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    用於低暗電流浮動擴散之裝置及方法
    1.
    发明专利
    用於低暗電流浮動擴散之裝置及方法 审中-公开
    用于低暗电流浮动扩散之设备及方法

    公开(公告)号：TW201921660A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW107126831

    申请日：2018-08-02

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  馬渆圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  后藤高行 ,  GOTO, TAKAYUKI

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本發明論述一種用於一低暗電流浮動擴散之裝置及方法。一種實例性方法包含：透過一轉移閘極將一光電二極體耦合至一浮動擴散，其中對該轉移閘極之一閘極端子提供一第一電壓；重設該浮動擴散；重複取樣該光電二極體上之影像電荷複數次，其中該所取樣影像電荷經耦合至該浮動擴散，且其中在每次取樣該影像電荷期間對該轉移閘極之該閘極端子提供小於該第一電壓之一第二電壓；在重複取樣該影像電荷之同時，將一額外電容耦合至該浮動擴散，其中在該取樣期間將一第一電容電壓施加至該額外電容；及執行該所取樣影像電荷之相關雙重取樣。

    简体摘要： 本发明论述一种用于一低暗电流浮动扩散之设备及方法。一种实例性方法包含：透过一转移闸极将一光电二极管耦合至一浮动扩散，其中对该转移闸极之一闸极端子提供一第一电压；重设该浮动扩散；重复采样该光电二极管上之影像电荷复数次，其中该所采样影像电荷经耦合至该浮动扩散，且其中在每次采样该影像电荷期间对该转移闸极之该闸极端子提供小于该第一电压之一第二电压；在重复采样该影像电荷之同时，将一额外电容耦合至该浮动扩散，其中在该采样期间将一第一电容电压施加至该额外电容；及运行该所采样影像电荷之相关双重采样。

    堆疊架構之低雜訊互補式金氧半影像感測器
    2.
    发明专利
    堆疊架構之低雜訊互補式金氧半影像感測器 审中-公开
    堆栈架构之低噪声互补式金氧半影像传感器

    公开(公告)号：TW201904269A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107112218

    申请日：2018-04-10

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  馬渆圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  后藤高行 ,  GOTO, TAKAYUKI ,  毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  海老原弘知 ,  EBIHARA, HIROAKI ,  渡邊一史 ,  WATANABE, KAZUFUMI

    IPC分类号： H04N5/355 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

    摘要： 本發明揭示一種用於一高動態範圍(HDR)影像感測器中之像素電路，其包含安置在第一半導體晶圓中之一光電二極體及一浮動擴散。一轉移電晶體經安置在該第一半導體晶圓中且經調適以接通從而將該光電二極體中光產生之電荷載子轉移至該浮動擴散。一像素內電容器經安置在一第二半導體晶圓中。該第一半導體晶圓與該第二半導體晶圓堆疊且耦合至該第二半導體晶圓。一雙浮動擴散(DFD)電晶體經安置在該第一半導體晶圓中。該像素內電容器透過該DFD電晶體選擇性地耦合至該浮動擴散。該浮動擴散回應於該像素內電容器耦合至該浮動擴散而設定為低轉換增益，且回應於該像素內電容器從該浮動擴散解耦而設定為高轉換增益。

    简体摘要： 本发明揭示一种用于一高动态范围(HDR)影像传感器中之像素电路，其包含安置在第一半导体晶圆中之一光电二极管及一浮动扩散。一转移晶体管经安置在该第一半导体晶圆中且经调适以接通从而将该光电二极管中光产生之电荷载子转移至该浮动扩散。一像素内电容器经安置在一第二半导体晶圆中。该第一半导体晶圆与该第二半导体晶圆堆栈且耦合至该第二半导体晶圆。一双浮动扩散(DFD)晶体管经安置在该第一半导体晶圆中。该像素内电容器透过该DFD晶体管选择性地耦合至该浮动扩散。该浮动扩散回应于该像素内电容器耦合至该浮动扩散而设置为低转换增益，且回应于该像素内电容器从该浮动扩散解耦而设置为高转换增益。

    藉由升壓光電二極體驅動之成像感測器
    8.
    发明专利
    藉由升壓光電二極體驅動之成像感測器 审中-公开
    借由升压光电二极管驱动之成像传感器

    公开(公告)号：TW201904271A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107110888

    申请日：2018-03-29

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  馬渆圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  后藤高行 ,  GOTO, TAKAYUKI ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG

    IPC分类号： H04N5/374 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

    摘要： 一種供在一影像感測器中使用之像素電路包含安置於一半導體材料中之一非釘紮光電二極體。該非釘紮光電二極體經調適以回應於入射光而光生電荷載子。一浮動擴散部安置於半導體中且經耦合以接收在該非釘紮光電二極體中光生之該等電荷載子。一轉移電晶體安置於該半導體材料中且耦合於該非釘紮光電二極體與該浮動擴散部之間。該轉移電晶體經調適為經接通以將在該非釘紮光電二極體中光生之該等電荷載子轉移至該浮動擴散部。一升壓電容器安置於該半導體材料之一表面上方、接近於該非釘紮光電二極體。在該轉移電晶體經接通以將在該非釘紮光電二極體中光生之該等電荷載子進一步驅動至該浮動擴散部時，該升壓電容器經耦合以接收一光電二極體升壓信號。

    简体摘要： 一种供在一影像传感器中使用之像素电路包含安置于一半导体材料中之一非钉扎光电二极管。该非钉扎光电二极管经调适以回应于入射光而光生电荷载子。一浮动扩散部安置于半导体中且经耦合以接收在该非钉扎光电二极管中光生之该等电荷载子。一转移晶体管安置于该半导体材料中且耦合于该非钉扎光电二极管与该浮动扩散部之间。该转移晶体管经调适为经接通以将在该非钉扎光电二极管中光生之该等电荷载子转移至该浮动扩散部。一升压电容器安置于该半导体材料之一表面上方、接近于该非钉扎光电二极管。在该转移晶体管经接通以将在该非钉扎光电二极管中光生之该等电荷载子进一步驱动至该浮动扩散部时，该升压电容器经耦合以接收一光电二极管升压信号。

    儲存閘保護
    9.
    发明专利
    儲存閘保護 审中-公开
    存储闸保护

    公开(公告)号：TW201830673A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106140862

    申请日：2017-11-24

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  馬渆圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  后藤高行 ,  GOTO, TAKAYUKI ,  楊 大江 ,  YANG, DAJIANG

    IPC分类号： H01L27/14

    摘要： 一種背側照明影像感測器包含：一半導體材料，其具有安置於該半導體材料中之複數個光電二極體；及一轉移閘，其電耦合至該複數個光電二極體中之一光電二極體以自該光電二極體提取影像電荷。該影像感測器亦包含一儲存閘，其電耦合至該轉移閘以自該轉移閘接收該影像電荷。該儲存閘具有：一閘電極，其經安置為緊接於該半導體材料之一前側；一光學屏蔽件，其安置於該半導體材料中；及一儲存節點，其安置於該閘電極與該光學屏蔽件之間。該光學屏蔽件與該儲存節點光學對準以防止入射於該背側照明影像感測器上之影像光到達該儲存節點。

    简体摘要： 一种背侧照明影像传感器包含：一半导体材料，其具有安置于该半导体材料中之复数个光电二极管；及一转移闸，其电耦合至该复数个光电二极管中之一光电二极管以自该光电二极管提取影像电荷。该影像传感器亦包含一存储闸，其电耦合至该转移闸以自该转移闸接收该影像电荷。该存储闸具有：一闸电极，其经安置为紧接于该半导体材料之一前侧；一光学屏蔽件，其安置于该半导体材料中；及一存储节点，其安置于该闸电极与该光学屏蔽件之间。该光学屏蔽件与该存储节点光学对准以防止入射于该背侧照明影像传感器上之影像光到达该存储节点。

    具有鏡像對稱像素行之影像感測器
    10.
    发明专利
    具有鏡像對稱像素行之影像感測器 审中-公开
    具有镜像对称像素行之影像传感器

    公开(公告)号：TW202019161A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW107146566

    申请日：2018-12-21

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 馬渆圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

    IPC分类号： H04N5/369

    摘要： 本發明提供一種影像感測器。該影像感測器包括：一第一像素行，其包括：一第一像素單元；一第二像素單元，其垂直地鄰接於該第一像素單元；一第一行位元線，其耦接至該第一像素單元，其中藉由該第一像素單元獲取之影像資料經由該第一行位元線讀出；及一第二行位元線，其耦接至該第二像素單元，其中藉由該第二像素單元獲取之影像資料經由該第二行位元線讀出；及一第二像素行，其水平地鄰接於該第一像素行，其中該第一像素行及該第二像素行關於該等像素單元與該等行位元線之間的一連接鏡像對稱。

    简体摘要： 本发明提供一种影像传感器。该影像传感器包括：一第一像素行，其包括：一第一像素单元；一第二像素单元，其垂直地邻接于该第一像素单元；一第一行比特线，其耦接至该第一像素单元，其中借由该第一像素单元获取之影像数据经由该第一行比特线读出；及一第二行比特线，其耦接至该第二像素单元，其中借由该第二像素单元获取之影像数据经由该第二行比特线读出；及一第二像素行，其水平地邻接于该第一像素行，其中该第一像素行及该第二像素行关于该等像素单元与该等行比特线之间的一连接镜像对称。