公开(公告)号：US20050136605A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10745454

申请日：2003-12-22

申请人： Robert Murto ,  Luigi Colombo ,  Mark Visokay

发明人： Robert Murto ,  Luigi Colombo ,  Mark Visokay

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/4975 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： Methods are presented for fabricating transistor gate structures, wherein upper and lower metal suicides are formed above a gate dielectric. In one example, the lower silicide is formed by depositing a thin first silicon-containing material over the gate dielectric, which is implanted and then reacted with a first metal by annealing to form the lower silicide. A capping layer can be formed over the first metal prior to annealing, to prevent oxidation of the metal prior to silicidation, and a barrier layer can be formed over the lower silicide to prevent reaction with subsequently formed silicon material. In another example, the lower silicide is a multilayer silicide structure including a plurality of metal silicide sublayers.

摘要翻译： 呈现用于制造晶体管栅极结构的方法，其中上和下金属硅化物形成在栅极电介质上方。 在一个示例中，下硅化物通过在栅极电介质上沉积薄的第一含硅材料而形成，其被注入，然后通过退火与第一金属反应以形成下硅化物。 在退火之前可以在第一金属上形成覆盖层，以防止在硅化物之前金属的氧化，并且可以在下硅化物上形成阻挡层以防止随后形成的硅材料的反应。 在另一个实例中，下硅化物是包括多个金属硅化物层的多层硅化物结构。

公开(公告)号：US20060019437A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10897846

申请日：2004-07-23

申请人： Robert Murto ,  Luigi Colombo ,  Mark Visokay

发明人： Robert Murto ,  Luigi Colombo ,  Mark Visokay

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device. The semiconductor device (100), among other possible elements, includes a first transistor (120) located over a semiconductor substrate (110), wherein the first transistor (120) has a gate electrode (135) that includes a metal silicide layer 135a over which is located a silicon gate layer (135b) together which have a work function associated therewith, and a second transistor (125) located over the semiconductor substrate (110) and proximate the first transistor (120), wherein the second transistor (125) also includes a gate electrode (160) that includes a metal silicide layer (160a) over which is located a silicon gate layer (160b) together which have a different work function from that of the first gate electrode (135) associated therewith.

摘要翻译： 本发明提供一种制造半导体器件的方法。 除了其它可能的元件之外，半导体器件（100）包括位于半导体衬底（110）上方的第一晶体管（120），其中第一晶体管（120）具有包括金属硅化物层135a的栅电极（135） 位于硅栅极层（135b）上，其具有与其相关联的功函数;以及第二晶体管（125），位于半导体衬底（110）之上且靠近第一晶体管（120），其中第二晶体管 125）还包括栅电极（160），其包括金属硅化物层（160a），栅极电极（160a）位于硅栅极层（160b）上，其具有与第一栅电极（135）的功函数不同的功函 随之而来。