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    半導體雷射裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
    1.
    发明专利
    半導體雷射裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 审中-公开
    半导体激光设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

    公开(公告)号：TW201110490A

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：TW099119847

    申请日：2010-06-18

    申请人： 三菱電機股份有限公司

    发明人： 高瀨禎 ,  多田仁史 ,  前原宏昭 ,  久義浩 ,  佐久間仁

    IPC分类号： H01S

    CPC分类号： H01S5/02272 ,  G11B7/1275 ,  G11B2007/0006 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/14

    摘要： 在以結下的方式將雙波長半導體雷射晶片接合至基底上的半導體雷射裝置中,為了減低雷射晶片與基底之間產生的內應力及縮小兩雷射各自的偏光角,使用SnAg焊料於基底與雙波長半導體雷射晶片的接合。此時兩雷射各自的波導中心至晶片中心端的基底與雙波長半導體雷射晶片的接合面端部距離,與波導中心至晶片側端的基底與雙波長半導體雷射晶片的接合面端部距離之比,都在0.69以上1.46以下。

    简体摘要： 在以结下的方式将双波长半导体激光芯片接合至基底上的半导体激光设备中,为了减低激光芯片与基底之间产生的内应力及缩小两激光各自的偏光角,使用SnAg焊料于基底与双波长半导体激光芯片的接合。此时两激光各自的波导中心至芯片中心端的基底与双波长半导体激光芯片的接合面端部距离,与波导中心至芯片侧端的基底与双波长半导体激光芯片的接合面端部距离之比,都在0.69以上1.46以下。

    高頻功率放大器 HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER
    2.
    发明专利
    高頻功率放大器 HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER 审中-公开
    高频功率放大器 HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER

    公开(公告)号：TW201251310A

    公开(公告)日：2012-12-16

    申请号：TW101110022

    申请日：2012-03-23

    申请人： 三菱電機股份有限公司

    发明人： 渡邊晉太郎 ,  彌政和宏 ,  前原宏昭 ,  高相純

    IPC分类号： H03F

    CPC分类号： H03F1/56 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/19 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7236 ,  H03F2203/7239 ,  H03G3/3042

    摘要： 【課題】得到一種高頻功率放大器,可同時進行阻抗匹配的切換與路徑的切換,並可提高電路設計的自由度。【解決手段】電晶體Tr1係將從外部所輸入之高頻信號放大。電晶體Tr2係將電晶體Tr1之輸出信號放大。電晶體Tr3係與電晶體Tr1並聯,並將從外部所輸入之高頻信號放大。在電晶體Tr1的輸出與電晶體Tr2的輸入之間連接切換元件SW1。在電晶體Tr3的輸出與切換元件SW1之間連接切換元件SW2。在電晶體Tr1的輸出及切換元件SW2與電晶體Tr2的輸出之間將切換元件SW3、SW4串聯。在切換元件SW3與切換元件SW4之間連接電容器C1。

    简体摘要： 【课题】得到一种高频功率放大器,可同时进行阻抗匹配的切换与路径的切换,并可提高电路设计的自由度。【解决手段】晶体管Tr1系将从外部所输入之高频信号放大。晶体管Tr2系将晶体管Tr1之输出信号放大。晶体管Tr3系与晶体管Tr1并联,并将从外部所输入之高频信号放大。在晶体管Tr1的输出与晶体管Tr2的输入之间连接切换组件SW1。在晶体管Tr3的输出与切换组件SW1之间连接切换组件SW2。在晶体管Tr1的输出及切换组件SW2与晶体管Tr2的输出之间将切换组件SW3、SW4串联。在切换组件SW3与切换组件SW4之间连接电容器C1。