公开(公告)号：TW544753B

公开(公告)日：2003-08-01

申请号：TW091110831

申请日：2002-05-20

申请人： 日本電氣股份有限公司 ,  日立電線股份有限公司

发明人： 碓井 彰 ,  柴田 真佐知 ,  大島 一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075

摘要： 一金屬層直接形成在基板本體上之氮化物基化合物半導體基底層之上。該金屬層包含至少一金屬，其在熱處理之幫助下對構成基底層之原子產生原子作用力，以促進從基底層移除組成原子，藉以形成貫穿金屬層的細孔，同時在氮化物基化合物半導體基底層之中形成許多空隙。在最初瞬間磊晶生長中進行氮化物基化合物半導體結晶的磊晶生長，其填入該空隙，並在接著的主要磊晶生長中生長在多孔性金屬層之上。

简体摘要： 一金属层直接形成在基板本体上之氮化物基化合物半导体基底层之上。该金属层包含至少一金属，其在热处理之帮助下对构成基底层之原子产生原子作用力，以促进从基底层移除组成原子，借以形成贯穿金属层的细孔，同时在氮化物基化合物半导体基底层之中形成许多空隙。在最初瞬间磊晶生长中进行氮化物基化合物半导体结晶的磊晶生长，其填入该空隙，并在接着的主要磊晶生长中生长在多孔性金属层之上。