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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW486758B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW089124520
申请日：2000-11-20
Applicant: 都卡洛股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01J37/32477 , B01J19/02 , B01J2219/0218 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , B01J2219/0263 , B01J2219/0286 , B01J2219/0894 , C09D1/00 , C23C4/00 , C23C4/02 , C23C4/11 , Y10T428/12458 , Y10T428/12479 , Y10T428/12549 , Y10T428/12618 , Y10T428/24999
Abstract: 本發明提供一種電漿(plasma)處理容器內部材及其製造方法，在含有鹵素(halogen)氣體的工作環境下，該電漿處理容器內部材其有良好的耐化學腐蝕性及耐電漿侵蝕性(plasma erosion)。為了要達到此目的，需在基材表面先形成當作下層皮膜(under coat)的金屬皮膜，然後在該下層皮膜上形成一Al2O3中間層，然後在該中間層上方形成一上層皮膜(top coat)，該上層皮膜是Y2O3溶射皮膜。因此電漿處理容器內部材，是由上述各皮膜形成的多層狀複合層所構成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种等离子(plasma)处理容器内部材及其制造方法，在含有卤素(halogen)气体的工作环境下，该等离子处理容器内部材其有良好的耐化学腐蚀性及耐等离子侵蚀性(plasma erosion)。为了要达到此目的，需在基材表面先形成当作下层皮膜(under coat)的金属皮膜，然后在该下层皮膜上形成一Al2O3中间层，然后在该中间层上方形成一上层皮膜(top coat)，该上层皮膜是Y2O3溶射皮膜。因此等离子处理容器内部材，是由上述各皮膜形成的多层状复合层所构成。
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公开(公告)号：TW201342462A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101145748
申请日：2012-12-05
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
Inventor： 西野雅 , NISHINO, MASARU , 真壁正嗣 , MAKABE, MASATSUGU , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 半田達也 , HANDA, TATSUYA , 綠川良太郎 , MIDORIKAWA, RYOTARO , 小林啟悟 , KOBAYASHI, KEIGO , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本發明提供一種電漿處理裝置及電漿處理方法，在導入含鹵素氣體及含氧氣氣體之電漿處理中，抑制微小微粒的產生。本發明提供之電漿處理裝置10具備：可減壓之處理容器12；下部電極，兼作於處理容器載置晶圓W之載置台20；上部電極或天線電極，以與下部電極對向的方式配置；氣體供給源32，將含鹵素氣體及含氧氣氣體導入處理容器內；高頻電源18，對上部電極、天線電極或下部電極之至少任一電極施加電漿產生用之高頻電力；以及電漿處理之機構，以電漿產生用之高頻電力使該氣體電漿化，藉由電漿之作用將載置台上之晶圓進行電漿處理；其特徵為：在處理容器內之暴露於電漿的表面中，至少將較晶圓之載置位置更接近上部電極側、天線電極或下部電極側之高度的表面其一部分或全部，以氟化物包覆。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种等离子处理设备及等离子处理方法，在导入含卤素气体及含氧气气体之等离子处理中，抑制微小微粒的产生。本发明提供之等离子处理设备10具备：可减压之处理容器12；下部电极，兼作于处理容器载置晶圆W之载置台20；上部电极或天线电极，以与下部电极对向的方式配置；气体供给源32，将含卤素气体及含氧气气体导入处理容器内；高频电源18，对上部电极、天线电极或下部电极之至少任一电极施加等离子产生用之高频电力；以及等离子处理之机构，以等离子产生用之高频电力使该气体等离子化，借由等离子之作用将载置台上之晶圆进行等离子处理；其特征为：在处理容器内之暴露于等离子的表面中，至少将较晶圆之载置位置更接近上部电极侧、天线电极或下部电极侧之高度的表面其一部分或全部，以氟化物包覆。
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公开(公告)号：TW201621065A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130520
申请日：2015-09-16
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
Inventor： 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 三橋康至 , MITSUHASHI, KOJI , 虻川志向 , ABUKAWA, SHIKOU , 永井正也 , NAGAI, MASAYA , 金澤義典 , KANAZAWA, YOSHINORI , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
Abstract: 本發明之課題係抑制由氟化釔製之熱熔射皮膜產生粒子。 本發明之解決手段係提供在電漿處理裝置內暴露於電漿之零件。該零件具有基材及皮膜。基材係例如由鋁、或鋁合金製成。在基材之表面可形成有防蝕鋁膜。皮膜係藉由在包含基材或設於該基材上之層的基底的表面上熱熔射氟化釔而形成。該零件之皮膜內的孔隙率係4%以下，且該皮膜之表面的算術平均粗度(Ra)係4.5µm以下。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题系抑制由氟化钇制之热熔射皮膜产生粒子。 本发明之解决手段系提供在等离子处理设备内暴露于等离子之零件。该零件具有基材及皮膜。基材系例如由铝、或铝合金制成。在基材之表面可形成有防蚀铝膜。皮膜系借由在包含基材或设于该基材上之层的基底的表面上热熔射氟化钇而形成。该零件之皮膜内的孔隙率系4%以下，且该皮膜之表面的算术平均粗度(Ra)系4.5µm以下。
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公开(公告)号：TWI616558B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW104130520
申请日：2015-09-16
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
Inventor： 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 三橋康至 , MITSUHASHI, KOJI , 虻川志向 , ABUKAWA, SHIKOU , 永井正也 , NAGAI, MASAYA , 金澤義典 , KANAZAWA, YOSHINORI , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
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公开(公告)号：TWI597773B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW101145748
申请日：2012-12-05
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
Inventor： 西野雅 , NISHINO, MASARU , 真壁正嗣 , MAKABE, MASATSUGU , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 半田達也 , HANDA, TATSUYA , 綠川良太郎 , MIDORIKAWA, RYOTARO , 小林啟悟 , KOBAYASHI, KEIGO , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
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