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    功率覆蓋結構及其製造方法
    5.
    发明专利
    功率覆蓋結構及其製造方法 审中-公开
    功率覆盖结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201830590A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW107117243

    申请日：2014-03-03

    申请人： 美商奇異電器公司 ,  GENERAL ELECTRIC COMPANY

    发明人： 格達艾朗 維盧派克夏 ,  GOWDA,ARUN VIRUPAKSHA ,  喬罕夏卡堤 辛夫 ,  CHAUHAN,SHAKTI SINGH ,  麥克考奈利保羅 艾倫 ,  MCCONNELEE,PAUL ALAN

    IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/34

    摘要： 一種功率覆蓋(POL)結構包含一POL子模組。該POL子模組包含一介電層及一半導體裝置，該半導體裝置具有附接至該介電層之一頂部表面。該半導體裝置之該頂部表面具有形成於其上之至少一接觸襯墊。該POL子模組亦包含延伸穿過該介電層且電耦合至該半導體裝置之該至少一接觸襯墊之一金屬互連結構。一導電墊片耦合至該半導體裝置之一底部表面，且一導熱介面之一第一側耦合至該導電墊片。一散熱器耦合至該電絕緣導熱介面之一第二側。

    简体摘要： 一种功率覆盖(POL)结构包含一POL子模块。该POL子模块包含一介电层及一半导体设备，该半导体设备具有附接至该介电层之一顶部表面。该半导体设备之该顶部表面具有形成于其上之至少一接触衬垫。该POL子模块亦包含延伸穿过该介电层且电耦合至该半导体设备之该至少一接触衬垫之一金属互链接构。一导电垫片耦合至该半导体设备之一底部表面，且一导热界面之一第一侧耦合至该导电垫片。一散热器耦合至该电绝缘导热界面之一第二侧。