保護元件
    10.
    发明专利
    保護元件 审中-公开
    保护组件

    公开(公告)号:TW201816824A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:TW107100198

    申请日:2014-01-15

    IPC分类号: H01H37/76 H01M10/44

    摘要: 使可熔導體之額定容量提升且可熔導體可迅速熔斷,且能使保持熔融導體之容許量增加。保護元件,具備:絕緣基板(11);第1發熱體(14),積層於絕緣基板(11);絕緣構件(15),覆蓋第1發熱體(14);第1及第2電極(12),積層於絕緣基板(11);發熱體引出電極(16),積層於絕緣構件(15)上以與第1發熱體(14)重疊,在第1及第2電極(12)間之電流路徑上電氣連接於第1發熱體(14);可熔導體(13),以從發熱體引出電極(16)至第1及第2電極(12),(12)之方式積層,藉由熱使第1電極(12)與第2電極(12)間之電流路徑熔斷;以及覆蓋構件(19);在可熔導體(13)之上方設有第2發熱體(25)。

    简体摘要: 使可熔导体之额定容量提升且可熔导体可迅速熔断,且能使保持熔融导体之容许量增加。保护组件,具备:绝缘基板(11);第1发热体(14),积层于绝缘基板(11);绝缘构件(15),覆盖第1发热体(14);第1及第2电极(12),积层于绝缘基板(11);发热体引出电极(16),积层于绝缘构件(15)上以与第1发热体(14)重叠,在第1及第2电极(12)间之电流路径上电气连接于第1发热体(14);可熔导体(13),以从发热体引出电极(16)至第1及第2电极(12),(12)之方式积层,借由热使第1电极(12)与第2电极(12)间之电流路径熔断;以及覆盖构件(19);在可熔导体(13)之上方设有第2发热体(25)。