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    末端具有胺基之窄分散聚烯烴二醇衍生物之製造方法
    6.
    发明专利
    末端具有胺基之窄分散聚烯烴二醇衍生物之製造方法 审中-公开
    末端具有胺基之窄分散聚烯烃二醇衍生物之制造方法

    公开(公告)号：TW201542620A

    公开(公告)日：2015-11-16

    申请号：TW104101320

    申请日：2015-01-15

    申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： 原田裕次 ,  HARADA, YUJI ,  須賀祐輝 ,  SUKA, YUKI ,  渡邊修 ,  WATANABE, OSAMU ,  渡辺武 ,  WATANABE, TAKERU

    IPC分类号： C08G65/26 ,  C08G65/333 ,  C07C213/02 ,  C07C217/08 ,  C07C41/03 ,  C07C253/30 ,  C07C209/48

    CPC分类号： C07C213/02 ,  C07C29/60 ,  C07C29/70 ,  C07C29/705 ,  C07C213/10 ,  C07C253/30 ,  C08G65/322 ,  C08G65/333

    摘要： 本發明的課題為以溫和的條件下製造於末端具有胺基之窄分散聚烯烴二醇衍生物之製造方法。 作為解決手段則為包含以下之步驟之一般式(1)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2(n為1~450之整數)之化合物之製造方法：[步驟1]從一般式(2)CH3O(CH2CH2O)kH(k為2~5之整數)之化合物得到一般式(3)CH3O(CH2CH2O)k-1CH2CH2O-M+之化合物的步驟；[步驟2]從一般式(3)之化合物得到一般式(4)CH3O(CH2CH2O)n-1CH2CH2O-M+之化合物的步驟；[步驟3]使一般式(4)之化合物與丙烯腈進行反應而得到一般式(5)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN之化合物的步驟；及[步驟4]還原一般式(5)之化合物，而得到一般式(1)之化合物的步驟。

    简体摘要： 本发明的课题为以温和的条件下制造于末端具有胺基之窄分散聚烯烃二醇衍生物之制造方法。 作为解决手段则为包含以下之步骤之一般式(1)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2(n为1~450之整数)之化合物之制造方法：[步骤1]从一般式(2)CH3O(CH2CH2O)kH(k为2~5之整数)之化合物得到一般式(3)CH3O(CH2CH2O)k-1CH2CH2O-M+之化合物的步骤；[步骤2]从一般式(3)之化合物得到一般式(4)CH3O(CH2CH2O)n-1CH2CH2O-M+之化合物的步骤；[步骤3]使一般式(4)之化合物与丙烯腈进行反应而得到一般式(5)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN之化合物的步骤；及[步骤4]还原一般式(5)之化合物，而得到一般式(1)之化合物的步骤。

    圖案形成方法及光阻組成物
    9.
    发明专利
    圖案形成方法及光阻組成物 审中-公开
    图案形成方法及光阻组成物

    公开(公告)号：TW201316125A

    公开(公告)日：2013-04-16

    申请号：TW101132356

    申请日：2012-09-05

    申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： 小林知洋 ,  KOBAYASHI, TOMOHIRO ,  旱田山潤 ,  HATAKEYAMA, JUN ,  飯尾匡史 ,  LIO, MASASHI ,  須賀祐輝 ,  SUKA, YUKI ,  長谷川幸士 ,  HASEGAWA, KOJI ,  原田裕次 ,  HARADA, YUJI

    IPC分类号： G03F7/038 ,  C08L33/14 ,  C08L33/16 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325

    摘要： 本發明的負型圖案形成方法，其特徵在於：將光阻組成物塗佈在基板上，並將塗佈後進行加熱處理而製作的光阻膜以高能量射線曝光，且在曝光後實施加熱處理之後，利用含有有機溶劑之顯影液選擇性地溶解光阻膜之未曝光部分；該光阻組成物同時包含：含有具有利用酸不穩定基保護羥基的結構之重複單元的高分子化合物、光酸產生劑、有機溶劑、具有1個以上氟原子的重複單元，而且未包含羥基的高分子添加劑；該高分子添加劑的含量相對於全部高分子化合物的含量為1~30質量%。本發明的光阻組成物展現可浸潤曝光的高後退接觸角，同時藉由與有機溶劑負顯影組合而展現高解析性、微細溝槽圖案或孔圖案之寬廣的聚焦深度，且可提高線圖案側壁的垂直性，並提升圖案崩塌耐性。

    简体摘要： 本发明的负型图案形成方法，其特征在于：将光阻组成物涂布在基板上，并将涂布后进行加热处理而制作的光阻膜以高能量射线曝光，且在曝光后实施加热处理之后，利用含有有机溶剂之显影液选择性地溶解光阻膜之未曝光部分；该光阻组成物同时包含：含有具有利用酸不稳定基保护羟基的结构之重复单元的高分子化合物、光酸产生剂、有机溶剂、具有1个以上氟原子的重复单元，而且未包含羟基的高分子添加剂；该高分子添加剂的含量相对于全部高分子化合物的含量为1~30质量%。本发明的光阻组成物展现可浸润曝光的高后退接触角，同时借由与有机溶剂负显影组合而展现高解析性、微细沟槽图案或孔图案之宽广的聚焦深度，且可提高线图案侧壁的垂直性，并提升图案崩塌耐性。