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公开(公告)号：TWI652740B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106140126
申请日：2017-11-20
发明人： 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 本間史浩 , HOMMA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
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公开(公告)号：TWI650818B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106140561
申请日：2017-11-22
发明人： 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 本間史浩 , HOMMA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
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公开(公告)号：TW201834077A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140561
申请日：2017-11-22
发明人： 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 本間史浩 , HOMMA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 本發明的半導體裝置的製造方法係含有：雜質供給步驟，係將n型之雜質供給至pn接面所露出之露出面之中已露出n型半導體層之第一露出區域；通道截斷環形成步驟，係對第一露出區域照射雷射光，藉此將n型之雜質導入n型半導體層，形成通道截斷環至第一深度為止；氧化膜形成步驟，係以覆蓋通道截斷環所形成之露出面的方式形成氧化膜，將通道截斷環的區域擴大至較前述第一深度更深之第二深度為止。
简体摘要： 本发明的半导体设备的制造方法系含有：杂质供给步骤，系将n型之杂质供给至pn接面所露出之露出面之中已露出n型半导体层之第一露出区域；信道截断环形成步骤，系对第一露出区域照射激光光，借此将n型之杂质导入n型半导体层，形成信道截断环至第一深度为止；氧化膜形成步骤，系以覆盖信道截断环所形成之露出面的方式形成氧化膜，将信道截断环的区域扩大至较前述第一深度更深之第二深度为止。
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公开(公告)号：TW201834076A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140126
申请日：2017-11-20
发明人： 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 本間史浩 , HOMMA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 一種半導體裝置的製造方法，係包含：前處理步驟，係將可供pn接面露出的露出面中之n型半導體層已露出的第一露出區域進行疏水性處理；雜質供給步驟，係對第一露出區域供給n型之雜質；通道截斷環形成步驟，係對第一露出區域照射雷射光，藉此將n型之雜質導入於n型半導體層以形成通道截斷環；以及玻璃層形成步驟，係使用玻璃組成物並以覆蓋露出面的方式來形成玻璃層。
简体摘要： 一种半导体设备的制造方法，系包含：前处理步骤，系将可供pn接面露出的露出面中之n型半导体层已露出的第一露出区域进行疏水性处理；杂质供给步骤，系对第一露出区域供给n型之杂质；信道截断环形成步骤，系对第一露出区域照射激光光，借此将n型之杂质导入于n型半导体层以形成信道截断环；以及玻璃层形成步骤，系使用玻璃组成物并以覆盖露出面的方式来形成玻璃层。
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