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公开(公告)号：TWI692538B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107142332
申请日：2018-11-27
发明人： 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 張益三 , CHANG, YI-SAN , 田偉辰 , TIEN, WEI-CHEN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 洪政源 , HUNG, CHENG-YUAN , 吳以德 , WU, YII-DER
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公开(公告)号：TW201822364A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105139858
申请日：2016-12-02
发明人： 翁敏航 , WENG, MIN-HANG , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 蔡潔娃 , TSAI, CHIEH-WA , 吳春森 , WU, CHUN-SEN
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/042
摘要： 一種矽基異質接面太陽能電池，包括以下構件。基板具有相對的第一表面與第二表面。第一本質型半導體層設置於第一表面上。第二本質型半導體層設置於第二表面上。P型半導體層設置於第一本質型半導體層上。第一電極設置於P型半導體層上。N型半導體層設置於第二本質型半導體層上。第二電極設置於N型半導體層上。第一本質型半導體層的厚度與第二本質型半導體層的厚度分別為10 nm至20 nm。在第一本質型半導體層與第二本質型半導體層中分別包含至少一個矽量子點。
简体摘要： 一种硅基异质接面太阳能电池，包括以下构件。基板具有相对的第一表面与第二表面。第一本质型半导体层设置于第一表面上。第二本质型半导体层设置于第二表面上。P型半导体层设置于第一本质型半导体层上。第一电极设置于P型半导体层上。N型半导体层设置于第二本质型半导体层上。第二电极设置于N型半导体层上。第一本质型半导体层的厚度与第二本质型半导体层的厚度分别为10 nm至20 nm。在第一本质型半导体层与第二本质型半导体层中分别包含至少一个硅量子点。
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公开(公告)号：TWI692114B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW107141262
申请日：2018-11-20
发明人： 田偉辰 , TIEN, WEI-CHEN , 洪政源 , HUNG, CHENG-YUAN , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： H01L31/18
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公开(公告)号：TWI684669B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107141828
申请日：2018-11-23
发明人： 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 洪政源 , HUNG, CHENG-YUAN , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： C23C16/455
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公开(公告)号：TWI647327B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106142285
申请日：2017-12-01
发明人： 田偉辰 , TIEN, WEI-CHEN , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： C23C16/02 , H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/24 , C23C16/30 , H01L31/20 , H01L31/074 , H01L21/322
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公开(公告)号：TW201822369A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105139875
申请日：2016-12-02
发明人： 翁敏航 , WENG, MIN-HANG , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 蔡潔娃 , TSAI, CHIEH-WA , 吳春森 , WU, CHUN-SEN
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/042
摘要： 一種矽基異質接面太陽能電池，包括以下構件。基板具有相對的第一表面與第二表面。第一本質型半導體層設置於第一表面上。P型半導體層設置於第一本質型半導體層上。第一透明導電膜設置於P型半導體層上。第一電極設置於第一透明導電膜上。第二本質型半導體層設置於第二表面上。N型半導體層設置於第二本質型半導體層上。第二透明導電膜設置於N型半導體層上。第二電極設置於第二透明導電膜上。第一透明導電膜的材料與第二透明導電膜的材料分別為藉由離子電漿蒸鍍沉積法所形成的氫化鎢氧化銦。
简体摘要： 一种硅基异质接面太阳能电池，包括以下构件。基板具有相对的第一表面与第二表面。第一本质型半导体层设置于第一表面上。P型半导体层设置于第一本质型半导体层上。第一透明导电膜设置于P型半导体层上。第一电极设置于第一透明导电膜上。第二本质型半导体层设置于第二表面上。N型半导体层设置于第二本质型半导体层上。第二透明导电膜设置于N型半导体层上。第二电极设置于第二透明导电膜上。第一透明导电膜的材料与第二透明导电膜的材料分别为借由离子等离子蒸镀沉积法所形成的氢化钨氧化铟。
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公开(公告)号：TW201821015A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140173
申请日：2016-12-06
发明人： 翁敏航 , WENG, MIN-HANG , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 蔡潔娃 , TSAI, CHIEH-WA , 吳春森 , WU, CHUN-SEN
摘要： 一種微波成像系統，其包括訊號發射電路、訊號接收電路，以及訊號處理與運算電路。訊號發射電路朝向待測物體發射出具有至少一頻率的至少一微波訊號，而訊號接收電路接收穿透此待測物體的微波訊號與此待測物體所反射的微波訊號。訊號處理與運算電路用以產生具有不同頻率的微波訊號。訊號處理與運算電路並根據訊號接收電路所接收的微波訊號而產生待測物體的檢測影像。訊號發射電路的發射天線與訊號接收電路的接收天線各自為一平面超材料天線，且此平面超材料天線包括週期性排列的多個共振單元。
简体摘要： 一种微波成像系统，其包括信号发射电路、信号接收电路，以及信号处理与运算电路。信号发射电路朝向待测物体发射出具有至少一频率的至少一微波信号，而信号接收电路接收穿透此待测物体的微波信号与此待测物体所反射的微波信号。信号处理与运算电路用以产生具有不同频率的微波信号。信号处理与运算电路并根据信号接收电路所接收的微波信号而产生待测物体的检测影像。信号发射电路的发射天线与信号接收电路的接收天线各自为一平面超材料天线，且此平面超材料天线包括周期性排列的多个共振单元。
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公开(公告)号：TWI617041B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105139875
申请日：2016-12-02
发明人： 翁敏航 , WENG, MIN-HANG , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 蔡潔娃 , TSAI, CHIEH-WA , 吳春森 , WU, CHUN-SEN
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/042
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公开(公告)号：TWI651430B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106142321
申请日：2017-12-04
发明人： 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 吳奕達 , WU, YI-TA , 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/52
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公开(公告)号：TW201822370A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140329
申请日：2016-12-07
发明人： 葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 翁敏航 , WENG, MIN-HANG , 田偉辰 , TIEN, WEI-CHEN , 吳春森 , WU, CHUN-SEN , 黃玉君 , HUANG, YU-CHUN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/042
摘要： 一種異質接面太陽電池的製作方法，於基板的相反面分別形成第一本質型半導體層和第二本質型半導體層，再採用頻率高於25兆赫的電漿源於第一本質型半導體層和第二本質型半導體層上分別形成厚度低於5奈米的第一氧化層及第二氧化層，接著於第一氧化層和第二氧化層上分別形成p型矽半導體層及n型矽半導體層，再各別於p型矽半導體層和n型矽半導體層上沉積形成透明導電層，最後於每一透明導電層上分別形成電極。
简体摘要： 一种异质接面太阳电池的制作方法，于基板的相反面分别形成第一本质型半导体层和第二本质型半导体层，再采用频率高于25兆赫的等离子源于第一本质型半导体层和第二本质型半导体层上分别形成厚度低于5奈米的第一氧化层及第二氧化层，接着于第一氧化层和第二氧化层上分别形成p型硅半导体层及n型硅半导体层，再各别于p型硅半导体层和n型硅半导体层上沉积形成透明导电层，最后于每一透明导电层上分别形成电极。
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