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    有機薄膜太陽能電池製備方法和製備裝置
    3.
    发明专利
    有機薄膜太陽能電池製備方法和製備裝置 审中-公开
    有机薄膜太阳能电池制备方法和制备设备

    公开(公告)号：TW201803177A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：TW105127724

    申请日：2016-08-29

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 魏洋 ,  WEI, YANG ,  魏浩明 ,  WEI, HAO-MING ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: H01L51/48

    CPC classification number: H01L51/0048 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035227 ,  Y02E10/549

    Abstract: 本發明提供一種有機薄膜太陽能電池的製備方法和製備裝置，該製備方法包括：提供一基底，在該基底表面形成第一電極；提供一蒸發源，該蒸發源包括奈米碳管膜結構及光活性層源材料，該奈米碳管膜結構為一載體，該光活性層源材料設置在該奈米碳管膜結構表面，通過該奈米碳管膜結構承載，該光活性層源材料為該光活性層的材料或者用於形成該光活性層的前驅體，該前驅體在蒸鍍的過程中反應生成該光活性層；將該蒸發源與基底具有第一電極的表面相對且間隔設置，並向該奈米碳管膜結構輸入電磁波訊號或電訊號，使該光活性層源材料蒸發，在該第一電極上蒸鍍形成光活性層；以及在該光活性層上形成第二電極。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种有机薄膜太阳能电池的制备方法和制备设备，该制备方法包括：提供一基底，在该基底表面形成第一电极；提供一蒸发源，该蒸发源包括奈米碳管膜结构及光活性层源材料，该奈米碳管膜结构为一载体，该光活性层源材料设置在该奈米碳管膜结构表面，通过该奈米碳管膜结构承载，该光活性层源材料为该光活性层的材料或者用于形成该光活性层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该光活性层；将该蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该奈米碳管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该光活性层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成光活性层；以及在该光活性层上形成第二电极。

    奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法
    5.
    发明专利
    奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法 审中-公开
    奈米碳管数组的转移方法及奈米碳管结构的制备方法

    公开(公告)号：TW201609528A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：TW103122000

    申请日：2014-06-25

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 魏洋 ,  WEI, YANG ,  魏浩明 ,  WEI, HAO-MING ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C01B31/0253 ,  B32B9/007 ,  B32B9/04 ,  B32B37/025 ,  B32B2307/202 ,  B32B2313/04 ,  B32B2329/04 ,  C01B32/168

    Abstract: 本發明提供一種奈米碳管陣列的轉移方法，將該代替基底設置在該奈米碳管陣列的第二表面，並使該代替基底與該奈米碳管陣列的第二表面之間具有聚乙烯醇溶液；使位於該代替基底與該奈米碳管陣列的第二表面之間的該聚乙烯醇溶液中的溶劑固化變為冰；通過移動該代替基底與該生長基底中的至少一方，使該代替基底與該生長基底相遠離從而使該奈米碳管陣列與該生長基底分離並轉移至該代替基底；以及通過升溫去除位於該代替基底與該奈米碳管陣列之間的冰並使該聚乙烯醇留於該代替基底與該奈米碳管陣列之間。本發明還提供一種奈米碳管結構的製備方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种奈米碳管数组的转移方法，将该代替基底设置在该奈米碳管数组的第二表面，并使该代替基底与该奈米碳管数组的第二表面之间具有聚乙烯醇溶液；使位于该代替基底与该奈米碳管数组的第二表面之间的该聚乙烯醇溶液中的溶剂固化变为冰；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离从而使该奈米碳管数组与该生长基底分离并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该奈米碳管数组之间的冰并使该聚乙烯醇留于该代替基底与该奈米碳管数组之间。本发明还提供一种奈米碳管结构的制备方法。

    奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法
    7.
    发明专利
    奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法 审中-公开
    奈米碳管数组的转移方法及奈米碳管结构的制备方法

    公开(公告)号：TW201545974A

    公开(公告)日：2015-12-16

    申请号：TW103112921

    申请日：2014-04-08

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 魏洋 ,  WEI, YANG ,  魏浩明 ,  WEI, HAO-MING ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

    CPC classification number: B82Y40/00 ,  C01B31/0253 ,  C01B32/168

    Abstract: 本發明提供一種奈米碳管陣列的轉移方法，提供一代替基底及一生長基底，該生長基底表面具有奈米碳管陣列；使該代替基底與該奈米碳管陣列之間具有水；使位於該代替基底與該奈米碳管陣列之間的水變為冰；通過移動該代替基底與該生長基底中的至少一方，使該代替基底與該生長基底相遠離，從而使該奈米碳管陣列與該生長基底分離，並轉移至該代替基底；以及通過升溫去除位於該代替基底與該奈米碳管陣列之間的冰，去除冰後該奈米碳管陣列的形態仍能夠使得一奈米碳管結構從該奈米碳管陣列中連續地拉出。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种奈米碳管数组的转移方法，提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有奈米碳管数组；使该代替基底与该奈米碳管数组之间具有水；使位于该代替基底与该奈米碳管数组之间的水变为冰；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该奈米碳管数组与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该奈米碳管数组之间的冰，去除冰后该奈米碳管数组的形态仍能够使得一奈米碳管结构从该奈米碳管数组中连续地拉出。

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