公开(公告)号：TWI450312B

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：TW101107111

申请日：2012-03-02

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 魏洋 ,  WEI, YANG ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01J1/14 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/042 ,  H01J37/073 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06333 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/28 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24132

公开(公告)号：TWI429781B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW094138909

申请日：2005-11-04

Applicant: 日本普瑞倫有限責任公司 ,  PURERON JAPAN CO., LTD.

Inventor： 羽場方紀

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/26 ,  G02F1/13357

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/26 ,  H01J9/025 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/30469

公开(公告)号：TWI420564B

公开(公告)日：2013-12-21

申请号：TW099107617

申请日：2010-03-16

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 王博弘 ,  WANG, PO HUNG ,  林依萍 ,  LIN, YI PING ,  周彥伊 ,  CHOU, YEN I ,  劉旻忠 ,  LIU, MING CHUNG ,  李中裕 ,  LI, JUNG YU ,  陳世溥 ,  CHEN, SHIH PU ,  謝榮雅 ,  HSIEH, JUNG YA ,  簡大為 ,  CHIEN, TA WEI

IPC: H01J61/30 ,  H01J61/35

CPC classification number: H01J63/06 ,  H01J63/02

公开(公告)号：TW201244306A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101107487

申请日：2012-03-06

Applicant: 牛尾電機股份有限公司

Inventor： 山口真典 ,  前阻剛 ,  高木亮平 ,  高田寬之

IPC: H01S

CPC classification number: H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01L33/0004 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [課題]提供透光窗不帶電,電子束確實射入至半導體發光元件之一面,可獲得高發光效率的電子束激發型光源裝置。[解決手段]一種電子束激發型光源裝置,係於具有透光窗的殼體內,配置電子束源及藉由來自此電子束源的電子束來放射光線的半導體發光元件所構成,藉由於前述半導體發光元件之一面被來自前述電子束源的電子束射入,從該半導體發光元件之該一面放射光線,並從前述透光窗射出的電子束激發型光源裝置,其特徵為:於前述透光窗或於前述透光窗與前述半導體發光元件之間,設置有被維持為負的電位,且由具有透光部的導電體所構成之電子束遮蔽電極。

Abstract in simplified Chinese: [课题]提供透光窗不带电,电子束确实射入至半导体发光组件之一面,可获得高发光效率的电子束激发型光源设备。[解决手段]一种电子束激发型光源设备,系于具有透光窗的壳体内,配置电子束源及借由来自此电子束源的电子束来放射光线的半导体发光组件所构成,借由于前述半导体发光组件之一面被来自前述电子束源的电子束射入,从该半导体发光组件之该一面放射光线,并从前述透光窗射出的电子束激发型光源设备,其特征为:于前述透光窗或于前述透光窗与前述半导体发光组件之间,设置有被维持为负的电位,且由具有透光部的导电体所构成之电子束屏蔽电极。

公开(公告)号：TW201214495A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100111874

申请日：2011-04-06

Applicant: 光學實驗室公司

Inventor： 胡魁鴻

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本發明係關於一種場發射陰極，該場發射陰極包含至少部分導電基底結構，及空間上分佈於該基底結構處之複數個導電微米大小區段，其中該複數個微米大小區段之至少一部分各自具備複數個導電奈米結構。本發明之優點包括較低功率消耗，以及(例如)包含該場發射陰極之場發射照明配置之光輸出增加。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种场发射阴极，该场发射阴极包含至少部分导电基底结构，及空间上分布于该基底结构处之复数个导电微米大小区段，其中该复数个微米大小区段之至少一部分各自具备复数个导电奈米结构。本发明之优点包括较低功率消耗，以及(例如)包含该场发射阴极之场发射照明配置之光输出增加。

公开(公告)号：TWI348724B

公开(公告)日：2011-09-11

申请号：TW096120870

申请日：2007-06-08

Applicant: 大同股份有限公司

Inventor： 呂立永 ,  洪志明 ,  楊宗翰

IPC: H01J

CPC classification number: H01J63/02 ,  H01J63/06

Abstract: 本發明係有關於一種可作為場發射電子源之電極及其光源面板與光源元件，其在一下基板上形成由一電子發射源材料與一導電材料之混合物製作之複數個導電發射體，以使其除了可作為陰極、閘極之外，亦可作為場發射電子源，從而簡化結構、簡化製程並增加場發射光源面板之亮度與均勻性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种可作为场发射电子源之电极及其光源皮肤与光源组件，其在一下基板上形成由一电子发射源材料与一导电材料之混合物制作之复数个导电发射体，以使其除了可作为阴极、闸极之外，亦可作为场发射电子源，从而简化结构、简化制程并增加场发射光源皮肤之亮度与均匀性。

公开(公告)号：TW200941534A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW097145846

申请日：2008-11-26

Applicant: 杜邦股份有限公司

Inventor： 雷泰 安德魯 陳 ,  亞當 費尼摩爾

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2329/4673 ,  H01J2329/4691

Abstract: 本發明係關於具有UV阻擋、絕緣介電層之場發射陰極組件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于具有UV阻挡、绝缘介电层之场发射阴极组件。

公开(公告)号：TW200901260A

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW097106399

申请日：2008-02-25

Applicant: 東麗股份有限公司 TORAY INDUSTRIES, INC.

Inventor： 重田和樹 SHIGETA, KAZUKI ,  井上武治郎 INOUE, TAKEJIRO ,  池田篤 IKEDA, ATSUSHI ,  後藤一起 GOTO, KAZUKI

IPC: H01J ,  H01B

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本發明之課題在於提供一種電子放射源用糊,其係藉由含有具備最適範圍粒徑之導電性粒子,能夠保持CNT與陰極電極之良好電性接觸。而用以解決問題之手段為一種電子放射源用糊,其係含有直徑為1nm以上、低於10nm之碳奈米管,與平均粒徑為0.1~1���m之導電性粒子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种电子放射源用煳,其系借由含有具备最适范围粒径之导电性粒子,能够保持CNT与阴极电极之良好电性接触。而用以解决问题之手段为一种电子放射源用煳,其系含有直径为1nm以上、低于10nm之碳奈米管,与平均粒径为0.1~1���m之导电性粒子。

公开(公告)号：TW200829074A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW095149947

申请日：2006-12-29

Applicant: 大同股份有限公司 TATUNG CO., LTD.

Inventor： 李宏元 LI, HUNG YUAN ,  鄭健民 JHEG, JIAN MIN

IPC: H05B

CPC classification number: H01J29/30 ,  H01J29/04 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2329/04 ,  H01J2329/4634

Abstract: 本發明係關於一種場發射顯示裝置,尤指一種具有下閘極場發射結構的場發射顯示裝置,其包括:一下基板;一上基板;一形成於此上基板之相對於此下基板之表面的陽極層;複數個形成於此下基板之相對於此上基板之表面的閘極層;一覆蓋此下基板之表面及此等閘極層的絕緣層;複數個形成於此絕緣層之表面的陰極層;以及複數個形成於此等陰極層之表面的場發射層。因此,本發明之場發射顯示裝置不僅可藉由其下閘極場發射結構提供之均勻化的閘極電場以控制其各顯示畫素的作動,其亦可降低其閘極層與其場發射層之間發生不正常導通的機率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种场发射显示设备,尤指一种具有下闸极场发射结构的场发射显示设备,其包括:一下基板;一上基板;一形成于此上基板之相对于此下基板之表面的阳极层;复数个形成于此下基板之相对于此上基板之表面的闸极层;一覆盖此下基板之表面及此等闸极层的绝缘层;复数个形成于此绝缘层之表面的阴极层;以及复数个形成于此等阴极层之表面的场发射层。因此,本发明之场发射显示设备不仅可借由其下闸极场发射结构提供之均匀化的闸极电场以控制其各显示像素的作动,其亦可降低其闸极层与其场发射层之间发生不正常导通的概率。

公开(公告)号：TW200828395A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW096128407

申请日：2007-08-02

Applicant: 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 陳世溥 CHEN, SHIH PU ,  李中裕 LI, JUNG YU ,  林依萍 LIN, YI PING ,  林韋至 LIN, WEI CHIH ,  卓連益 CHO, LIAN YI

IPC: H01J

CPC classification number: H01J17/49 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

Abstract: 一種光源裝置,包括一陰極結構、一陽極結構、一螢光層、以及一低壓氣體層。螢光層位於陰極結構與陽極結構之間。低壓氣體層是填充於陰極結構與陽極結構之間,有誘導陰極均勻發射電子的作用。此低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許大部分電子在一操作電壓下直接撞擊該螢光層。

Abstract in simplified Chinese: 一种光源设备,包括一阴极结构、一阳极结构、一萤光层、以及一低压气体层。萤光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间,有诱导阴极均匀发射电子的作用。此低压气体层有一电子平均自由路径,允许大部分电子在一操作电压下直接撞击该萤光层。