半導體裝置和在重建晶圓中控制翹曲的方法
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    发明专利
    半導體裝置和在重建晶圓中控制翹曲的方法 审中-公开
    半导体设备和在重建晶圆中控制翘曲的方法

    公开(公告)号:TW201836091A

    公开(公告)日:2018-10-01

    申请号:TW107108288

    申请日:2018-03-12

    IPC分类号: H01L23/31 H01L21/56 H01L21/78

    摘要: 一種半導體裝置係具有一基板,其中複數個主動半導體晶粒係被設置在該基板的一第一部分之上,並且複數個非功能性半導體晶粒係被設置在該基板的一第二部分之上,而留下該基板的一預設的區域是沒有該主動半導體晶粒及非功能性半導體晶粒的。該基板的沒有該主動半導體晶粒及非功能性半導體晶粒的該預設的區域係包含該基板的一中央區域、棋盤圖案、直線、或是對角線的區域。該基板可以是一圓形的形狀、或是矩形的形狀。一密封劑係被沉積在該主動半導體晶粒、非功能性半導體晶粒、以及基板之上。一互連結構係被形成在該半導體晶粒之上。主動半導體晶粒以及非功能性半導體晶粒在該基板的該預設的區域的不存在係降低在該基板的該區域中的彎曲應力。

    简体摘要: 一种半导体设备系具有一基板,其中复数个主动半导体晶粒系被设置在该基板的一第一部分之上,并且复数个非功能性半导体晶粒系被设置在该基板的一第二部分之上,而留下该基板的一默认的区域是没有该主动半导体晶粒及非功能性半导体晶粒的。该基板的没有该主动半导体晶粒及非功能性半导体晶粒的该默认的区域系包含该基板的一中央区域、棋盘图案、直线、或是对角线的区域。该基板可以是一圆形的形状、或是矩形的形状。一密封剂系被沉积在该主动半导体晶粒、非功能性半导体晶粒、以及基板之上。一互链接构系被形成在该半导体晶粒之上。主动半导体晶粒以及非功能性半导体晶粒在该基板的该默认的区域的不存在系降低在该基板的该区域中的弯曲应力。