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公开(公告)号：TWI683403B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW105106329
申请日：2016-03-02
发明人： 岩崎航 , IWAZAKI, WATARU , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO
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公开(公告)号：TW201725764A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105130013
申请日：2016-09-14
发明人： 大井宗太郎 , OI, SOTARO , 西元修司 , NISHIMOTO, SYUUJI , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO , 岩崎航 , IWAZAKI, WATARU
摘要： 一種熱電轉換模組(1)，係在一組對向的配線基板(2A，2B)之間，複數熱電轉換元件(3，4)在被組合之狀態下透過配線基板(2A，2B)連接所成的熱電轉換模組，配線基板(2A，2B)係於陶瓷基板(11)的一方之面，形成有連接於熱電轉換元件(3，4)之由鋁或鋁合金所成的電極層(12，13)所成，至少配置於高溫側的電極層(12)係於表面形成有層積玻璃層與銀層之狀態的銀基底層(21)，銀基底層(21)的銀層接合於熱電轉換元件(3，4)。
简体摘要： 一种热电转换模块(1)，系在一组对向的配线基板(2A，2B)之间，复数热电转换组件(3，4)在被组合之状态下透过配线基板(2A，2B)连接所成的热电转换模块，配线基板(2A，2B)系于陶瓷基板(11)的一方之面，形成有连接于热电转换组件(3，4)之由铝或铝合金所成的电极层(12，13)所成，至少配置于高温侧的电极层(12)系于表面形成有层积玻璃层与银层之状态的银基底层(21)，银基底层(21)的银层接合于热电转换组件(3，4)。
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公开(公告)号：TW201644017A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105106329
申请日：2016-03-02
发明人： 岩崎航 , IWAZAKI, WATARU , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO
CPC分类号： H05K3/363 , H01L23/12 , H01L23/142 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H05K1/0203
摘要： 本發明係一種附有散熱片之電源模組用基板的製造方法，其係構成金屬層之接合面的鋁材料及構成散熱片之接合面的鋁材料中的任一方為鋁之純度高的高純度鋁材料，另一方為鋁之純度低的低純度鋁材料，將前述高純度鋁材料與前述低純度鋁材料之Al以外的含有元素之濃度差設為1原子%以上，並將金屬層與散熱片進行固相擴散接合。
简体摘要： 本发明系一种附有散热片之电源模块用基板的制造方法，其系构成金属层之接合面的铝材料及构成散热片之接合面的铝材料中的任一方为铝之纯度高的高纯度铝材料，另一方为铝之纯度低的低纯度铝材料，将前述高纯度铝材料与前述低纯度铝材料之Al以外的含有元素之浓度差设为1原子%以上，并将金属层与散热片进行固相扩散接合。
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公开(公告)号：TWI695390B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105102712
申请日：2016-01-28
发明人： 長瀬敏之 , NAGASE, TOSHIYUKI , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO
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公开(公告)号：TW201843849A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107565
申请日：2018-03-07
发明人： 新井皓也 , ARAI, KOYA , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO
摘要： 熱電轉換模組具有：複數熱電轉換元件，其係由線膨脹係數不同之P型熱電轉換元件和N型熱電轉換元件所構成；和第1配線基板，其係被配設在複數上述熱電轉換元件之一端側，上述第1配線基板具有：第1配線層，其係接合有相鄰的上述P型熱電轉換元件和上述N型熱電轉換元件；和第1陶瓷層，其係被接合於與該第1配線層之上述P型熱電轉換元件和上述N型熱電轉換元件之接合面相反之面，且被分離成複數，各第1陶瓷層在任一的上述P型熱電轉換元件和上述N型熱電轉換元件之間分離。
简体摘要： 热电转换模块具有：复数热电转换组件，其系由线膨胀系数不同之P型热电转换组件和N型热电转换组件所构成；和第1配线基板，其系被配设在复数上述热电转换组件之一端侧，上述第1配线基板具有：第1配线层，其系接合有相邻的上述P型热电转换组件和上述N型热电转换组件；和第1陶瓷层，其系被接合于与该第1配线层之上述P型热电转换组件和上述N型热电转换组件之接合面相反之面，且被分离成复数，各第1陶瓷层在任一的上述P型热电转换组件和上述N型热电转换组件之间分离。
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公开(公告)号：TW201805442A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106109001
申请日：2017-03-17
发明人： 中田嘉信 , NAKADA, YOSHINOBU , 新井皓也 , ARAI, KOYA , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO
摘要： 此鎂系熱電轉換材料，其特徵為：由Mg2Si所構成的第一層與由Mg2SixSn1-x(但是，x為0以上未滿1)所構成的第二層直接接合，前述第二層在與前述第一層的接合面及其附近具有離前述接合面愈遠錫濃度愈增加的錫濃度過渡區域。此處，接合面定為藉由EDX測定錫濃度為偵測極限以下之處。
简体摘要： 此镁系热电转换材料，其特征为：由Mg2Si所构成的第一层与由Mg2SixSn1-x(但是，x为0以上未满1)所构成的第二层直接接合，前述第二层在与前述第一层的接合面及其附近具有离前述接合面愈远锡浓度愈增加的锡浓度过渡区域。此处，接合面定为借由EDX测定锡浓度为侦测极限以下之处。
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公开(公告)号：TW201703063A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105102712
申请日：2016-01-28
发明人： 長瀬敏之 , NAGASE, TOSHIYUKI , 駒崎雅人 , KOMASAKI, MASAHITO
CPC分类号： H01C1/144 , H01C1/012 , H01C1/028 , H01C1/084 , H01C1/142 , H01C7/003 , H01C17/006 , H01C17/02 , H01C17/28
摘要： 該電阻器係具備有：包含形成在陶瓷基板的其中一面的電阻體及金屬電極的晶片電阻體；與前述金屬電極作電性連接的金屬端子；及形成在前述陶瓷基板的另一面側的Al構件，前述陶瓷基板與前述Al構件藉由Al-Si系的硬焊材而相接合，前述金屬電極與前述金屬端子藉由軟焊材而相接合，前述Al構件係與前述陶瓷基板側之面相對向的對向面的彎曲程度為-30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的範圍。
简体摘要： 该电阻器系具备有：包含形成在陶瓷基板的其中一面的电阻体及金属电极的芯片电阻体；与前述金属电极作电性连接的金属端子；及形成在前述陶瓷基板的另一面侧的Al构件，前述陶瓷基板与前述Al构件借由Al-Si系的硬焊材而相接合，前述金属电极与前述金属端子借由软焊材而相接合，前述Al构件系与前述陶瓷基板侧之面相对向的对向面的弯曲程度为-30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围。
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