聚矽氧烷、半導體用材料、半導體及太陽能電池製備方法
    1.
    发明专利
    聚矽氧烷、半導體用材料、半導體及太陽能電池製備方法 审中-公开
    聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:TW201829554A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:TW106128583

    申请日:2017-08-23

    Abstract: 一種聚矽氧烷,含有至少一種選自下式1所示的分子結構片段, 式1中,Q為含有醇羥基且主鏈碳原子數小於12的烷基、或者含有醇羥基且主鏈非氫原子數小於12且含雜原子的烷基;T為羥基、烷基、含有醇羥基且主鏈碳原子數小於12的烷基、或者含有醇羥基且主鏈非氫原子數小於12且含雜原子的烷基。使用本發明聚矽氧烷製備的摻雜漿料以及掩膜材料在具有優良擴散性的基礎上,同時還具有優良的阻隔性和極小的氣中擴散。並且,根據本發明的半導體製造方法,進一步減少了摻雜漿料中的摻雜雜質的氣中擴散,從而可以進一步提升摻雜的工藝質量。

    Abstract in simplified Chinese: 一种聚硅氧烷,含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段, 式1中,Q为含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基;T为羟基、烷基、含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基。使用本发明聚硅氧烷制备的掺杂浆料以及掩膜材料在具有优良扩散性的基础上,同时还具有优良的阻隔性和极小的气中扩散。并且,根据本发明的半导体制造方法,进一步减少了掺杂浆料中的掺杂杂质的气中扩散,从而可以进一步提升掺杂的工艺质量。

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