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公开(公告)号:TW202030281A
公开(公告)日:2020-08-16
申请号:TW108139633
申请日:2019-11-01
Applicant: 日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Inventor: 三井滋 , MITSUI, SHIGERU , 西村透 , NISHIMURA, TOHRU , 石水英一郎 , ISHIMIZU, EIICHIRO
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本發明提供使用於裝置晶圓之CMP研磨之可高研磨速度與可抑制缺陷發生之研磨用組成物。 一種研磨用組成物,其係包含氧化矽粒子之研磨用組成物,該氧化矽粒子基於膠體狀氧化矽分散液,其分散液之脈衝NMR之測定值Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)為0.15~0.7,且該氧化矽粒子之形狀係數SF1=(將粒子最大徑設為直徑之圓的面積)/(投影面積)為1.20~1.80。Rsp係表示水親和性之指標,Rav係膠體狀氧化矽分散液之緩和時間倒數,Rb係膠體狀氧化矽分散液中氧化矽粒子除外之空白水溶液之緩和時間倒數。膠體狀氧化矽分散液藉由動態光散射法測定之平均粒徑為40~200nm,該分散液中之氧化矽粒子藉由氮氣吸附法測定之平均一次粒徑為10~80nm。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用于设备晶圆之CMP研磨之可高研磨速度与可抑制缺陷发生之研磨用组成物。 一种研磨用组成物,其系包含氧化硅粒子之研磨用组成物,该氧化硅粒子基于胶体状氧化硅分散液,其分散液之脉冲NMR之测定值Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)为0.15~0.7,且该氧化硅粒子之形状系数SF1=(将粒子最大径设为直径之圆的面积)/(投影面积)为1.20~1.80。Rsp系表示水亲和性之指针,Rav系胶体状氧化硅分散液之缓和时间倒数,Rb系胶体状氧化硅分散液中氧化硅粒子除外之空白水溶液之缓和时间倒数。胶体状氧化硅分散液借由动态光散射法测定之平均粒径为40~200nm,该分散液中之氧化硅粒子借由氮气吸附法测定之平均一次粒径为10~80nm。
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公开(公告)号:TW202030051A
公开(公告)日:2020-08-16
申请号:TW109102290
申请日:2020-01-21
Applicant: 日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor: 新居武典 , ARAI, TAKENORI , 田村正和 , TAMURA, MASAKAZU
IPC: B24B41/047 , B24B7/04 , B24B47/22 , H01L21/304
Abstract: [課題]在測定工作台保持面與安裝座裝設面之間隔的治具中,即使在母螺絲固著有磨削屑,仍形成為可進行治具對安裝座的裝設。 [解決手段]一種測定治具,是測定工作台的保持面、以及供輪裝設之安裝座的裝設面之間隔,前述輪環狀地配設有對被加工物進行磨削的磨石,前述治具是沿著磨石的軌跡來測定前述間隔,安裝座在裝設面形成有母螺絲,測定治具具備:基台,可使螺合於母螺絲的公螺絲豎立設置;臂,從基台朝安裝座的徑方向延伸;及量規,裝設於臂且具有測定保持面之對應於磨石的軌跡的位移之測定頭,公螺絲具備朝公螺絲的豎立設置方向橫越於牙山之溝,前述測定治具在公螺絲螺合於母螺絲時,以牙山與溝之角來剝除已附著在母螺絲之附著物而裝設於安裝座。
Abstract in simplified Chinese: [课题]在测定工作台保持面与安装座装设面之间隔的治具中,即使在母螺丝固着有磨削屑,仍形成为可进行治具对安装座的装设。 [解决手段]一种测定治具,是测定工作台的保持面、以及供轮装设之安装座的装设面之间隔,前述轮环状地配设有对被加工物进行磨削的磨石,前述治具是沿着磨石的轨迹来测定前述间隔,安装座在装设面形成有母螺丝,测定治具具备:基台,可使螺合于母螺丝的公螺丝竖立设置;臂,从基台朝安装座的径方向延伸;及量规,装设于臂且具有测定保持面之对应于磨石的轨迹的位移之测定头,公螺丝具备朝公螺丝的竖立设置方向横越于牙山之沟,前述测定治具在公螺丝螺合于母螺丝时,以牙山与沟之角来剥除已附着在母螺丝之附着物而装设于安装座。
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公开(公告)号:TW202030050A
公开(公告)日:2020-08-16
申请号:TW108132943
申请日:2019-09-12
Applicant: 日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
Inventor: 天髙恭祐 , TENKOU, KYOUSUKE , 菱田翔太 , HISHIDA, SHOTA , 安井大祐 , YASUI, DAISUKE , 長谷英治 , HASE, HIDEHARU , 堀田和利 , HOTTA, KAZUTOSHI
Abstract: 提供一種研磨墊,對於各種的曲率的曲面研磨面皆可追從,可進行研磨對象物所具有的曲面狀的被研磨面的研磨,可將曲面狀的被研磨面的起伏除去。研磨墊(10),是由具備:具有研磨面(10a)的研磨層(1)、及由彈性體所構成且將研磨層(1)支撐的支撐層(2),的疊層體所構成。在比研磨層(1)的外緣更內側的領域中,形成有由厚度方向貫通研磨層(1)的貫通部(1a)。進一步,研磨層(1),是由JIS K6253-3:2012所規定的硬度計硬度A型為30以上的材料所形成。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种研磨垫,对于各种的曲率的曲面研磨面皆可追从,可进行研磨对象物所具有的曲面状的被研磨面的研磨,可将曲面状的被研磨面的起伏除去。研磨垫(10),是由具备:具有研磨面(10a)的研磨层(1)、及由弹性体所构成且将研磨层(1)支撑的支撑层(2),的叠层体所构成。在比研磨层(1)的外缘更内侧的领域中,形成有由厚度方向贯通研磨层(1)的贯通部(1a)。进一步,研磨层(1),是由JIS K6253-3:2012所规定的硬度计硬度A型为30以上的材料所形成。
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公开(公告)号:TWI701733B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW107146304
申请日:2015-06-22
Applicant: 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor: 魯偉 , LU,WEI , 王哲甫 , WANG,ZHEFU , 王志宏 , WANG,ZHIHONG , 依拉維尼韓森G , IRAVANI,HASSAN G. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU,DOMINIC J. , 卡爾森伊格馬 , CARLSSON,INGEMAR , 史威克柏格斯勞A , SWEDEK,BOGUSLAW A. , 涂文強 , TU,WEN-CHIANG
IPC: H01L21/304 , B24B37/005 , B24B37/00
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公开(公告)号:TWI701709B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW108123008
申请日:2016-01-26
Applicant: 日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Inventor: 藤原新也 , FUJIWARA, SHINYA , 樋口恭明 , HIGUCHI, YASUAKI
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公开(公告)号:TWI700740B
公开(公告)日:2020-08-01
申请号:TW107125730
申请日:2018-07-25
Applicant: 日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号:TWI700346B
公开(公告)日:2020-08-01
申请号:TW104142924
申请日:2015-12-21
Inventor: 萊哈德 羅伯特 , REICHARDT, ROBERT , 席伯特 馬克斯 , SIEBERT, MAX , 蘭永清 , LAN, YONGQING , 勞特 米夏埃爾 , LAUTER, MICHAEL , 烏斯曼 依布拉西姆 雪克 安薩 , USMAN IBRAHIM, SHEIK ANSAR , 果莎里安 雷莎 , GOLZARIAN, REZA , 古芬克 哈奇 歐斯曼 , GUEVENC, HACI OSMAN , 普洛斯 胡利安 , PROELSS, JULIAN , 里尼森 李歐納度斯 , LEUNISSEN, LEONARDUS
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
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公开(公告)号:TWI700147B
公开(公告)日:2020-08-01
申请号:TW105138413
申请日:2016-11-23
Applicant: 日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Inventor: 田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC: B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
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公开(公告)号:TWI699826B
公开(公告)日:2020-07-21
申请号:TW104114118
申请日:2012-05-31
Applicant: 日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
Inventor: 橫山俊夫 , YOKOYAMA, TOSHIO , 國澤淳次 , KUNISAWA, JUNJI , 宮崎充 , MIYAZAKI, MITSURU , 鈴木憲一 , SUZUKI, KENICHI , 外崎宏 , SOTOZAKI, HIROSHI
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
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公开(公告)号:TWI699237B
公开(公告)日:2020-07-21
申请号:TW108105988
申请日:2019-02-22
Applicant: 亞泰半導體設備股份有限公司 , ASIA IC MIC-PROCESS, INC
Inventor: 徐宏信 , HSU, HUNG-HSIN , 邱彥嵐 , CHIOU, YAN-LAN
IPC: B01F7/20 , H01L21/304 , B24B37/24
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