非易失性記憶體的電壓控制電路及其控制方法
    2.
    发明专利
    非易失性記憶體的電壓控制電路及其控制方法 审中-公开
    非易失性内存的电压控制电路及其控制方法

    公开(公告)号:TW201724097A

    公开(公告)日:2017-07-01

    申请号:TW105137108

    申请日:2016-11-14

    IPC分类号: G11C5/14 G11C16/30

    摘要: 本發明提出了一種電壓控制電路,所述電壓控制電路採用正電荷泵和負電荷泵來產生具有三倍於供電電源信號的壓差的抹除電壓信號供給儲存單元中的浮閘電晶體。所述電壓控制電路包括升壓電路和降壓電路,所述降壓電路將供電電源信號轉變成斜坡信號,並藉由負電荷泵轉換成負向的斜坡信號。本發明提供的電壓控制電路結構簡單、製程相容性好,可極大地降低記憶體件的電路成本。

    简体摘要: 本发明提出了一种电压控制电路,所述电压控制电路采用正电荷泵和负电荷泵来产生具有三倍于供电电源信号的压差的抹除电压信号供给存储单元中的浮闸晶体管。所述电压控制电路包括升压电路和降压电路,所述降压电路将供电电源信号转变成斜坡信号,并借由负电荷泵转换成负向的斜坡信号。本发明提供的电压控制电路结构简单、制程兼容性好,可极大地降低内存件的电路成本。