拓撲受限電漿增強循環沉積方法
    1.
    发明专利
    拓撲受限電漿增強循環沉積方法 审中-公开
    拓扑受限等离子增强循环沉积方法

    公开(公告)号:TW201833993A

    公开(公告)日:2018-09-16

    申请号:TW106138996

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 在一具體例中,本發明提供一種將設置於模板上具有間隔之垂直間隔件所構成之圖案轉移至該模板之方法,其包括藉由電漿增強循環沉積將作為間隔件傘層之層實質上僅沉積於由矽或金屬氧化物製成之各垂直間隔件的頂表面上,其中實質上沒有層被沉積於垂直間隔件之側壁及模板之暴露表面上,隨後使用具有間隔件傘層的垂直間隔件,藉由各向異性蝕刻,將垂直間隔件所構成之圖案轉移至模板。

    Abstract in simplified Chinese: 在一具体例中,本发明提供一种将设置于模板上具有间隔之垂直间隔件所构成之图案转移至该模板之方法,其包括借由等离子增强循环沉积将作为间隔件伞层之层实质上仅沉积于由硅或金属氧化物制成之各垂直间隔件的顶表面上,其中实质上没有层被沉积于垂直间隔件之侧壁及模板之暴露表面上,随后使用具有间隔件伞层的垂直间隔件,借由各向异性蚀刻,将垂直间隔件所构成之图案转移至模板。

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