公开(公告)号：US20130207098A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13371198

申请日：2012-02-10

Applicant: Tung-Ti YEH ,  Chung-Yi HUANG ,  Ya Wen WU ,  Hui-Mei JAO ,  Ting-Chun WANG ,  Shiu-Ko JiangJian ,  Chia-Hung CHUNG

Inventor： Tung-Ti YEH ,  Chung-Yi HUANG ,  Ya Wen WU ,  Hui-Mei JAO ,  Ting-Chun WANG ,  Shiu-Ko JiangJian ,  Chia-Hung CHUNG

IPC: H01L29/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L27/1464

Abstract: A semiconductor device including a first wafer assembly having a first substrate and a first oxide layer over the first substrate. The semiconductor device further includes a second wafer assembly having a second substrate and a second oxide layer over the second substrate. The first oxide layer and the second oxide layer are bonded together by van der Waals bonds or covalent bonds. A method of bonding a first wafer assembly and a second wafer assembly including forming a first oxide layer over a first substrate. The method further includes forming a second oxide layer over a second wafer assembly. The method further includes forming van der Waals bonds or covalent bonds between the first oxide layer and the second oxide layer.

Abstract translation: 一种半导体器件，包括具有第一衬底和第一衬底上的第一氧化物层的第一晶片组件。 半导体器件还包括第二晶片组件，其具有第二衬底和在第二衬底上的第二氧化物层。 第一氧化物层和第二氧化物层通过范德华力键或共价键键合在一起。 一种接合第一晶片组件和第二晶片组件的方法，包括在第一衬底上形成第一氧化物层。 该方法还包括在第二晶片组件上形成第二氧化物层。 该方法还包括在第一氧化物层和第二氧化物层之间形成范德华氏键或共价键。