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公开(公告)号：TWI590491B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW101113669
申请日：2012-04-17
发明人： 趙主立 , CHAO, CHU LI , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 宣融 , XUAN, RONG , 陳界文 , CHEN, CHIEH WEN , 張俊誠 , CHANG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L33/22
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公开(公告)号：TW201344960A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101113669
申请日：2012-04-17
发明人： 趙主立 , CHAO, CHU LI , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 宣融 , XUAN, RONG , 陳界文 , CHEN, CHIEH WEN , 張俊誠 , CHANG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 一種奈米圖樣化結構之製造方法。首先提供具有一感光塗層之一基板，將基板設置於機台，並令機台旋轉基板；使一雷射源的雷射光間隔地照射於旋轉基板上之感光塗層，且雷射光係自對應基板圓心沿著基板半徑向外位移以進行間歇地曝光，以於感光塗層上形成曝光區域。之後，顯影去除曝光區域之感光塗層，以形成一感光圖案。實施例之感光圖案包括多個點狀結構自接近基板圓心逐漸向外呈螺旋狀分佈排列。實施例可製成用來轉印的圖案化模板、或直接應用於元件的圖案化基板或圖案化表面。應用實施例之具圖樣化結構之光電元件，其出光效率明顯提升。
简体摘要： 一种奈米图样化结构之制造方法。首先提供具有一感光涂层之一基板，将基板设置于机台，并令机台旋转基板；使一激光源的激光光间隔地照射于旋转基板上之感光涂层，且激光光系自对应基板圆心沿着基板半径向外位移以进行间歇地曝光，以于感光涂层上形成曝光区域。之后，显影去除曝光区域之感光涂层，以形成一感光图案。实施例之感光图案包括多个点状结构自接近基板圆心逐渐向外呈螺旋状分布排列。实施例可制成用来转印的图案化模板、或直接应用于组件的图案化基板或图案化表面。应用实施例之具图样化结构之光电组件，其出光效率明显提升。
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公开(公告)号：TW201807374A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105126574
申请日：2016-08-19
发明人： 陳宗德 , CHEN, TZUNG TE , 劉學興 , LIU, HSUEH HSING , 朱峻汶 , CHU, CHUN WEN , 傅毅耕 , FU, YI KENG
IPC分类号： G01B11/24
CPC分类号： G01N21/8422 , G01B11/24 , G01N2021/8427 , H01L22/12
摘要： 一種薄膜曲率量測裝置，適用於量測薄膜的曲率，包含發光模組、第一光學模組、第二光學模組、第三光學模組與影像分析模組。發光模組發射單一雷射作為入射光。入射光傳播於第一光學模組形成的第一光學路徑，並經第二光學模組引導經第二光學路徑入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先傳播於第二光學路徑，再經第三光學模組引導沿第三光學路徑傳播，並被影像分析模組根據反射光的特徵，判斷出薄膜的曲率。
简体摘要： 一种薄膜曲率量测设备，适用于量测薄膜的曲率，包含发光模块、第一光学模块、第二光学模块、第三光学模块与影像分析模块。发光模块发射单一激光作为入射光。入射光传播于第一光学模块形成的第一光学路径，并经第二光学模块引导经第二光学路径入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先传播于第二光学路径，再经第三光学模块引导沿第三光学路径传播，并被影像分析模块根据反射光的特征，判断出薄膜的曲率。
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公开(公告)号：TW201621267A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143575
申请日：2014-12-12
发明人： 陳宗德 , CHEN, TZUNG TE , 王建評 , WANG, CHIEN PING , 殷尙彬 , YING, SHANG PING , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH , 周佩廷 , CHOU,PEI-TING
IPC分类号： G01B11/25
CPC分类号： G01B11/2513 , G01B11/255
摘要： 一種薄膜曲率量測裝置，適用於量測薄膜的曲率，包含發光模組、第一光學模組、第二光學模組、第三光學模組、影像擷取模組與影像分析模組。發光模組發射至少一線雷射作為入射光，入射光的截面係由直線形成的幾何圖形。入射光傳播於第一光學模組形成的第一光學路徑，並經第二光學模組引導經第二光學路徑入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先傳播於第二光學路徑，再經第三光學模組引導沿第三光學路徑傳播，並被影像擷取模組擷取。影像分析模組根據反射光的特徵，判斷出薄膜的曲率。
简体摘要： 一种薄膜曲率量测设备，适用于量测薄膜的曲率，包含发光模块、第一光学模块、第二光学模块、第三光学模块、影像截取模块与影像分析模块。发光模块发射至少一线激光作为入射光，入射光的截面系由直线形成的几何图形。入射光传播于第一光学模块形成的第一光学路径，并经第二光学模块引导经第二光学路径入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先传播于第二光学路径，再经第三光学模块引导沿第三光学路径传播，并被影像截取模块截取。影像分析模块根据反射光的特征，判断出薄膜的曲率。
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公开(公告)号：TW201419571A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102141671
申请日：2013-11-15
发明人： 傅毅耕 , FU, YI KENG , 宣融 , XUAN, RONG , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/002 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , Y10T428/24562
摘要： 一種發光二極體裝置，其包括載體、p型半導體層及n型半導體層、主動層、第一電極與第二電極。載體具有生長表面及在生長表面上的至少一奈米圖案化結構，其中載體包括基板及配置於基板與n型半導體層之間的半導體披覆層。n型半導體層及p型半導體層位於載體的生長表面之上。主動層位於n型半導體層與p型半導體層之間，其中述主動層發射的光波長λ滿足222 nm≦λ≦405 nm之關係式，且主動層的缺陷密度小於或等於5x1010/cm2。第一電極與第二電極分別連接至n型半導體層及p型半導體層。一種用於承載半導體層的載體亦被提出。
简体摘要： 一种发光二极管设备，其包括载体、p型半导体层及n型半导体层、主动层、第一电极与第二电极。载体具有生长表面及在生长表面上的至少一奈米图案化结构，其中载体包括基板及配置于基板与n型半导体层之间的半导体披覆层。n型半导体层及p型半导体层位于载体的生长表面之上。主动层位于n型半导体层与p型半导体层之间，其中述主动层发射的光波长λ满足222 nm≦λ≦405 nm之关系式，且主动层的缺陷密度小于或等于5x1010/cm2。第一电极与第二电极分别连接至n型半导体层及p型半导体层。一种用于承载半导体层的载体亦被提出。
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公开(公告)号：TW201415663A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101150371
申请日：2012-12-27
发明人： 方彥翔 , FANG, YEN HSIANG , 廖宸梓 , LIAO, CHEN ZI , 宣融 , XUAN, RONG , 呂健賓 , LU, CHIEN PIN , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 胡智威 , HU, CHIH WEI , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/025 , H01L33/32
摘要： 一種氮化物半導體裝置包括矽基板、成核層、第一緩衝層、第一型的氮化物半導體層、發光層及第二型的氮化物半導體層。成核層配置在矽基板上。第一緩衝層配置在成核層上。第一緩衝層包括摻質與鎵，且摻質的原子半徑大於鎵的原子半徑。第一型的氮化物半導體層配置在第一緩衝層上方。發光層配置在第一型的氮化物半導體層上。第二型的氮化物半導體層配置在發光層上。
简体摘要： 一种氮化物半导体设备包括硅基板、成核层、第一缓冲层、第一型的氮化物半导体层、发光层及第二型的氮化物半导体层。成核层配置在硅基板上。第一缓冲层配置在成核层上。第一缓冲层包括掺质与镓，且掺质的原子半径大于镓的原子半径。第一型的氮化物半导体层配置在第一缓冲层上方。发光层配置在第一型的氮化物半导体层上。第二型的氮化物半导体层配置在发光层上。
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公开(公告)号：TW201415661A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101149888
申请日：2012-12-25
发明人： 方彥翔 , FANG, YEN HSIANG , 廖宸梓 , LIAO, CHEN ZI , 宣融 , XUAN, RONG , 呂健賓 , LU, CHIEN PIN , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 胡智威 , HU, CHIH WEI , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/32
摘要： 一種氮化物半導體裝置包括矽基板、成核層、緩衝層、第一型的氮化物半導體層、發光層及第二型的氮化物半導體層。成核層配置在矽基板上。緩衝層配置在成核層上。第一型的氮化物半導體層配置在緩衝層上。第一型的摻質摻雜於第一型的氮化物半導體層，緩衝層與第一型的氮化物半導體層中至少一者包括共摻質分佈於其中，且共摻質的原子半徑大於第一型的摻質的原子半徑。發光層配置在第一型的氮化物半導體層上。第二型的氮化物半導體層配置在發光層上，第二型的氮化物半導體層包括第二型的摻質。
简体摘要： 一种氮化物半导体设备包括硅基板、成核层、缓冲层、第一型的氮化物半导体层、发光层及第二型的氮化物半导体层。成核层配置在硅基板上。缓冲层配置在成核层上。第一型的氮化物半导体层配置在缓冲层上。第一型的掺质掺杂于第一型的氮化物半导体层，缓冲层与第一型的氮化物半导体层中至少一者包括共掺质分布于其中，且共掺质的原子半径大于第一型的掺质的原子半径。发光层配置在第一型的氮化物半导体层上。第二型的氮化物半导体层配置在发光层上，第二型的氮化物半导体层包括第二型的掺质。
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公开(公告)号：TW201338196A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102103818
申请日：2013-01-31
发明人： 傅毅耕 , FU, YI KENG
摘要： 一種發光二極體，包括藍寶石基板、N型半導體層、主動層、P型半導體層、第一電極與第二電極。N型半導體層位於藍寶石基板上。主動層具有缺陷密度為DD的活性區，其中DD≧2x107/cm3，主動層位於N型半導體層與P型半導體層之間。主動層發出之光波長λ為222 nm≦λ≦405 nm，主動層包括i層的量子阻障層及(i-1)層量子井。各量子井於任兩層量子阻障層之間，i為大於等於2的自然數。摻雜N型摻質於量子阻障層中的至少k層，k為大於等於1的自然數，當i為偶數時，k≧i/2，當i為奇數時，k≧(i-1)/2。第一電極與第二電極分別位於N型半導體層與P半導體層上。另提出多種發光二極體。
简体摘要： 一种发光二极管，包括蓝宝石基板、N型半导体层、主动层、P型半导体层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于蓝宝石基板上。主动层具有缺陷密度为DD的活性区，其中DD≧2x107/cm3，主动层位于N型半导体层与P型半导体层之间。主动层发出之光波长λ为222 nm≦λ≦405 nm，主动层包括i层的量子阻障层及(i-1)层量子井。各量子井于任两层量子阻障层之间，i为大于等于2的自然数。掺杂N型掺质于量子阻障层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≧i/2，当i为奇数时，k≧(i-1)/2。第一电极与第二电极分别位于N型半导体层与P半导体层上。另提出多种发光二极管。
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公开(公告)号：TW201824580A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106100039
申请日：2017-01-03
发明人： 劉學興 , LIU, HSUEH HSING , 何漢傑 , HO, HAN CHIEH , 傅毅耕 , FU, YI KENG
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本發明實施例提供一種半導體基板結構。半導體基板結構包括一第一熱傳導部分，具有一第一熱傳導係數，上述第一熱傳導部分包括一基板的一第一區，上述基板具有一頂面和一底面；一第二熱傳導部分，相鄰上述第一熱傳導區，且具有不等於上述第一熱傳導係數的一第二熱傳導係數，上述第二熱傳導部分包括：上述基板的一第二區，其中上述第二區相鄰上述第一區；一半導體圖案層，覆蓋上述第一熱傳導部分的上述基板的上述頂面，且於一平面圖中，上述第一熱傳導部分的一邊界位於上述半導體圖案層的一邊界內。
简体摘要： 本发明实施例提供一种半导体基板结构。半导体基板结构包括一第一热传导部分，具有一第一热传导系数，上述第一热传导部分包括一基板的一第一区，上述基板具有一顶面和一底面；一第二热传导部分，相邻上述第一热传导区，且具有不等于上述第一热传导系数的一第二热传导系数，上述第二热传导部分包括：上述基板的一第二区，其中上述第二区相邻上述第一区；一半导体图案层，覆盖上述第一热传导部分的上述基板的上述顶面，且于一平面图中，上述第一热传导部分的一边界位于上述半导体图案层的一边界内。
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