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    發光二極體晶片
    4.
    发明专利
    發光二極體晶片 审中-公开
    发光二极管芯片

    公开(公告)号：TW201513393A

    公开(公告)日：2015-04-01

    申请号：TW103120945

    申请日：2014-06-18

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 金艺瑟 ,  KIM, YE SEUL ,  金京完 ,  KIM, KYOUNG WAN ,  柳龍禑 ,  RYU, YONG WOO ,  李珍雄 ,  LEE, JIN WOONG ,  林亨鎭 ,  LIM, HYOUNG JIN

    IPC分类号： H01L33/20

    CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/20

    摘要： 在此揭露發光二極體晶片。發光二極體晶片包括基底以及半導體堆疊，半導體堆疊形成於基底上且包括第一導電型半導體層、主動層以及第二導電型半導體層，半導體堆疊具有第一側面以及設置於第一側面之下方的第二表面，其中第一側面為以平臺蝕刻的半導體堆疊之外側面，第二側面為第一導電型半導體層之外側面，且第一側面及第二側面的至少其中之一具有凸面圖案。因此，本發明之發光二極體晶片能藉凸面圖案改善橫向光提取。

    简体摘要： 在此揭露发光二极管芯片。发光二极管芯片包括基底以及半导体堆栈，半导体堆栈形成于基底上且包括第一导电型半导体层、主动层以及第二导电型半导体层，半导体堆栈具有第一侧面以及设置于第一侧面之下方的第二表面，其中第一侧面为以平台蚀刻的半导体堆栈之外侧面，第二侧面为第一导电型半导体层之外侧面，且第一侧面及第二侧面的至少其中之一具有凸面图案。因此，本发明之发光二极管芯片能藉凸面图案改善横向光提取。

    藉由使用反射層強化發光二極體的光擷取效率
    5.
    发明专利
    藉由使用反射層強化發光二極體的光擷取效率 审中-公开
    借由使用反射层强化发光二极管的光截取效率

    公开(公告)号：TW201424042A

    公开(公告)日：2014-06-16

    申请号：TW102145486

    申请日：2013-12-11

    申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

    发明人： 李珍雄 ,  LEE, JIN WOONG ,  金京完 ,  KIM, KYOUNG WAN ,  尹餘鎭 ,  YOON, YEO JIN ,  金艺瑟 ,  KIM, YE SEUL ,  徐德壹 ,  SUH, DUK IL ,  金信亨 ,  KIM, SHIN HYUNG

    IPC分类号： H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

    摘要： 本發明的光擷取效率得到提高的發光二極體包括：半導體積層結構體，其包含形成於基板上的N層、發光層、P層；N型電極，其形成於上述N層；及P型電極，其形成於上述P層；上述發光二極體的特徵在於：上述N型電極及上述P型電極包括焊墊電極與分散電極，且N型電極與上述P型電極中的至少一者於上述分散電極上包含反射光的反射電極層。藉此，發光二極體於電極上包括反射電極層，藉此具有可提高光擷取效率的效果。進而，藉由將反射層圖案化至焊墊部的下部而形成粗糙度，從而具有可提高黏著力的效果。

    简体摘要： 本发明的光截取效率得到提高的发光二极管包括：半导体积层结构体，其包含形成于基板上的N层、发光层、P层；N型电极，其形成于上述N层；及P型电极，其形成于上述P层；上述发光二极管的特征在于：上述N型电极及上述P型电极包括焊垫电极与分散电极，且N型电极与上述P型电极中的至少一者于上述分散电极上包含反射光的反射电极层。借此，发光二极管于电极上包括反射电极层，借此具有可提高光截取效率的效果。进而，借由将反射层图案化至焊垫部的下部而形成粗糙度，从而具有可提高黏着力的效果。