利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

12 条记录 (耗时 0.013 秒)

    發光元件
    3.
    发明专利
    發光元件 审中-公开
    发光组件

    公开(公告)号：TW201503410A

    公开(公告)日：2015-01-16

    申请号：TW103122964

    申请日：2014-07-02

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 郭得山 ,  KUO, DE SHAN ,  塗均祥 ,  TU, CHUN HSIANG ,  邱柏順 ,  CHIU, PO SHUN ,  柯竣騰 ,  KO, CHUN TENG

    IPC分类号： H01L33/14

    摘要： 一種發光元件包含：一半導體接觸層包含一粗糙頂面，其包含兩相鄰的第一頂峰及一第一波谷，各第一頂峰包含一第一最高點，第一波谷包含一第一最低點，兩個第一最高點與第一最低點連接形成兩條第一斜線且之間有一第一角度；及一透明電流擴散層包含一頂面，其包含兩相鄰的第二頂峰以及一第二波谷，各第二頂峰包含一第二最高點，第二波谷包含一第二最低點，頂面的兩個第二最高點與第二最低點連接形成兩條第二斜線且之間有一第二角度；其中半導體接觸層的粗糙頂面大致位於透明電流擴散層的頂面的正下方，第一角度與第二角度的差異不大於10度。

    简体摘要： 一种发光组件包含：一半导体接触层包含一粗糙顶面，其包含两相邻的第一顶峰及一第一波谷，各第一顶峰包含一第一最高点，第一波谷包含一第一最低点，两个第一最高点与第一最低点连接形成两条第一斜线且之间有一第一角度；及一透明电流扩散层包含一顶面，其包含两相邻的第二顶峰以及一第二波谷，各第二顶峰包含一第二最高点，第二波谷包含一第二最低点，顶面的两个第二最高点与第二最低点连接形成两条第二斜线且之间有一第二角度；其中半导体接触层的粗糙顶面大致位于透明电流扩散层的顶面的正下方，第一角度与第二角度的差异不大于10度。

    高亮度發光二極體結構與其製造方法
    5.
    发明专利
    高亮度發光二極體結構與其製造方法 审中-公开
    高亮度发光二极管结构与其制造方法

    公开(公告)号：TW201340369A

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：TW101136456

    申请日：2012-10-01

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 許嘉良 ,  HSU, CHIA LIANG ,  歐震 ,  OU, CHEN ,  塗均祥 ,  TU, CHUN HSIANG ,  郭得山 ,  KUO, DE SHAN ,  柯丁嘉 ,  KO, TING CHIA ,  邱柏順 ,  CHIU, PO SHUN

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/002 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 一發光二極體結構，包含一基板，一個或複數個半導體發光疊層位於基板上，其中半導體發光疊層包含一第一半導體層，一第二半導體層與第一半導體層電性相異，及一發光層介於第一半導體層及第二半導體層之間，一第一電極在基板上，與半導體發光疊層分離，且與第一半導體層電性相連，及一第二電極在基板上，與半導體發光疊層分離，且與第二半導體層電性相連，其中，第一電極與第二電極的高度不超過半導體發光疊層的高度。

    简体摘要： 一发光二极管结构，包含一基板，一个或复数个半导体发光叠层位于基板上，其中半导体发光叠层包含一第一半导体层，一第二半导体层与第一半导体层电性相异，及一发光层介于第一半导体层及第二半导体层之间，一第一电极在基板上，与半导体发光叠层分离，且与第一半导体层电性相连，及一第二电极在基板上，与半导体发光叠层分离，且与第二半导体层电性相连，其中，第一电极与第二电极的高度不超过半导体发光叠层的高度。

    發光元件
    7.
    发明专利
    發光元件 审中-公开
    发光组件

    公开(公告)号：TW201419584A

    公开(公告)日：2014-05-16

    申请号：TW102139703

    申请日：2013-10-30

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 郭得山 ,  KUO, DE SHAN ,  柯竣騰 ,  KO, CHUN TENG ,  塗均祥 ,  TU, CHUN HSIANG ,  邱柏順 ,  CHIU, PO SHUN

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/40

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405

    摘要： 一發光元件，包含：一基板；一半導體疊層包含一第一半導體層在基板上，一主動層在第一半導體層上，以及一第二半導體層在主動層上；以及一電極結構在第二半導體層上，其中電極結構包含一打線層，一傳導層以及一第一阻障層位於打線層及傳導層之間，其中，傳導層的標準氧化電位高於打線層的標準氧化電位。

    简体摘要： 一发光组件，包含：一基板；一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上，一主动层在第一半导体层上，以及一第二半导体层在主动层上；以及一电极结构在第二半导体层上，其中电极结构包含一打线层，一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间，其中，传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。