公开(公告)号：TW200637043A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095103294

申请日：2006-01-27

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 母倉修司 HAHAKURA, SHUJI ,  大松一也 OHMATSU, KAZUYA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L39/2448 ,  H01L39/143

Abstract: 本發明係有關一種超導薄膜材料(1)，其特徵為含有表面經平滑化處理的第1超導薄膜(1a)、與在該經平滑化處理的第1超導薄膜(1a)表面上所形成的第2超導薄膜(1b)。另外，本發明係有關一種超導線材(10)，其特徵為包含基板(2)與在該基板(2)上所形成的中間層(3)與在該中間層(3)上所形成的超導層(4)，該超導層(4)係由如上述之超導薄膜材料(1)所成。此外，本發明係有關上述超導薄膜材料(1)之製法及超導線材(10)之製法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种超导薄膜材料(1)，其特征为含有表面经平滑化处理的第1超导薄膜(1a)、与在该经平滑化处理的第1超导薄膜(1a)表面上所形成的第2超导薄膜(1b)。另外，本发明系有关一种超导线材(10)，其特征为包含基板(2)与在该基板(2)上所形成的中间层(3)与在该中间层(3)上所形成的超导层(4)，该超导层(4)系由如上述之超导薄膜材料(1)所成。此外，本发明系有关上述超导薄膜材料(1)之制法及超导线材(10)之制法。

公开(公告)号：TW201545386A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104111340

申请日：2015-04-08

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 顏得宗 ,  YAN, DER CHUNG ,  吳茂昆 ,  WU, MAW KUEN ,  許家豪 ,  HSU, CHIA HAO ,  陳詩芸 ,  CHEN, SHIH YUN

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  C25D7/06

CPC classification number: C30B29/225 ,  C01G3/006 ,  C04B35/4508 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B23/066 ,  H01B1/08 ,  H01B12/06 ,  H01B13/0036 ,  H01L39/126 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2448 ,  H01L39/2483

Abstract: 一種超導膜元件及超導膜元件之製備方法。超導膜元件包含一基板以及一超導膜。基板之晶格常數介於5.0Å(埃)至5.5Å之間。超導膜設置於基板上。超導膜包含YBa2Cu3O7及Y2BaCuO5。其中Y2BaCuO5分散於YBa2Cu3O7中。

Abstract in simplified Chinese: 一种超导膜组件及超导膜组件之制备方法。超导膜组件包含一基板以及一超导膜。基板之晶格常数介于5.0Å(埃)至5.5Å之间。超导膜设置于基板上。超导膜包含YBa2Cu3O7及Y2BaCuO5。其中Y2BaCuO5分散于YBa2Cu3O7中。

公开(公告)号：TWI509850B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW104111340

申请日：2015-04-08

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 顏得宗 ,  YAN, DER CHUNG ,  吳茂昆 ,  WU, MAW KUEN ,  許家豪 ,  HSU, CHIA HAO ,  陳詩芸 ,  CHEN, SHIH YUN

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  C25D7/06

CPC classification number: C30B29/225 ,  C01G3/006 ,  C04B35/4508 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B23/066 ,  H01B1/08 ,  H01B12/06 ,  H01B13/0036 ,  H01L39/126 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2448 ,  H01L39/2483

公开(公告)号：TW201316576A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：TW101118517

申请日：2012-05-24

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 花房慶 ,  HANAFUSA, KEI ,  本田元氣 ,  HONDA, GENKI ,  大木康太郎 ,  OHKI, KOTARO ,  中西毅 ,  NAKANISHI, TSUYOSHI ,  種子田賢宏 ,  TANEDA, TAKAHIRO ,  永石龍起 ,  NAGAISHI, TATSUOKI

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01B12/02 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2425 ,  H01L39/2448 ,  Y10T428/265

Abstract: 本發明提供呈現優異的超導特性的超導薄膜材料及其製造方法。超導薄膜材料(1)，具備：基板(10)，及被形成於該基板(10)上的超導膜(30)。超導膜(30)，包含藉由MOD法形成的MOD層(31)，與藉由氣相法形成於MOD層(31)上的氣相合成層(32)。如此，先形成MOD層(31)，然後形成氣相合成層(32)，所以可以防止在形成MOD層(31)的步驟之熱處理(MOD法之熱處理)造成氣相合成層(32)的特性劣化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供呈现优异的超导特性的超导薄膜材料及其制造方法。超导薄膜材料(1)，具备：基板(10)，及被形成于该基板(10)上的超导膜(30)。超导膜(30)，包含借由MOD法形成的MOD层(31)，与借由气相法形成于MOD层(31)上的气相合成层(32)。如此，先形成MOD层(31)，然后形成气相合成层(32)，所以可以防止在形成MOD层(31)的步骤之热处理(MOD法之热处理)造成气相合成层(32)的特性劣化。

公开(公告)号：TW218859B

公开(公告)日：1994-01-11

申请号：TW080106939

申请日：1991-09-02

Applicant: 力能轉換裝置公司

Inventor： 史丹福.爾.歐桑斯基 ,  羅莎.楊

IPC: C01F ,  C01G

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/087 ,  H01L39/2448 ,  Y10S505/731 ,  Y10S505/78

Abstract: 一種在非外延基材（例如藍寶石或不銹鋼）上生長之氟化、陶瓷缺陷－氧化物型超導性、似外延材料之薄膜。此超導材料之特徵在於其單位晶胞之基底平面排列，即使此基材未具有鈣鈦礦型晶格結構亦然。使用一種雷射燒蝕技術，以使材料從一種氟化靶材球粒上蒸發，而將此氟化超導料沈積在基材上。本發明係提供一種沈積超導薄膜之低壓與相對較低溫度方法，該超導薄膜之特徵在於 (１) 具有最少數目典型上伴隨著多晶性薄膜之高角度晶粒邊界，及
(２) 排列其單位晶胞之a、b及c軸，以提供增強之電流攜帶能力。大面積、不規則形狀及成卷之不昂貴基材，可藉本文中所述之方法，均勻地覆蓋。

Abstract in simplified Chinese: 一种在非外延基材（例如蓝宝石或不锈钢）上生长之氟化、陶瓷缺陷－氧化物型超导性、似外延材料之薄膜。此超导材料之特征在于其单位晶胞之基底平面排列，即使此基材未具有钙钛矿型晶格结构亦然。使用一种激光烧蚀技术，以使材料从一种氟化靶材球粒上蒸发，而将此氟化超导料沉积在基材上。本发明系提供一种沉积超导薄膜之低压与相对较低温度方法，该超导薄膜之特征在于 (１) 具有最少数目典型上伴随着多晶性薄膜之高角度晶粒边界，及 (２) 排列其单位晶胞之a、b及c轴，以提供增强之电流携带能力。大面积、不守则形状及成卷之不昂贵基材，可藉本文中所述之方法，均匀地覆盖。

公开(公告)号：TW200741749A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：TW096104050

申请日：2007-02-05

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 母倉修司 HAHAKURA, SHUJI ,  大松一也 OHMATSU, KAZUYA ,  上山宗譜 UEYAMA, MUNETSUGU ,  長谷川勝哉 HASEGAWA, KATSUYA

IPC: H01B

CPC classification number: H01L39/2422 ,  C30B19/02 ,  C30B23/02 ,  C30B29/225 ,  H01F6/06 ,  H01L39/2425 ,  H01L39/2448

Abstract: 超導薄膜材料之製法,其係具備利用氣相法形成超導層(3)的氣相製程、及以和超導層(3)接觸的方式並利用液相法形成超導層(4)的液相製程。較佳為進一步具備在超導層(3)和金屬基板(1)之間形成中間層(2)的製程。較宜是金屬基板(1)為由金屬所形成,且中間層(2)為具有岩石型、鈣鈦礦(Perovskite)型和燒綠石(pyrochlore)型中之任何一種結晶構造之氧化物所形成,且超導層(3)及超導層(4)中之任何一者均具有RE123系之組成。藉此可提高臨界電流値。

Abstract in simplified Chinese: 超导薄膜材料之制法,其系具备利用气相法形成超导层(3)的气相制程、及以和超导层(3)接触的方式并利用液相法形成超导层(4)的液相制程。较佳为进一步具备在超导层(3)和金属基板(1)之间形成中间层(2)的制程。较宜是金属基板(1)为由金属所形成,且中间层(2)为具有岩石型、钙钛矿(Perovskite)型和烧绿石(pyrochlore)型中之任何一种结晶构造之氧化物所形成,且超导层(3)及超导层(4)中之任何一者均具有RE123系之组成。借此可提高临界电流値。

公开(公告)号：TW232098B

公开(公告)日：1994-10-11

申请号：TW082108460

申请日：1993-10-13

Applicant: 杜邦公司

Inventor： 史蒂芬斯.勒 ,  肯尼斯.伯納德.奇丁

IPC: H01L

CPC classification number: C23C14/087 ,  C23C14/28 ,  H01L39/2448 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/732

Abstract: 有關產製超導物質薄膜的製法，其是藉由脈衝高能量ＵＶ雷射所發的輻射來撞擊經加熱後的目標以形成此目標物質的雲柱狀物，再把這雲柱狀物沈澱於暴露的基層上。

Abstract in simplified Chinese: 有关产制超导物质薄膜的制法，其是借由脉冲高能量ＵＶ激光所发的辐射来撞击经加热后的目标以形成此目标物质的云柱状物，再把这云柱状物沈淀于暴露的基层上。

公开(公告)号：TW201540862A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW103114060

申请日：2014-04-17

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 黃昆平 ,  HUANG, KUN PING ,  陳錫銓 ,  CHEN, HSI CHUAN ,  童遷祥 ,  TONG, CHIANG HSIUNG ,  羅志偉 ,  LUO, CHIH WEI ,  曾文彥 ,  TZENG, WEN YEN

IPC: C23C16/455 ,  G01N21/84

CPC classification number: H01L39/2448 ,  H01L39/02 ,  H01L39/2438

Abstract: 一種超導薄膜的缺陷修補方法、鍍膜方法與以此方法製作的超導薄膜。所述缺陷修補方法包括在製作超導薄膜的過程中檢測超導薄膜，當檢測出其中具有缺陷時，於缺陷所在的位置形成一超導修補結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种超导薄膜的缺陷修补方法、镀膜方法与以此方法制作的超导薄膜。所述缺陷修补方法包括在制作超导薄膜的过程中检测超导薄膜，当检测出其中具有缺陷时，于缺陷所在的位置形成一超导修补结构。

公开(公告)号：TWI488994B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW103114060

申请日：2014-04-17

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 黃昆平 ,  HUANG, KUN PING ,  陳錫銓 ,  CHEN, HSI CHUAN ,  童遷祥 ,  TONG, CHIANG HSIUNG ,  羅志偉 ,  LUO, CHIH WEI ,  曾文彥 ,  TZENG, WEN YEN

IPC: C23C16/455 ,  G01N21/84

CPC classification number: H01L39/2448 ,  H01L39/02 ,  H01L39/2438

公开(公告)号：TW200807451A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096117511

申请日：2007-05-17

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 母倉修司 HAHAKURA, SHUJI ,  大松一也 OHMATSU, KAZUYA ,  上山宗譜 UEYAMA, MUNETSUGU ,  長谷川勝哉 HASEGAWA, KATSUYA

IPC: H01B

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C14/06 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2425 ,  H01L39/2448 ,  Y10S505/813 ,  Y10T428/31678

Abstract: 可同時實現高Jc及高Ic等之優良特性與低成本化的超導薄膜材料(1),係具備金屬配向基板(10)、及形成於該金屬配向基板(10)上之氧化物超導膜(30),氧化物超導膜(30)係具有藉由物理蒸鍍法而形成之物理蒸鍍HoBCO層(31)、及藉由有機金屬沉積法而形成於物理蒸鍍HoBCO層(31)上之有機金屬沉積HoBCO層(32)。

Abstract in simplified Chinese: 可同时实现高Jc及高Ic等之优良特性与低成本化的超导薄膜材料(1),系具备金属配向基板(10)、及形成于该金属配向基板(10)上之氧化物超导膜(30),氧化物超导膜(30)系具有借由物理蒸镀法而形成之物理蒸镀HoBCO层(31)、及借由有机金属沉积法而形成于物理蒸镀HoBCO层(31)上之有机金属沉积HoBCO层(32)。