材料層。借助這種結構，即使當光的入射角增大時，DBR也可以防止在阻帶中產生波動。

    简体摘要： 公开了一种发光二极管芯片，其包括分布式布拉格反射镜（DBR），DBR设置在发光结构的一侧以便反射从发光结构发射出的光。DBR包括具有低折射率的第一材料层和具有高折射率的第二材料层，其中第一和第二材料层交替地堆栈在彼此之上。关于可见光范围的中心波长（λ：554nm），DBR包括：第一区域，其中交替地设有光学厚度大于0.25λ+10%的第一材料层的第一组和光学厚度大于0.25λ-10%且小于0.25λ+10%的第一材料层的第二组；第二区域，其包括光学厚度小于0.25λ-10%且连续配置的第一材料层的第三组；和第三区域，其设置在第一区域和第二区域之间且包括光学厚度小于0.25λ-10%的第一材料层和光学厚度大于0.25λ的第一材料层。借助这种结构，即使当光的入射角增大时，DBR也可以防止在阻带中产生波动。

    殺蟲劑薰蒸器
    84.
    发明专利
    殺蟲劑薰蒸器 审中-公开
    杀虫剂薰蒸器

    公开(公告)号：TW201731382A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW106107458

    申请日：2017-03-08

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 高美蘇 ,  KO, MI SO ,  尹餘鎭 ,  YOON, YEO JIN

    IPC分类号： A01M13/00 ,  A01N25/18

    摘要： 本發明涉及一種利用紫外線發光二極體，向薰蒸的殺蟲劑濃度高處引誘蚊子等昆蟲，從而使引誘的蚊子可以被高濃度殺蟲劑立即消滅的殺蟲劑薰蒸器。本發明的殺蟲劑薰蒸器可以包括：藥品安裝部，安裝藥品；加熱部，鄰接上述藥品安裝部進行安裝並加熱，以便藥品在薰蒸部薰蒸；光源，安裝於所述薰蒸部附近並照射引誘昆蟲效率較高的波長的光；以及外殼，上述藥品安裝部、上述加熱部及光源配置於上述外殼內。

    简体摘要： 本发明涉及一种利用紫外线发光二极管，向薰蒸的杀虫剂浓度高处引诱蚊子等昆虫，从而使引诱的蚊子可以被高浓度杀虫剂立即消灭的杀虫剂薰蒸器。本发明的杀虫剂薰蒸器可以包括：药品安装部，安装药品；加热部，邻接上述药品安装部进行安装并加热，以便药品在薰蒸部薰蒸；光源，安装于所述薰蒸部附近并照射引诱昆虫效率较高的波长的光；以及外壳，上述药品安装部、上述加热部及光源配置于上述外壳内。

    含有多孔透明電極的發光二極體
    89.
    发明专利
    含有多孔透明電極的發光二極體 审中-公开
    含有多孔透明电极的发光二极管

    公开(公告)号：TW201624767A

    公开(公告)日：2016-07-01

    申请号：TW104131698

    申请日：2015-09-25

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 申讚燮 ,  SHIN, CHAN SEOB

    IPC分类号： H01L33/42

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/38

    摘要： 本發明公開了一種發光二極體。該發光二極體包括：發光結構，其包括第一導電型半導體層、設置在第一導電型半導體層上的主動層以及設置在主動層上的第二導電型半導體層；以及第一透明電極層，其設置在發光結構上並且具有多個氣隙；第二透明電極層，其設置在第一透明電極層上並且具有形成在第二透明電極層中的多個氣隙，形成在第二透明電極層中的氣隙的數目或者尺寸比形成在第一透明電極層中的氣隙的數目多或者尺寸大；以及電極，其設置在第二透明電極層上。

    简体摘要： 本发明公开了一种发光二极管。该发光二极管包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的主动层以及设置在主动层上的第二导电型半导体层；以及第一透明电极层，其设置在发光结构上并且具有多个气隙；第二透明电极层，其设置在第一透明电极层上并且具有形成在第二透明电极层中的多个气隙，形成在第二透明电极层中的气隙的数目或者尺寸比形成在第一透明电极层中的气隙的数目多或者尺寸大；以及电极，其设置在第二透明电极层上。

    發光設備
    90.
    发明专利
    發光設備 审中-公开
    发光设备

    公开(公告)号：TW201616676A

    公开(公告)日：2016-05-01

    申请号：TW104134471

    申请日：2015-10-21

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 金彰淵 ,  KIM, CHANG YEON ,  朴柱勇 ,  PARK, JU YONG ,  孫成壽 ,  SON, SUNG SU

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/46

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405

    摘要： 本發明提供一種發光設備。所述發光設備包括：發光結構，其包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層、主動層及第一導電型半導體層的上表面的部分暴露區域；透明電極，其設置於第二導電型半導體層上；第一絕緣層，其包括第一開口和第二開口；金屬層，其至少部分覆蓋第一絕緣層；與第一導電型半導體層電連接的第一電極；以及與透明電極電連接的第二電極。本發明能夠防止發光設備的電特性發生惡化，同時能夠改善發光設備的發光效率。

    简体摘要： 本发明提供一种发光设备。所述发光设备包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、主动层及第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域；透明电极，其设置于第二导电型半导体层上；第一绝缘层，其包括第一开口和第二开口；金属层，其至少部分覆盖第一绝缘层；与第一导电型半导体层电连接的第一电极；以及与透明电极电连接的第二电极。本发明能够防止发光设备的电特性发生恶化，同时能够改善发光设备的发光效率。