去靜電硬被覆層用組成物,去靜電硬被覆層,其製法及去靜電硬被覆積層體薄膜
    1.
    发明专利
    去靜電硬被覆層用組成物,去靜電硬被覆層,其製法及去靜電硬被覆積層體薄膜 失效
    去静电硬被覆层用组成物,去静电硬被覆层,其制法及去静电硬被覆积层体薄膜

    公开(公告)号:TW539730B

    公开(公告)日:2003-07-01

    申请号:TW090108549

    申请日:2001-04-10

    IPC分类号: C09D B32B

    摘要: 本發明係提供一種去靜電硬被覆層用組成物,其係由100重量分之多官能丙烯酸酯(A),相對之50~400重量分之粒徑為10~30奈米之導電性微粒子(B)、與10~80重量分之選自於經有機物表面處理之二氧化矽粒子、有機聚矽氧烷和聚矽氧丙烯酸酯所組成群類之至少一種聚矽氧化合物(C)摻混而成;或者提供一種去靜電硬被覆層,其係由上述之去靜電硬被覆層用組成物經硬化而形成;其特徵在於:在該去靜電硬被覆層表面之元素組成中Si所佔之比例,相對於Si、C及O之總量計係為10~35原子%;更提供一種其特徵為由上述之去靜電硬被覆層形成在基材薄膜上所成之去靜電硬被覆層積層體薄膜、或一種其特徵為在具有去靜電硬被覆層之基材側之相對邊上形成一黏著層所成之去靜電硬被覆層積層體薄膜、或其特徵為在最外層上形成一具有附加機能膜所成之去靜電硬被覆層積層體薄膜;或者提供一種去靜電硬被覆層之製造方法,其特徵在於:對上述之去靜電硬被覆層用組成物塗布於基材薄膜上、乾燥、使之硬化所形成去靜電硬被覆層,進行自電暈放電、電漿放電、低壓水銀燈、或準分子電射相關之物理處理,或使硬化物表面浸泡有機溶劑、控制Si元素量之化學處理中所任意選取之表面處理。

    简体摘要: 本发明系提供一种去静电硬被覆层用组成物,其系由100重量分之多官能丙烯酸酯(A),相对之50~400重量分之粒径为10~30奈米之导电性微粒子(B)、与10~80重量分之选自于经有机物表面处理之二氧化硅粒子、有机聚硅氧烷和聚硅氧丙烯酸酯所组成群类之至少一种聚硅氧化合物(C)掺混而成;或者提供一种去静电硬被覆层,其系由上述之去静电硬被覆层用组成物经硬化而形成;其特征在于:在该去静电硬被覆层表面之元素组成中Si所占之比例,相对于Si、C及O之总量计系为10~35原子%;更提供一种其特征为由上述之去静电硬被覆层形成在基材薄膜上所成之去静电硬被覆层积层体薄膜、或一种其特征为在具有去静电硬被覆层之基材侧之相对边上形成一黏着层所成之去静电硬被覆层积层体薄膜、或其特征为在最外层上形成一具有附加机能膜所成之去静电硬被覆层积层体薄膜;或者提供一种去静电硬被覆层之制造方法,其特征在于:对上述之去静电硬被覆层用组成物涂布于基材薄膜上、干燥、使之硬化所形成去静电硬被覆层,进行自电晕放电、等离子放电、低压水银灯、或准分子电射相关之物理处理,或使硬化物表面浸泡有机溶剂、控制Si元素量之化学处理中所任意选取之表面处理。

    表面處理裝置
    2.
    发明专利
    表面處理裝置 有权
    表面处理设备

    公开(公告)号:TWI380742B

    公开(公告)日:2012-12-21

    申请号:TW096110567

    申请日:2007-03-27

    IPC分类号: H05H H01L C23C

    摘要: 本發明係一種表面處理裝置,對於大型被處理物,亦可以簡易之結構進行表面處理。表面處理裝置1之處理頭10由第1單元11L及第2單元11R構成。於該等單元11中,用以噴出處理氣體之孔列34於第1方向上延伸。第1方向與被處理物所移動之第2方向正交。兩個單元11配置成於第1方向上相互偏離,且於第2方向上相互偏離。自第2方向觀察,兩個單元11之孔列34彼此重疊。

    简体摘要: 本发明系一种表面处理设备,对于大型被处理物,亦可以简易之结构进行表面处理。表面处理设备1之处理头10由第1单元11L及第2单元11R构成。于该等单元11中,用以喷出处理气体之孔列34于第1方向上延伸。第1方向与被处理物所移动之第2方向正交。两个单元11配置成于第1方向上相互偏离,且于第2方向上相互偏离。自第2方向观察,两个单元11之孔列34彼此重叠。