利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

1504 条记录 (耗时 0.047 秒)

    奈米磷光體轉換量子光子成像器及其製造方法
    4.
    发明专利
    奈米磷光體轉換量子光子成像器及其製造方法 审中-公开
    奈米磷光体转换量子光子成像器及其制造方法

    公开(公告)号：TW201807815A

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：TW106115892

    申请日：2017-05-12

    申请人： 傲思丹度科技公司 ,  OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 艾爾-葛洛力 哈森 S ,  EL-GHOROURY, HUSSEIN S.

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  B82Y20/00

    CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0083 ,  H01S5/026 ,  H04N9/3161

    摘要： 本發明揭示一種包含數位可定址多色微像素之空間陣列之發射固態成像器(SSI)。各像素為包括藍紫色半導體發光二極體之多個光子層之微光學腔。該等光子層中之一者係用於產生在SSI之藍原色之光。該等光子層中之兩者係用於產生紫藍色激發光，用相關聯之奈米磷光體層將其轉換成SSI之綠原色及紅原色。所產生之光經由複數個提取且準直所產生之光之垂直光波導垂直於成像器裝置之平面發射。各像素二極體係個別可定址以使該像素能同時發射在每種顏色之任何所需開/關工作週期與其多色奈米磷光體轉換半導體發光二極體相關聯之顏色之任何組合。

    简体摘要： 本发明揭示一种包含数码可寻址多色微像素之空间数组之发射固态成像器(SSI)。各像素为包括蓝紫色半导体发光二极管之多个光子层之微光学腔。该等光子层中之一者系用于产生在SSI之蓝原色之光。该等光子层中之两者系用于产生紫蓝色激发光，用相关联之奈米磷光体层将其转换成SSI之绿原色及红原色。所产生之光经由复数个提取且准直所产生之光之垂直光波导垂直于成像器设备之平面发射。各像素二极管系个别可寻址以使该像素能同时发射在每种颜色之任何所需开/关工作周期与其多色奈米磷光体转换半导体发光二极管相关联之颜色之任何组合。

    在組裝模組中填充有機或無機液體的方法
    5.
    发明专利
    在組裝模組中填充有機或無機液體的方法 审中-公开
    在组装模块中填充有机或无机液体的方法

    公开(公告)号：TW201806196A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106117106

    申请日：2017-05-24

    申请人： 朱振甫 ,  CHU, CHEN FU

    发明人： 朱振甫 ,  CHU, CHEN FU

    IPC分类号： H01L33/52 ,  H01L27/15

    CPC分类号： H01L33/56 ,  B05C5/0204 ,  B05C9/12 ,  B05C9/14 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L31/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/52 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

    摘要： 本發明描述了一種將可流動材料填充到半導體組件模組之間隙區域中的方法。在一個實施例中，在基板上形成複數半導體單元以產生陣列模組；陣列模組附接到一背板，該背板具有形成半導體組件模組的電路，其中在半導體組件模組內部形成複數個間隙區域，並且間隙區域邊緣形成環繞在組件模組的邊緣；藉由執行高作用壓力環境讓可流動材料強制在間隙區域內，然後固化成穩定的固體以形成牢固結構。通過使用一基板去除程序去除基板來形成半導體轉換模組。通過利用半導體轉換模組上的連接層形成半導體驅動模組。在一個實施例中，形成垂直發光二極體半導體驅動模組來點亮垂直LED陣列。在另一個實施例中，形成複數個顏色發射二極體半導體驅動模組以顯示彩色圖像。在另一個實施例中，形成具有複數個功能半導體驅動模組的複數個圖案的半導體單元，以提供多種功能用於期望應用。

    简体摘要： 本发明描述了一种将可流动材料填充到半导体组件模块之间隙区域中的方法。在一个实施例中，在基板上形成复数半导体单元以产生数组模块；数组模块附接到一背板，该背板具有形成半导体组件模块的电路，其中在半导体组件模块内部形成复数个间隙区域，并且间隙区域边缘形成环绕在组件模块的边缘；借由运行高作用压力环境让可流动材料强制在间隙区域内，然后固化成稳定的固体以形成牢固结构。通过使用一基板去除进程去除基板来形成半导体转换模块。通过利用半导体转换模块上的连接层形成半导体驱动模块。在一个实施例中，形成垂直发光二极管半导体驱动模块来点亮垂直LED数组。在另一个实施例中，形成复数个颜色发射二极管半导体驱动模块以显示彩色图像。在另一个实施例中，形成具有复数个功能半导体驱动模块的复数个图案的半导体单元，以提供多种功能用于期望应用。

    組件及製造組件的方法
    8.
    发明专利
    組件及製造組件的方法 审中-公开
    组件及制造组件的方法

    公开(公告)号：TW201803156A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：TW106107324

    申请日：2017-03-07

    申请人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    发明人： 胡普曼 索菲亞 ,  HUPPMANN, SOPHIA ,  卡茲 西緬 ,  KATZ, SIMEON ,  曾格爾 馬庫斯 ,  ZENGER, MARCUS

    IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

    CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81896 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2933/0016

    摘要： 本發明涉及一種光電組件(50)，具有：半導體本體(10a、10b、10c)，其具有光學活性區(12)；載體(60)；以及多對連接層(30a、30b、30c)，其具有第一連接層(32)和第二連接層(34)，此處：該半導體本體配置在該載體上，第一連接層配置在該半導體本體和該載體之間且與該半導體本體相連接，第二連接層配置在第一連接層和該載體之間，由第一連接層和第二連接層選取的至少一層包含一種可透過輻射的、且可導電的氧化物，第一連接層和第二連接層至少以區域方式在一個或多個連接區中直接互相連接，使該對連接層促成該半導體本體機械地聯結至該載體。此外，本發明涉及一種製造組件的方法。

    简体摘要： 本发明涉及一种光电组件(50)，具有：半导体本体(10a、10b、10c)，其具有光学活性区(12)；载体(60)；以及多对连接层(30a、30b、30c)，其具有第一连接层(32)和第二连接层(34)，此处：该半导体本体配置在该载体上，第一连接层配置在该半导体本体和该载体之间且与该半导体本体相连接，第二连接层配置在第一连接层和该载体之间，由第一连接层和第二连接层选取的至少一层包含一种可透过辐射的、且可导电的氧化物，第一连接层和第二连接层至少以区域方式在一个或多个连接区中直接互相连接，使该对连接层促成该半导体本体机械地联结至该载体。此外，本发明涉及一种制造组件的方法。

    具有穿隧接合層的磊晶結構、p型半導體結構朝上的製程中間結構及其製造方法
    10.
    发明专利
    具有穿隧接合層的磊晶結構、p型半導體結構朝上的製程中間結構及其製造方法 审中-公开
    具有穿隧接合层的磊晶结构、p型半导体结构朝上的制程中间结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201801343A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW105120545

    申请日：2016-06-29

    申请人： 光鋐科技股份有限公司 ,  EPILEDS TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 王資文 ,  WANG, TZU-WEN ,  曾暐祐 ,  TSENG, WEI-YU

    IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

    摘要： 一種具有穿隧接合層的磊晶結構、p型半導體結構朝上的製程中間結構以及其製造方法。磊晶結構由下至上依序包含：基板、第一n型半導體層、穿隧接合層、p型半導體層、多量子井層、以及第二n型半導體層，其中第一n型半導體層、p型半導體層、以及穿隧接合層形成p型半導體結構。p型半導體結構朝上的製程中間結構的製造方法包含：在前述磊晶結構的第二n型半導體層上設置永久性基板，以形成疊層結構；將疊層結構上下翻轉，並移除前述磊晶結構的基板使p型半導體結構朝上。經由該製造方法製作的p型半導體結構朝上的製程中間結構由下至上依序包含：永久性基板、第二n型半導體層、多量子井層、p型半導體結構。其中p型半導體結構包含p型半導體層、穿隧接合層以及第一n型半導體層。

    简体摘要： 一种具有穿隧接合层的磊晶结构、p型半导体结构朝上的制程中间结构以及其制造方法。磊晶结构由下至上依序包含：基板、第一n型半导体层、穿隧接合层、p型半导体层、多量子井层、以及第二n型半导体层，其中第一n型半导体层、p型半导体层、以及穿隧接合层形成p型半导体结构。p型半导体结构朝上的制程中间结构的制造方法包含：在前述磊晶结构的第二n型半导体层上设置永久性基板，以形成叠层结构；将叠层结构上下翻转，并移除前述磊晶结构的基板使p型半导体结构朝上。经由该制造方法制作的p型半导体结构朝上的制程中间结构由下至上依序包含：永久性基板、第二n型半导体层、多量子井层、p型半导体结构。其中p型半导体结构包含p型半导体层、穿隧接合层以及第一n型半导体层。