公开(公告)号：TWI640106B

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW105113367

申请日：2011-08-05

Applicant: 日商日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

Inventor： 成田准也 ,  NARITA, JUNYA ,  岡田卓也 ,  OKADA, TAKUYA ,  若井陽平 ,  WAKAI, YOHEI ,  井上芳樹 ,  INOUE, YOSHIKI ,  佐幸直也 ,  SAKO, NAOYA ,  家段勝好 ,  KADAN, KATSUYOSHI

IPC: H01L33/32

公开(公告)号：TW201830730A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106144121

申请日：2017-12-15

Applicant: 日商日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

Inventor： 北濱俊 ,  KITAHAMA, SHUN ,  井上芳樹 ,  INOUE, YOSHIKI ,  永峰和浩 ,  NAGAMINE, KAZUHIRO ,  成田准也 ,  NARITA, JUNYA

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/58

Abstract: 本發明提供一種減輕漏電流產生之發光元件之製造方法。 本發明係一種發光元件之製造方法，其包括如下步驟：準備自下方朝向上方依序具有基板、包含n型雜質之n側氮化物半導體層、及包含p型雜質之p側氮化物半導體層的半導體晶圓；藉由向基板照射雷射光而於基板形成加工變質部；及藉由對在基板形成有加工變質部之半導體晶圓進行分割而獲得複數個發光元件；且該製造方法之特徵在於：在準備半導體晶圓之步驟與於基板形成加工變質部之步驟之間依序包括如下步驟：於p側氮化物半導體層之上表面之包含成為複數個發光元件之區域之邊界的區域形成保護層；及藉由將半導體晶圓退火而於未形成保護層之區域使p側氮化物半導體層低電阻化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种减轻漏电流产生之发光组件之制造方法。 本发明系一种发光组件之制造方法，其包括如下步骤：准备自下方朝向上方依序具有基板、包含n型杂质之n侧氮化物半导体层、及包含p型杂质之p侧氮化物半导体层的半导体晶圆；借由向基板照射激光光而于基板形成加工变质部；及借由对在基板形成有加工变质部之半导体晶圆进行分割而获得复数个发光组件；且该制造方法之特征在于：在准备半导体晶圆之步骤与于基板形成加工变质部之步骤之间依序包括如下步骤：于p侧氮化物半导体层之上表面之包含成为复数个发光组件之区域之边界的区域形成保护层；及借由将半导体晶圆退火而于未形成保护层之区域使p侧氮化物半导体层低电阻化。

公开(公告)号：TW201631798A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105113367

申请日：2011-08-05

Applicant: 日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

Inventor： 成田准也 ,  NARITA, JUNYA ,  岡田卓也 ,  OKADA, TAKUYA ,  若井陽平 ,  WAKAI, YOHEI ,  井上芳樹 ,  INOUE, YOSHIKI ,  佐幸直也 ,  SAKO, NAOYA ,  家段勝好 ,  KADAN, KATSUYOSHI

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本發明提供一種可構成光提取效率優異之氮化物半導體發光元件之氮化物半導體發光元件用之藍寶石基板。該藍寶石基板係於一主面包含複數個凸部，於該一主面成長氮化物半導體而形成氮化物半導體發光元件者，且將複數個凸部以如下方式配置：於包含複數個凸部之底面之平面內於任意位置向任意方向畫直線時，該直線通過至少任一凸部內。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可构成光提取效率优异之氮化物半导体发光组件之氮化物半导体发光组件用之蓝宝石基板。该蓝宝石基板系于一主面包含复数个凸部，于该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光组件者，且将复数个凸部以如下方式配置：于包含复数个凸部之底面之平面内于任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。

公开(公告)号：TWI608632B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW100122713

申请日：2011-06-28

Applicant: 日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

Inventor： 成田准也 ,  NARITA, JUNYA ,  若井陽平 ,  WAKAI, YOHEI ,  若木貴功 ,  WAKAKI, TAKAYOSHI

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/306 ,  C30B29/20 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0243 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

公开(公告)号：TWI540756B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW100128066

申请日：2011-08-05

Applicant: 日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

Inventor： 成田准也 ,  NARITA, JUNYA ,  岡田卓也 ,  OKADA, TAKUYA ,  若井陽平 ,  WAKAI, YOHEI ,  井上芳樹 ,  INOUE, YOSHIKI ,  佐幸直也 ,  SAKO, NAOYA ,  家段勝好 ,  KADAN, KATSUYOSHI

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24479