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    矽單晶長晶方法及矽單晶長晶設備
    4.
    发明专利
    矽單晶長晶方法及矽單晶長晶設備 审中-公开
    硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备

    公开(公告)号：TW202026471A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW107147827

    申请日：2018-12-28

    申请人： 環球晶圓股份有限公司 ,  GLOBALWAFERS CO., LTD.

    发明人： 陳俊宏 ,  CHEN, CHUN HUNG ,  王興邦 ,  WANG, HSING PANG ,  徐文慶 ,  HSU, WEN CHING ,  李依晴 ,  LI, I CHING

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/10 ,  C30B15/20 ,  C30B13/18 ,  C30B35/00

    摘要： 一種矽單晶長晶方法，包括：提供爐體、不會相對於爐體轉動的支撐座與坩堝、及設置於支撐座外圍的加熱模組；在坩堝內的矽熔湯液面實施固化以形成晶體後，逐次調降加熱模組的加熱功率而對坩堝的外周圍區域進行適當的溫度調節，並有效控制坩堝周圍熱場的溫度梯度，藉以得到由所述矽熔湯固化形成的一矽單晶晶錠。

    简体摘要： 一种硅单晶长晶方法，包括：提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块；在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后，逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节，并有效控制坩埚周围热场的温度梯度，借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭。

    一種晶體生長爐的導流筒和晶體生長爐
    7.
    发明专利
    一種晶體生長爐的導流筒和晶體生長爐 审中-公开
    一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉

    公开(公告)号：TW202022178A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108143077

    申请日：2019-11-27

    申请人： 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 沈偉民 ,  SHEN, WEIMIN ,  王 剛 ,  WANG, GANG ,  鄧先亮 ,  DENG, XIANLIANG ,  陳 偉德 ,  TAN, WEE TECK ,  黃 瀚藝 ,  HUANG, HANYI

    IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B15/00

    摘要： 一種晶體生長爐的導流筒和晶體生長爐，所述導流筒包括內筒、外筒和設置在所述內筒和所述外筒之間的隔熱材料，其中所述內筒的熱阻較所述外筒的熱阻低。據此，外筒的熱阻高於內筒的熱阻，降低了導流筒上外筒對內筒的傳熱，從而使內筒的溫度降低，有效增加了晶棒表面到導流筒內筒的輻射熱傳導，從而提升了晶棒的縱向溫度梯度；同時，使外筒的溫度上升，減少了矽熔體液面蒸發的矽氧化蒸汽（SiOx）在導流筒外筒上凝聚，從而減少了氧化物（SiOx）落入矽液產生雜質而發生多晶化（dislocation）的現象。

    简体摘要： 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。据此，外筒的热阻高于内筒的热阻，降低了导流筒上外筒对内筒的传热，从而使内筒的温度降低，有效增加了晶棒表面到导流筒内筒的辐射热传导，从而提升了晶棒的纵向温度梯度；同时，使外筒的温度上升，减少了硅熔体液面蒸发的硅氧化蒸汽（SiOx）在导流筒外筒上凝聚，从而减少了氧化物（SiOx）落入硅液产生杂质而发生多晶化（dislocation）的现象。

    製造晶錠的裝置以及使用裝置製造碳化矽晶錠的方法
    8.
    发明专利
    製造晶錠的裝置以及使用裝置製造碳化矽晶錠的方法 审中-公开
    制造晶锭的设备以及使用设备制造碳化硅晶锭的方法

    公开(公告)号：TW202022175A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108123152

    申请日：2019-07-01

    申请人： 南韓商SKC股份有限公司 ,  SKC CO., LTD.

    发明人： 張炳圭 ,  JANG, BYUNG KYU ,  金政圭 ,  KIM, JUNG-GYU ,  崔正宇 ,  CHOI, JUNG WOO ,  具甲烈 ,  KU, KAP-RYEOL ,  高上基 ,  KO, SANG KI

    IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B1/12

    摘要： 本發明涉及一種晶錠的製備裝置以及使用其的碳化矽單晶錠的製備方法，上述晶錠的製備裝置為包括坩鍋主體和蓋組裝體的晶錠的製備裝置，上述坩鍋主體具有開放部且容納原料，上述蓋組裝體位於上述開放部且其至少一部分固定於上述坩鍋主體，上述晶錠的製備裝置的特徵在於，上述蓋組裝體包括：佈置孔，上下貫通；外緣構件，以包圍上述佈置孔的圓周的方式沿著上述開放部的圓周佈置；及芯構件，位於上述佈置孔且以上述外緣構件為基準上下移動。通過適用上述晶錠的製備裝置來可以提供進一步大口徑的高品質單晶錠。

    简体摘要： 本发明涉及一种晶锭的制备设备以及使用其的碳化硅单晶锭的制备方法，上述晶锭的制备设备为包括坩锅主体和盖组装体的晶锭的制备设备，上述坩锅主体具有开放部且容纳原料，上述盖组装体位于上述开放部且其至少一部分固定于上述坩锅主体，上述晶锭的制备设备的特征在于，上述盖组装体包括：布置孔，上下贯通；外缘构件，以包围上述布置孔的圆周的方式沿着上述开放部的圆周布置；及芯构件，位于上述布置孔且以上述外缘构件为基准上下移动。通过适用上述晶锭的制备设备来可以提供进一步大口径的高品质单晶锭。

    一種晶棒切片方法
    10.
    发明专利
    一種晶棒切片方法 审中-公开
    一种晶棒切片方法

    公开(公告)号：TW202021702A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108140779

    申请日：2019-11-11

    申请人： 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION ,  中國科學院上海微系統與信息技術研究所 ,  SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    发明人： 王 剛 ,  WANG, GANG ,  沈偉民 ,  SHEN, WEIMIN

    IPC分类号： B23H7/02 ,  C30B35/00

    摘要： 本發明提供一種晶棒切片方法，該方法包括：步驟S1：將晶棒至少部分浸沒於包含電解質的電解池中，該電解池中設置有包含一線狀電極的陰極；步驟S2：調整該晶棒與該陰極之間的相對位置，以使該晶棒的軸向與該線狀電極的長度方向交叉設置，並且該晶棒與該線狀電極不接觸；步驟S3：在該晶棒和該陰極之間接通電源的同時使該晶棒和該陰極上的該線狀電極做相對運動，其中，該電源包括直流電源，該晶棒接通該直流電源的正極，該陰極接通該直流電源的負極，通過該相對運動實現對該晶棒的切片。根據本發明的晶棒切片方法有效減少了截口損失，同時，有效避免了機械損傷、晶圓翹曲以及接觸切割產生的污染。

    简体摘要： 本发明提供一种晶棒切片方法，该方法包括：步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，该电解池中设置有包含一线状电极的阴极；步骤S2：调整该晶棒与该阴极之间的相对位置，以使该晶棒的轴向与该线状电极的长度方向交叉设置，并且该晶棒与该线状电极不接触；步骤S3：在该晶棒和该阴极之间接通电源的同时使该晶棒和该阴极上的该线状电极做相对运动，其中，该电源包括直流电源，该晶棒接通该直流电源的正极，该阴极接通该直流电源的负极，通过该相对运动实现对该晶棒的切片。根据本发明的晶棒切片方法有效减少了截口损失，同时，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。