公开(公告)号：TW201727893A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135014

申请日：2016-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 穆克森 卡昔克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  詹智元 ,  CHAN, CHIH-YUAN ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  張震謙 ,  CHANG, CHEN-CHIEN ,  鍾久華 ,  CHUNG, CHIU-HUA ,  楊富智 ,  YANG, FU-CHIH ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN LIN

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L23/5225 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402

Abstract: 在某些實施例中，一種半導體裝置包含一電晶體、一隔離組件及一導電層。該電晶體包含一源極區及一汲極區。該隔離組件環繞該源極區。該導電層經組態用於該汲極區之互連。導電組件位於該導電層與該隔離組件之間，經組態以屏蔽該隔離組件以免遭該隔離組件上方之一電場影響。

Abstract in simplified Chinese: 在某些实施例中，一种半导体设备包含一晶体管、一隔离组件及一导电层。该晶体管包含一源极区及一汲极区。该隔离组件环绕该源极区。该导电层经组态用于该汲极区之互连。导电组件位于该导电层与该隔离组件之间，经组态以屏蔽该隔离组件以免遭该隔离组件上方之一电场影响。