公开(公告)号：US5696390A

公开(公告)日：1997-12-09

申请号：US688156

申请日：1996-07-29

申请人： Philippe Godignon ,  Jean-Fran.cedilla.ois De Palma ,  Rene Deshayes ,  Juan Fernandez ,  Jose Millan

发明人： Philippe Godignon ,  Jean-Fran.cedilla.ois De Palma ,  Rene Deshayes ,  Juan Fernandez ,  Jose Millan

IPC分类号： H01L29/87 ,  H01L29/74 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L29/87

摘要： A current limiter component constituted by a semiconductor bar or wafer doped in four layers (P, N, P, N) between its anode and cathode. The doping characteristics and the dimensional characteristics of the bar are adjusted to obtain a characteristic current to voltage curve which initially increases as voltage and current increases in the manner of a diode followed by a part constituting a current limiting plateau wherein the plateau reflects that the current remains fixed until the voltage reaches a breakdown voltage.

摘要翻译： 由在其阳极和阴极之间四层（P，N，P，N）掺杂的半导体棒或晶片构成的限流器部件。 调整棒的掺杂特性和尺寸特性以获得最初随着电压和电流以二极管的方式增加的特征电流 - 电压曲线，随后是构成限流平台的部分，其中平台反映电流 保持固定，直到电压达到击穿电压。