片式電子元件中的端子電極形成方法及其裝置
    1.
    发明专利
    片式電子元件中的端子電極形成方法及其裝置 有权
    片式电子组件中的端子电极形成方法及其设备

    公开(公告)号:TW476076B

    公开(公告)日:2002-02-11

    申请号:TW090107620

    申请日:2001-03-30

    IPC: H01G

    Abstract: 本發明提供一種電極形成方法,其步驟為:將片式電子元件以陣列配置在一陣列配置平床上,藉以安置及對準元件;以相對的方式,將一塗有粘劑的薄膜及一平行於陣列配置平床的粘合頂板降低,藉以將安置及對準的片式電子元件端部粘合至粘劑;然後,以相對的方式,將粘有片式電子元件的第一薄膜以及一塗覆頂板一起降低,塗覆頂板係平行於一設有恆定厚度的導電膠層之塗覆平床,藉以將片式電子元件的其他端部壓至塗覆平床,且以導電膠塗佈電子元件的端部。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电极形成方法,其步骤为:将片式电子组件以数组配置在一数组配置平床上,借以安置及对准组件;以相对的方式,将一涂有粘剂的薄膜及一平行于数组配置平床的粘合顶板降低,借以将安置及对准的片式电子组件端部粘合至粘剂;然后,以相对的方式,将粘有片式电子组件的第一薄膜以及一涂覆顶板一起降低,涂覆顶板系平行于一设有恒定厚度的导电胶层之涂覆平床,借以将片式电子组件的其他端部压至涂覆平床,且以导电胶涂布电子组件的端部。

    陶瓷電子零件及陶瓷電子零件之製造方法
    2.
    发明专利
    陶瓷電子零件及陶瓷電子零件之製造方法 审中-公开
    陶瓷电子零件及陶瓷电子零件之制造方法

    公开(公告)号:TW201128666A

    公开(公告)日:2011-08-16

    申请号:TW099126526

    申请日:2010-08-09

    IPC: H01G

    CPC classification number: H01G4/2325 B23K1/0016 H01G4/30

    Abstract: 本發明提供一種可直接以無鉛焊料覆蓋基底電極層而又不會降低可靠性之陶瓷電子零件及陶瓷電子零件之製造方法。端子電極3包括:藉由燒結而形成之Cu之基底電極層21;由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge之五元系無鉛焊料所形成之焊料層22;及於基底電極層21與焊料層22之間藉由Ni擴散而形成之擴散層23。如此般於基底電極層21與焊料層22之間形成Ni之擴散層23,因而可藉由作為阻障層發揮作用之該擴散層23抑制基底電極層21之Cu受焊料侵蝕。又,Ni之擴散層23可抑制生長脆性之Sn-Cu金屬間化合物。因此,可抑制基底電極層21與焊料層22之間之接合強度之降低。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可直接以无铅焊料覆盖基底电极层而又不会降低可靠性之陶瓷电子零件及陶瓷电子零件之制造方法。端子电极3包括:借由烧结而形成之Cu之基底电极层21;由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge之五元系无铅焊料所形成之焊料层22;及于基底电极层21与焊料层22之间借由Ni扩散而形成之扩散层23。如此般于基底电极层21与焊料层22之间形成Ni之扩散层23,因而可借由作为阻障层发挥作用之该扩散层23抑制基底电极层21之Cu受焊料侵蚀。又,Ni之扩散层23可抑制生长脆性之Sn-Cu金属间化合物。因此,可抑制基底电极层21与焊料层22之间之接合强度之降低。

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